公开(公告)号：CN119922966A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202411532122.5

申请日：2024-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨恺洁 ,  刘俊佑 ,  温伟源 ,  杨固峰 ,  廖思雅

IPC: H10D84/01 ,  H10D84/85

Abstract: 提供了半导体结构及其形成方法。根据本发明的方法包括：提供包括开口的中间结构，在开口上方共形地沉积金属衬垫，在金属衬垫上方沉积伪填充材料，使伪填充材料凹进，以使金属衬垫的一部分暴露出来，去除金属衬垫的暴露的部分，去除凹进的伪填充材料，以及在凹进的伪填充材料的去除之后，在开口上方沉积金属填充层。

公开(公告)号：CN120033093A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510130317.5

申请日：2025-02-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王冠人 ,  胡宽侃 ,  刘俊佑 ,  杨固峰 ,  廖思雅

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/263 ,  H01L21/02 ,  H01L21/268 ,  H01L21/306

Abstract: 用于接合晶圆的方法包括对第一晶圆的第一表面执行清洁工艺，以及对第一表面执行表面活化工艺。表面活化工艺选自以下构成的组：等离子体表面活化工艺，包括从工艺气体生成等离子体，其中使用过滤器来去除等离子体中的离子，并且其中使用等离子体的剩余未带电部分来处理第一表面；激光表面活化工艺，使用激光束；酸表面活化工艺，使用酸；和碱表面活化工艺，使用碱。在表面活化工艺之后，对第一表面执行冲洗工艺。将第一晶圆的第一表面接合到第二晶圆的第二表面。

公开(公告)号：CN119812010A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411410714.X

申请日：2024-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈勇达 ,  胡宽侃 ,  刘俊佑 ,  石哲齐 ,  杨固峰 ,  廖思雅

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/48 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522

Abstract: 一种形成半导体器件的方法包括在半导体结构上形成包含导热通孔(也称为热通孔、导热柱或热柱)的接合结构。热通孔的材料热导率大于约10W/m·K，被嵌入到接合结构中，该接合结构提供了一从热点区域到衬底的快速散热路径。本申请的实施例还公开了一种半导体器件。

公开(公告)号：CN119486243A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411468760.5

申请日：2024-10-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 石哲齐 ,  刘俊佑 ,  许濬凡 ,  杨固峰 ,  廖思雅

IPC: H10D84/03 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 方法包括：在第一衬底上方形成第一剥离结构，其中，形成第一剥离结构包括：在第一衬底上方沉积第一剥离层；在第一剥离层上方沉积第一硅层；在第一硅层上方沉积第二剥离层；以及在第二剥离层上方沉积第二硅层；在第一剥离结构上方外延生长第一多层堆叠件；将第一多层堆叠件接合至第二多层堆叠件；以及实施第一激光退火工艺以烧蚀第一硅层以及第一剥离层和第二剥离层的部分，以将第一衬底从第一多层堆叠件剥离。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。