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公开(公告)号：CN116960139A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210463876.4
申请日：2022-04-19
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司 , 上海精测半导体技术有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/105
摘要： 本发明提供一种图形化原位放大电子探测器，包括：第一半导体层；源区和漏区，间隔设置于第一半导体层的第一面的表层；图形沟槽，形成于第一半导体层的第一面的沟道区中；底部掺杂区，形成于第一半导体层第二面表层；介质层，设置于第一半导体层的第一面及图形沟槽表面；第二半导体层，设置于介质层上，第二半导体层的第二面与介质层相接；第一掺杂区，间隔设置于第二半导体层的第二面的表层；第二掺杂区，设置于第二半导体层的第一面的表层，第二掺杂区和第一掺杂区具有相反的导电类型。本发明将P‑i‑N型吸收区和电子信号放大的晶体管结构进行集成，实现了一种具有原位放大功能的新型电子探测器，可以大大提高电子探测器的响应速度和灵敏度。
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公开(公告)号：CN116960138A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210412752.3
申请日：2022-04-19
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司 , 上海精测半导体技术有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/105
摘要： 本发明提供一种直接型电子探测器，包括：半导体叠层结构及外围信号测量电路；半导体叠层结构由下向上依次包括：第一半导体层、第二半导体层、本征层及第三半导体层；第一半导体层为第一掺杂类型，第二半导体层及第三半导体层为第二掺杂类型；第三半导体层及本征层形成电子吸收区，第一半导体层及第二半导体层形成雪崩区；外围信号测量电路包括电阻及计数器；半导体叠层结构倒装并与外围信号测量电路焊接在一起，其中电阻与第一半导体层电连接，以实现外围信号测量电路对电信号的计数测量。通过设置雪崩区可有效实现对入射电子的雪崩倍增，提高探测灵敏度；通过减小本征层的厚度，提高探测器信号读取速度。
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公开(公告)号：CN116960137A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210412750.4
申请日：2022-04-19
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司 , 上海精测半导体技术有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , G01N23/2251 , H01L31/105
摘要： 本发明提供一种垂直型原位放大电子探测器及电子探测装置，电子探测器包括：第一半导体层；源区和漏区，间隔设置于第一半导体层的第一面的表层；底部掺杂区，形成于第一半导体层的第二面的表层；介质层，设置于第一半导体层的第一面上；第二半导体层，设置于介质层上，第二半导体层的第二面与介质层相接；第一掺杂区，间隔设置于第二半导体层的第二面的表层；第二掺杂区，设置于第二半导体层的第一面的表层，第二掺杂区和第一掺杂区具有相反的导电类型。本发明将P‑i‑N型吸收区和电子信号放大的晶体管结构进行集成，实现了一种具有原位放大功能的新型电子探测器，可以大大提高电子探测器的响应速度和灵敏度。
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公开(公告)号：CN116960136A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210411539.0
申请日：2022-04-19
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司 , 上海精测半导体技术有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , G01N23/2251 , H01L31/105
摘要： 本发明提供一种平面型原位放大电子探测器及电子探测装置，电子探测器包括：第一半导体层；源区和漏区，间隔设置于第一半导体层的第一面的表层；底部掺杂区，形成于第一半导体层的第二面的表层；介质层，设置于第一半导体层的第一面上；第二半导体层，设置于介质层上，第二半导体层的第二面与介质层相接；第一掺杂区和第二掺杂区，间隔设置于第二半导体层的第一面的表层，第二掺杂区和第一掺杂区具有相反的导电类型。本发明将平面P‑i‑N型吸收区和电子信号放大的晶体管结构进行集成，实现了一种具有原位放大功能的新型电子探测器，可以大大提高电子探测器的响应速度和灵敏度。
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公开(公告)号：CN116960135A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210411536.7
申请日：2022-04-19
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司 , 上海精测半导体技术有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , G01N23/2251
摘要： 本发明提供一种直接型电子探测器，包括：半导体叠层结构及外围信号测量电路；半导体叠层结构由下向上包括：半导体基底、U型截面的半导体电阻层、第一半导体层、第二半导体层、绝缘层、金属层、本征层及第三半导体层；第一半导体层形成于电阻层的凹槽中，第二半导体层形成于第一半导体层上，绝缘层形成于第二半导体层外侧，金属层形成于绝缘层外侧；电阻层及第一半导体层为第一掺杂类型，第二半导体层及第三半导体层为第二掺杂类型，第三半导体层及本征层形成电子吸收区，第一半导体层及第二半导体层形成雪崩区；外围信号测量电路包括计数器；半导体叠层结构与外围信号测量电路电连接。该结构可有效提高探测器的灵敏度及响应速度。
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公开(公告)号：CN116413853A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111663618.2
申请日：2021-12-31
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 本申请提供一种多层波导结构，该多层波导结构设置于衬底，所述多层波导结构包括：硅波导；氮化硅波导；以及III‑V族增益材料堆栈。在该多层波导结构中，硅波导、氮化硅波导和III‑V族增益材料堆栈被集成在衬底上，因此，能够同时实现坚固的封装和低损耗的光传输。
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公开(公告)号：CN116413737A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111669917.7
申请日：2021-12-31
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
摘要： 本申请提供一种激光雷达及其控制方法所述激光雷达装置包括：光发送器，其包括第一光学相控阵，所述第一光学相控阵具有发射单元，所述发射单元具有按阵列排列的多个第一天线元件，所述发射单元发出发射光；以及光接收器，其包括第二光学相控阵，所述第二光学相控阵具有接收单元，所述接收单元具有按阵列排列的多个第二天线元件，所述接收单元接收由目标物体对所述发射光进行反射形成的反射光，所述接收单元包括第一子接收单元和至少一个第二子接收单元，所述第一子接收单元对光的最大灵敏度方向与至少一个所述第二子接收单元对光的最大灵敏度方向之间所成的角度等于所述发射光的主瓣发射方向和栅瓣发射方向之间所成的角度。
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公开(公告)号：CN110669660B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201910996484.2
申请日：2019-10-19
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
IPC分类号： C12M1/36 , C12M1/40 , C12M1/34 , G01N33/487
摘要： 本发明提供一种基于运动蛋白的基因转运速度控制装置的制造方法，包括步骤：i)、形成具有多聚阴离子尾的运动蛋白；ii)、提供纳米孔装置，包括壳体、流体腔密封层、柔性基底纳米孔结构、流体腔基座；柔性基底纳米孔结构包括金属层，以缩小纳米孔尺寸至1～100nm；运动蛋白稳定于纳米孔中；运动蛋白通过金属‑硫键锚定于纳米孔中，以使待检测基因链通过纳米孔的转运速度至少慢于0.1ms每碱基对。本发明使用点击化学方法将运动蛋白锚定在纳米孔中，以使待检测基因链通过纳米孔的转运速度至少慢于0.1ms/每碱基对，再调整温度与pH可以有效地控制基因链的转运速度，可将待检测基因链通过纳米孔51的转运速度进一步降低至数十甚至数百毫秒量级，从而提高光谱检测的灵敏度。
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