公开(公告)号：CN120033160A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510130325.X

申请日：2025-02-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 盛维康 ,  林信霆 ,  洪文兴

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/427 ,  H01L21/52

Abstract: 示例性散热盖包括：导热外壳，具有上部板和下部板；第一虹吸芯结构，设置在下部板上并且跨越下部板的开口；以及中空内部区域，设置在上部板和下部板之间以及上部板和第一虹吸芯结构之间的导热外壳内。下部板的开口配置为接收设置在集成电路(IC)管芯上的第二虹吸芯结构。在一些实施例中，散热盖还包括设置在中空内部区域中以及上部板和下部板之间的导热柱。在一些实施例中，开口是第一开口，导热外壳还具有从下部板延伸的安装法兰，并且安装法兰限定用于接收IC管芯的第二开口。本申请的实施例还涉及散热盖、封装结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN221239606U

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202322728680.6

申请日：2023-10-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢政杰 ,  沈科翰 ,  连于仁 ,  盛维康

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/56 ,  H01L23/367

Abstract: 本公开实施例提出一种半导体芯片封装。上述半导体芯片封装包括形成在集成电路芯片的表面中的冷却界面区。包括通道区和柱状结构的组合的冷却界面区可直接暴露于半导体芯片封装之上及/或周围的流体。

公开(公告)号：CN221596429U

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202322919558.7

申请日：2023-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭鸿毅 ,  余振华 ,  李忠儒 ,  柯志明 ,  刘重希 ,  沈科翰 ,  连于仁 ,  盛维康 ,  余国宠 ,  卢思维 ,  蔡宗甫

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/367 ,  H01L21/56

Abstract: 本实用新型实施例提供一种封装物。封装物包括集成电路装置、封装剂及散热结构。集成电路装置附接于基板。封装剂设置于基板之上并横向围绕集成电路装置，其中封装剂的顶表面与集成电路装置的顶表面共平面。散热结构设置于集成电路装置及封装剂之上，其中散热结构包括传导层、多个柱状物及多个纳米结构。传导层设置于封装剂及集成电路装置之上。传导层包括多个岛状物，其中多个岛状物中的至少一部分在俯视视角中排列成沿着第一方向延伸的多个排线。多个柱状物设置于传导层的多个岛状物之上。多个纳米结构设置于多个柱状物之上。