公开(公告)号：CN111826097B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202010299869.6

申请日：2020-04-16

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 福井章洋 ,  杉村敏正 ,  大西谦司 ,  高本尚英

IPC分类号： C09J7/20 ,  C09J7/24 ,  C09J133/10 ,  H01L21/683

摘要： 提供在用于将粘接剂层割断的扩展时粘合剂层不易破裂的切割芯片接合薄膜。一种切割芯片接合薄膜，其具备：具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带、及以可剥离的方式密合于前述切割带中的前述粘合剂层的粘接剂层，前述基材的前述粘合剂层侧表面实施了表面处理，前述基材与前述粘合剂层之间的、‑15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足下述式(1)。(‑15℃下的剥离力)/(25℃下的剥离力)≥1 (1)。

公开(公告)号：CN109111867B

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN201810654758.5

申请日：2018-06-22

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 福井章洋 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  木村雄大

IPC分类号： C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  C09J11/04 ,  C09J11/08 ,  H01L21/683

摘要： 提供一种具有保存稳定性优异、能在短时间内固化、并且固化后能进行适宜的引线接合的粘接剂层的切割芯片接合薄膜。一种切割芯片接合薄膜，其具备：具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带；和与前述切割带中的前述粘合剂层可剥离地密合的粘接剂层，前述粘接剂层含有热固化性成分、填料及固化促进剂，其在130℃加热30分钟之后利用DSC测定得到的发热量为加热前的发热量的60％以下，前述加热后的在130℃下的储能模量为20MPa以上且4000MPa以下。

公开(公告)号：CN107434955B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201710392803.X

申请日：2017-05-27

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 福井章洋 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  木村雄大 ,  高本尚英

IPC分类号： C09J7/30 ,  C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  C08F8/30 ,  C09J133/00 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/78

摘要： 本发明提供芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法，所述芯片接合薄膜能对不进行热固化的芯片接合薄膜良好地进行引线键合。一种芯片接合薄膜，其含有平均粒径为5nm～100nm的范围内的填料、热塑性树脂以及酚醛树脂，热固化前在150℃下的拉伸储能模量为大于0.3MPa且30MPa以下。

公开(公告)号：CN112143405A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010558623.6

申请日：2020-06-18

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 福井章洋 ,  田中俊平 ,  田村彰规

IPC分类号： C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  H01L21/683

摘要： 本发明涉及切割带及切割芯片接合薄膜。本发明提供抑制浮起、并且拾取性优异的切割带等。本发明为切割带等，所述切割带具备：基材层、和层叠于该基材层的粘合剂层，前述粘合剂层含有具有聚合性不饱和键的紫外线固化型的聚合性聚合物，前述粘合剂层的紫外线固化的差示扫描量热测定中的每单位质量的发热量为19mJ/mg以上。

公开(公告)号：CN109111867A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201810654758.5

申请日：2018-06-22

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 福井章洋 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  木村雄大

IPC分类号： C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  C09J11/04 ,  C09J11/08 ,  H01L21/683

CPC分类号： C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J11/04 ,  C09J11/08 ,  C09J133/14 ,  C09J163/00 ,  C09J2201/122 ,  C09J2201/36 ,  C09J2423/046 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68386 ,  C08L33/04 ,  C08K3/36

摘要： 提供一种具有保存稳定性优异、能在短时间内固化、并且固化后能进行适宜的引线接合的粘接剂层的切割芯片接合薄膜。一种切割芯片接合薄膜，其具备：具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带；和与前述切割带中的前述粘合剂层可剥离地密合的粘接剂层，前述粘接剂层含有热固化性成分、填料及固化促进剂，其在130℃加热30分钟之后利用DSC测定得到的发热量为加热前的发热量的60％以下，前述加热后的在130℃下的储能模量为20MPa以上且4000MPa以下。

公开(公告)号：CN108178990A

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201711277104.7

申请日：2017-12-06

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 宍户雄一郎 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  木村雄大 ,  福井章洋

IPC分类号： C09J7/10 ,  C09J133/04 ,  C09J163/00 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  C09J4/02 ,  C09J4/06 ,  C09J5/06 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  C09J7/00 ,  C08K3/36 ,  C08L2205/03 ,  C09J4/06 ,  C09J5/06 ,  C09J133/04 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/30 ,  C09J2433/00 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  C08L63/00 ,  C08L61/06

摘要： 本发明涉及粘接薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法和半导体装置。提供一种粘接薄膜及其用途，所述粘接薄膜能够成品率良好地制造消灭了空隙且抑制了粘接薄膜的过度突出的高品质的半导体装置。一种粘接薄膜，其是用于将固定于被粘物上的第1半导体元件包埋、且将与该第1半导体元件不同的第2半导体元件固定于被粘物的粘接薄膜，其含有热塑性树脂、热固性树脂和无机填充剂，无机填充剂的含量在总固态成分中为30重量％以上且50重量％以下，热塑性树脂的含量在总固态成分中为10重量％以上且25重量％以下，热固化前的在120℃下的粘度为1300Pa·s以上且4500Pa·s以下。

公开(公告)号：CN107892882A

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201710916050.8

申请日：2017-09-30

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 福井章洋 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  木村雄大 ,  高本尚英

IPC分类号： C09J7/30 ,  C09J7/50 ,  H01L21/78 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/78 ,  C09J2203/326 ,  C09J2423/006 ,  C09J2433/00 ,  C09J2433/003 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/6836

摘要： 提供在隐形切割时能够牢固地固定半导体晶圆、且在拾取时能容易地剥离半导体芯片的切割片一体型粘接薄膜。一种切割片一体型粘接薄膜，其特征在于，具备：具有基材和粘合剂层的切割片、以及设置于粘合剂层上的粘接剂层，粘合剂层包含下述丙烯酸类聚合物A和发泡剂，粘接剂层包含热塑性树脂，热塑性树脂的含量相对于粘接剂层的树脂成分整体在40重量％～95重量％的范围内。丙烯酸类聚合物A：由以50重量％以下的范围内含有CH2＝CHCOOR1(式中，R1是碳数为6～10的烷基)所示的丙烯酸酯的单体组合物得到的丙烯酸类聚合物。

公开(公告)号：CN105103280A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201480020067.X

申请日：2014-03-27

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 盛田浩介 ,  高本尚英 ,  花园博行 ,  福井章洋

IPC分类号： H01L21/60 ,  B32B27/38 ,  B32B27/42 ,  C09J7/00 ,  C09J121/00 ,  C09J161/04 ,  C09J163/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/52

CPC分类号： C09J133/12 ,  B32B7/12 ,  B32B27/08 ,  B32B27/20 ,  B32B27/308 ,  B32B27/38 ,  B32B27/42 ,  B32B2264/10 ,  B32B2307/718 ,  B32B2405/00 ,  B32B2457/00 ,  C08G14/04 ,  C08K3/36 ,  C08L21/00 ,  C08L33/10 ,  C08L61/00 ,  C08L63/00 ,  C09J7/10 ,  C09J133/10 ,  C09J161/06 ,  C09J161/34 ,  C09J163/00 ,  C09J2201/61 ,  C09J2203/326 ,  C09J2421/00 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3142 ,  H01L24/14 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  C09J133/00 ,  C08K3/00 ,  C08L61/04

摘要： 提供一种不会损害挠性、并且可以提高玻璃化转变温度的底部填充用粘接膜。本发明涉及一种底部填充用粘接膜，其含有树脂成分，所述树脂成分包含数均分子量为600以下的环氧树脂、数均分子量超过500的酚醛树脂以及弹性体，所述树脂成分中的所述环氧树脂的含量为5～50重量％，所述酚醛树脂的含量为5～50重量％。

公开(公告)号：CN111748290B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202010218433.X

申请日：2020-03-25

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  木村雄大 ,  杉村敏正 ,  福井章洋

IPC分类号： C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J7/40 ,  C09J133/14 ,  C09J133/04 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

摘要： 提供带粘接薄膜的切割带，对在为了得到带粘接薄膜的半导体芯片而使用带粘接薄膜的切割带进行的扩展工序中使切割带(DT)上的粘接薄膜良好地割断是适合的，且对抑制割断后的带粘接薄膜的半导体芯片自DT的浮起且实现拾取工序中的良好拾取是适合的。带粘接薄膜的切割带(X)具备切割带(10)和粘接薄膜(20)。粘接薄膜(20)可剥离地密合于切割带(10)具有的粘合2剂层(12)。相对于在22℃下受到300mJ/cm的紫外线照射的试验片的粘合剂层(12)与粘接薄膜cm2的紫外线照射的试验片的粘合剂层(12)与粘接薄膜(20)之间的剥离粘合力的比率为0.8～2。(20)之间的剥离粘合力的、在60℃下受到300mJ/

公开(公告)号：CN115368841A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210534957.9

申请日：2022-05-17

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 福井章洋 ,  杉村敏正 ,  角野雅俊 ,  大西谦司 ,  木村雄大

IPC分类号： C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C08F220/18 ,  C08F220/20 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

摘要： 本发明涉及粘合带、切割芯片接合薄膜、及半导体装置的制造方法。提供下述粘合带等，其用于切割芯片接合薄膜的前述粘合剂层，所述切割芯片接合薄膜具备：粘合剂层、和重叠于该粘合剂层的芯片接合片，前述粘合带包含丙烯酸类共聚物，所述丙烯酸类共聚物在分子中至少具有烷基部分的碳数为12以上的(甲基)丙烯酸脂肪族烷基酯单元和含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元作为单体单元，前述丙烯酸类共聚物包含前述(甲基)丙烯酸脂肪族烷基酯单元10摩尔％以上且85摩尔％以下、并且包含前述含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元15摩尔％以上且35摩尔％以下。