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公开(公告)号：CN119104398A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202310635125.0
申请日：2023-05-31
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种快速制备芯片样品的方法包括：步骤S1.获取失效分析的目标区域；步骤S2.直接用激光轰击所述目标区域得到粗切开孔；步骤S3.用聚焦离子束对所述粗切开孔暴露的表面进行切削得到观察截面；步骤S4.用电子显微镜对所述观察截面进行成像，判断样品是否能获取芯片失效的原因。通过配合利用激光和聚焦离子束制备，整体时间大幅缩短，并且由于实现了时间的压缩则可以进一步优化制备样品过程，强化过程评估提升样品制备的质量，有利于失效分析更高的可靠性；本发明提供的快速制备芯片样品系统，具有相应优势。
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公开(公告)号：CN118742179A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411223702.6
申请日：2024-09-03
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种热电膜的制备方法、热电膜及热电器件，制备方法包括提供衬底和热电材料，所述热电材料为碲化锑粉末或碲化铋粉末，所述热电材料中碲的原子百分比在62%‑67%之间；采用近空间升华工艺，在所述衬底上沉积所述热电材料，形成热电膜。本发明采用近空间升华工艺取代常见的磁控溅射工艺，显著提高了热电材料的沉积效率，降低生产成本；通过对近空间升华所用的源材料的组分进行预先调整，增加碲元素的含量，有效降低了沉积时碲元素挥发造成的损失，避免热电膜出现大的组分偏差，从而保证了热电膜的性能。
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公开(公告)号：CN118978917A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411054868.X
申请日：2024-08-02
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种CdSe量子点制备工艺，包括以下步骤：S1.制备硒前体溶液和浓度不同的第一硒前体溶液与第二硒前体溶液；S2.达到预设温度，将第一硒前体溶液快速注入硒前体溶液中形成CdSe量子点的中间体，达到间隔时间，将第二硒前体溶液缓慢地多轮多次地滴入CdSe量子点的中间体内，形成CdSe量子点。通过上述方式，本发明第一硒前体溶液与第二硒前体溶液分两步注入不同浓度的Se‑ODE溶液，便于对反应的控制，提升制备得到的CdSe量子点的性能；本发明制备的CdSe量子点能够实现得到窄半峰宽、形貌均一、分散性好。
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公开(公告)号：CN118778351A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410889607.3
申请日：2024-07-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G03F1/76 , B23K26/362 , B23K26/60 , B23K26/0622 , G03F1/80 , G03F1/72 , H10N10/01
Abstract: 本发明提供一种金属掩膜板及其制备方法和应用，制备方法包括如下步骤：提供金属基板，所述金属基板具有第一表面和第二表面；通过飞秒激光加工所述第一表面，在所述金属基板上依次形成掩膜阵列图案和位于边缘位置的填充图案，所述掩膜阵列图案由若干第一贯穿孔组成，所述填充图案由若干第二贯穿孔组成，即得到所述金属掩膜板。本发明利用飞秒激光瞬时能量高、热效应低、加工精度高的特点，制备出了高精度高平整度的金属掩膜板；通过在边缘设置填充图案的方式，可以均衡热应力，进一步提供金属掩膜板的平整度；而通过对尺寸偏差进行预先的补偿设计，可以确保金属掩膜板图案的精度。
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公开(公告)号：CN118748904A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410851554.6
申请日：2024-06-28
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种高密度热电器件的制备方法，制备方法包括如下步骤：提供多个掩膜板，分别为第一掩膜板、第二掩膜板、第三掩膜板和第四掩膜板，提供第一基底和第二基底；利用所述第一掩膜板在所述第一基底表面沉积形成图案化下电极，利用所述第二掩膜板在所述第二基底表面沉积形成图案化上电极；利用所述第三掩膜板在第一基底表面依次沉积N型热电臂和第一键合层；利用所述第四掩膜板在第二基底表面依次沉积P型热电臂和第二键合层；将第一键合层和第二键合层进行加压高温键合，得到高密度热电器件。本方法避免了光刻胶对热电材料沉积温度的限制，配合高精度的掩膜，实现了热电材料的高密度集成，且双面键合工艺简单可靠，成本低廉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119522010A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202311023554.9
申请日：2023-08-14
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H10N10/01 , H10N10/852
Abstract: 本发明提供了一种n型碲化铋热电厚膜制备方法及装置，所述方法包括：获取氮化铝衬底；预设磁控溅射参数；根据所述磁控溅射参数，利用碲化铋靶和碲靶对所述氮化铝衬底进行所述磁控溅射处理，得到第一热电厚膜；对所述第一热电厚膜进行阶梯式提温处理，得到所述n型碲化铋热电厚膜。本发明采用阶梯式提温结合分步式原位退火和对衬底施加偏压的方式实现了n型碲化铋热电厚膜制备，在(001)方向上的定向可控生长，制备出热电厚膜的厚度超过10μm，热电优值ZT值超过1.1。
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公开(公告)号：CN119100327A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202310625879.8
申请日：2023-05-30
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种基于双束显微镜的制备纳米孔的方法，包括：提供一硅片衬底基体；其中，所述硅片衬底基体的两侧表面各沉积一层氮化硅薄膜；通过半导体工艺将所述氮化硅薄膜进行图像化，得到图像化氮化硅薄膜；通过所述双束显微镜将所述图像化氮化硅薄膜进行打孔处理，得到纳米孔；对所述纳米孔进行电化学表征检测。本发明利用双束显微镜，具有良好的分辨率，并且采用氮化硅材料可以通过光学或者电学的方式同时检测多个颗粒过孔的脉冲信号。本发明还提供了一种装置，具有相应优势。
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公开(公告)号：CN118742179B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411223702.6
申请日：2024-09-03
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种热电膜的制备方法、热电膜及热电器件，制备方法包括提供衬底和热电材料，所述热电材料为碲化锑粉末或碲化铋粉末，所述热电材料中碲的原子百分比在62%‑67%之间；采用近空间升华工艺，在所述衬底上沉积所述热电材料，形成热电膜。本发明采用近空间升华工艺取代常见的磁控溅射工艺，显著提高了热电材料的沉积效率，降低生产成本；通过对近空间升华所用的源材料的组分进行预先调整，增加碲元素的含量，有效降低了沉积时碲元素挥发造成的损失，避免热电膜出现大的组分偏差，从而保证了热电膜的性能。
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公开(公告)号：CN119522014A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202311034351.X
申请日：2023-08-16
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供热电微发电器件，包括键合层、以及位于键合层两侧的N型热电模块和P型热电模块；N型热电模块包括第一基片、以及依次沉积在第一基片上的T i粘附层、金属电极层、第一T i阻挡层、N型热电材料、第二T i阻挡层和第一键合层；P型热电模块包括第二基片、以及依次沉积在第二基片上的T i粘附层、金属电极层、第一N i阻挡层、P型热电材料、第二N i阻挡层和第二键合层；第一键合层和第二键合层经过加热键合后形成键合层。上述的热电微发电器件热电臂对数多，在较低温差下具有良好的发电效率。本发明还提供其制备方法。
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公开(公告)号：CN118886255A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410917469.5
申请日：2024-07-10
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G06F30/23 , G01R31/00 , G06F30/10 , G16C60/00 , G06F119/08 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供一种热电器件的测试方法，包括如下步骤：获取热电器件的结构和材料参数，根据热电器件结构和材料参数，得热电器件模型；设置热电器件模型的加热端温度为A，设定热电材料层两端温差为m，设定热电器件模型所处环境的空气对流传热系数；建立有限元网格并进行传热模拟，热电器件模型中的热电材料层两端温差达到设定值m时终止模拟，得热电器件模型各层的温度分布，提取冷却端温度B；将热电器件安装在测试结构中，控制热电器件的上下表面温度分别达到加热端温度A和冷却端温度B，稳定后测试热电器件的电学输出性能。本方法通过引入有限元模拟计算，解决了现有技术中无法对热电材料层两端的温度进行准确控制的问题。
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