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发明公开
包括高导热材料的半导体结构及其形成方法审中-公开

公开(公告)号：CN120035193A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510108976.9

申请日：2025-01-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江育贤 , 温伟源 , 廖思雅

IPC: H10D62/13 , H10D62/10 , H10D84/83 , H10D84/03 , H10D30/62 , H10D30/01

Abstract: 提供一种包括用于源极/漏极(S/D)及/或散热器的高卡帕(high‑κ)材料的半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括衬底、堆叠在衬底之上的多个沟道层、包覆多个沟道层的栅极结构以及配置在栅极结构的相对侧处的衬底之上并连接多个沟道层的S/D区。S/D区的材料包括具有单晶结构的高导热材料，例如热导率大于1000W/mK的砷化硼(BAs)。在此情况下，高导热材料可有效发散半导体结构所产生的热量，从而提高半导体结构的良率与可靠性。

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