公开(公告)号：CN112778924B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202011215663.7

申请日：2020-11-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  每川英利 ,  武田公平 ,  植野大树 ,  中浦宏

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J4/02 ,  C09J4/06 ,  C09J11/06 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及切割带和切割芯片接合薄膜。提供一种切割带等，所述切割带具备基材层和粘合性比该基材层高的粘合剂层，前述基材层的由差示扫描量热测定结果算出的体积结晶度为20J/cm3以上且120J/cm3以下，并且，前述基材层的厚度为80μm以上。

公开(公告)号：CN107871702B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN201710890573.X

申请日：2017-09-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明为切割/芯片接合带和半导体装置的制造方法，其目的在于提供能够精度良好地分断粘接剂层的切割/芯片接合带。本发明涉及一种切割/芯片接合带，其包括：隔膜、和包含粘接剂层和基材层的薄膜。粘接剂层位于隔膜和基材层之间。基材层的两面用与粘接剂层接触的第1主面和第2主面来定义。在薄膜的晶圆固定区域中，粘接剂层和基材层在23℃下的90度剥离力为0.02N/20mm～0.5N/20mm。在晶圆固定区域中，粘接剂层和基材层在‑15℃下的90度剥离力为0.1N/20mm以上。在晶圆固定区域中基材层的第1主面的表面自由能为32～39mN/m。

公开(公告)号：CN109111867B

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN201810654758.5

申请日：2018-06-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福井章洋 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  木村雄大

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  C09J11/04 ,  C09J11/08 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种具有保存稳定性优异、能在短时间内固化、并且固化后能进行适宜的引线接合的粘接剂层的切割芯片接合薄膜。一种切割芯片接合薄膜，其具备：具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带；和与前述切割带中的前述粘合剂层可剥离地密合的粘接剂层，前述粘接剂层含有热固化性成分、填料及固化促进剂，其在130℃加热30分钟之后利用DSC测定得到的发热量为加热前的发热量的60％以下，前述加热后的在130℃下的储能模量为20MPa以上且4000MPa以下。

公开(公告)号：CN109971376B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN201811624812.8

申请日：2018-12-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  高木尚英 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  大和道子

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/40 ,  C09J133/08 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种切割芯片接合薄膜，本发明的切割芯片接合薄膜(X)具备切割胶带(10)、粘合粘接剂层(20)和隔膜(S)。切割胶带(10)具有基材(11)和该基材上的粘合剂层(12)。粘合粘接剂层(20)以能够剥离的方式密合于切割胶带(10)的粘合剂层(12)。隔膜(S)配置在粘合粘接剂层(20)上，且能够从粘合粘接剂层(20)剥离。粘合粘接剂层(20)的隔膜侧表面的表面自由能γs1为28～40mJ/m2。隔膜(S)的粘合粘接剂层侧表面的表面自由能γs2为14～35mJ/m2。两表面自由能之差γs1‑γs2为0～19mJ/m2。

公开(公告)号：CN107434955B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201710392803.X

申请日：2017-05-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福井章洋 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  木村雄大 ,  高本尚英

IPC: C09J7/30 ,  C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  C08F8/30 ,  C09J133/00 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法，所述芯片接合薄膜能对不进行热固化的芯片接合薄膜良好地进行引线键合。一种芯片接合薄膜，其含有平均粒径为5nm～100nm的范围内的填料、热塑性树脂以及酚醛树脂，热固化前在150℃下的拉伸储能模量为大于0.3MPa且30MPa以下。

公开(公告)号：CN112778922A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011175219.7

申请日：2020-10-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中浦宏 ,  木村雄大 ,  武田公平 ,  每川英利 ,  植野大树

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及切割带和切割芯片接合薄膜。本发明所述的切割带是在基材层上层叠有粘合剂层的切割带，其在‑10℃下的拉伸储能模量为50MPa以上且250MPa以下。

公开(公告)号：CN112210305A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202010647825.8

申请日：2020-07-07

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  畠山义治 ,  吉田直子 ,  木村雄大

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供芯片接合薄膜及切割芯片接合薄膜，本发明的芯片接合薄膜的120℃下的剪切损耗模量为0.03MPa以上且0.09MPa以下。

公开(公告)号：CN104946147B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201510142546.5

申请日：2015-03-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  三隅贞仁 ,  村田修平 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎

IPC: C09J7/30 ,  C09J7/20 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  C09J11/04 ,  B32B7/12 ,  H01L21/683

Abstract: 芯片接合膜、切割‑芯片接合膜及层叠膜。本发明提供能够在不牺牲半导体装置的情况下非破坏地观察空隙的芯片接合膜等。一种芯片接合膜，其雾度为0％～25％。

公开(公告)号：CN110527443A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910434535.2

申请日：2019-05-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎

IPC: C09J7/24 ,  C09J133/08 ,  C09J11/04 ,  H01L21/67 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供一种切割芯片接合薄膜，其具备适合于确保扩展工序中的割断性并实现对环形框等框构件的良好的贴合性的粘合粘接剂层。本发明的切割芯片接合薄膜X具备切割带(10)和粘合粘接剂层(20)。切割带(10)具有包含基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构。粘合粘接剂层(20)与粘合剂层(12)可剥离地密合。粘合粘接剂层(20)针对宽度10mm且厚度160μm的粘合粘接剂层试样片以规定条件测定的25℃下的拉伸储能模量为5～120MPa。并且，粘合粘接剂层(20)针对宽度5mm且厚度80μm的粘合粘接剂层试样片以规定条件测定的-15℃下的拉伸储能模量为3000～6000MPa。

公开(公告)号：CN104745108B

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201410828176.6

申请日：2014-12-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  三隅贞仁 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  菅生悠树

IPC: C09J7/10 ,  C09J11/04 ,  H01L21/52

Abstract: 本发明涉及热固化前的铜离子捕捉率A与热固化后的铜离子捕捉率B之比B/A为1以上的半导体装置用树脂薄膜，以及半导体装置的制造方法。