公开(公告)号：CN105140165B

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN201510268006.1

申请日：2015-05-22

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 古谷涼士 ,  铃村浩二 ,  岩永有辉启 ,  中村祐树

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明的课题是提供一种芯片接合切割片材，其可在根据隐形切割法的半导体装置的制造中，改善扩展时粘合剂层从粘附剂层的剥离及飞散、进一步改善向半导体芯片的附着。解决上述课题的手段是，一种贴附在半导体元件搭载用支撑部件上使用的芯片接合切割片材，其具有如下构成：剥离性的第1基材、设置于所述第1基材的一侧表面之上的粘合剂层、覆盖所述粘合剂层的整个上表面并且具有不与所述粘合剂层重合的周缘部的粘附剂层、以及设置于所述粘附剂层的上表面的第2基材，所述粘合剂层的平面外形大于所述半导体元件搭载用支撑部件的平面外形，并且，所述粘合剂层的端部与所述支撑部件的端部之间的间隔为1mm以上、12mm以下。

公开(公告)号：CN104871295B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201380067782.4

申请日：2013-12-26

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 岩永有辉启 ,  铃村浩二 ,  作田竜弥

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/68 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665

Abstract: 本发明的实施方式涉及一种扩展方法，其具有以下工序：准备具有沿着分割预定线形成有改性部的半导体晶片、芯片焊接膜、及切割带的层叠体的工序(I)；在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸的工序(IIA)；将拉伸后的切割带松弛的工序(IIB)；以及在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸，将半导体晶片及芯片焊接膜沿着分割预定线分割成芯片，并扩大芯片的间隔的工序(IIC)。

公开(公告)号：CN104871295A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201380067782.4

申请日：2013-12-26

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 岩永有辉启 ,  铃村浩二 ,  作田竜弥

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/68 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665

Abstract: 本发明的实施方式涉及一种扩展方法，其具有以下工序：准备具有沿着分割预定线形成有改性部的半导体晶片、芯片焊接膜、及切割带的层叠体的工序(I)；在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸的工序(IIA)；将拉伸后的切割带松弛的工序(IIB)；以及在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸，将半导体晶片及芯片焊接膜沿着分割预定线分割成芯片，并扩大芯片的间隔的工序(IIC)。

公开(公告)号：CN110767595A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201911059805.2

申请日：2015-05-22

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 古谷涼士 ,  铃村浩二 ,  岩永有辉启 ,  中村祐树

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/78 ,  H01L21/52 ,  B23K26/00 ,  B23K26/53

Abstract: 本发明的课题是提供一种芯片接合切割片材，其可在根据隐形切割法的半导体装置的制造中，改善扩展时粘合剂层从粘附剂层的剥离及飞散、进一步改善向半导体芯片的附着。解决上述课题的手段是，一种贴附在半导体元件搭载用支撑部件上使用的芯片接合切割片材，其具有如下构成：剥离性的第1基材、设置于所述第1基材的一侧表面之上的粘合剂层、覆盖所述粘合剂层的整个上表面并且具有不与所述粘合剂层重合的周缘部的粘附剂层、以及设置于所述粘附剂层的上表面的第2基材，所述粘合剂层的平面外形大于所述半导体元件搭载用支撑部件的平面外形，并且，所述粘合剂层的端部与所述支撑部件的端部之间的间隔为1mm以上、12mm以下。

公开(公告)号：CN110678966A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880034931.X

申请日：2018-05-31

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 大久保惠介 ,  岩永有辉启 ,  山崎智阳

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/20 ,  C09J11/00 ,  C09J201/00 ,  H01L21/52

Abstract: 本发明的半导体加工用胶带依次层叠有基材层、粘合层和具有热固化性的粘接层，在130℃下进行1小时的固化处理之后，粘接层的收缩率小于2％且粘接层的热态弹性模量小于5MPa。该半导体加工用胶带可作为切割-芯片接合带进行使用，并且还可作为例如半导体装置的制造过程中的临时固定用胶带进行使用。

公开(公告)号：CN108807253A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810579807.3

申请日：2013-12-26

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 岩永有辉启 ,  铃村浩二 ,  作田竜弥

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/68 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的实施方式涉及一种扩展方法，其具有以下工序：准备具有沿着分割预定线形成有改性部的半导体晶片、芯片焊接膜、及切割带的层叠体的工序(I)；在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸的工序(IIA)；将拉伸后的切割带松弛的工序(IIB)；以及在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸，将半导体晶片及芯片焊接膜沿着分割预定线分割成芯片，并扩大芯片的间隔的工序(IIC)。

公开(公告)号：CN105140165A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510268006.1

申请日：2015-05-22

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 古谷涼士 ,  铃村浩二 ,  岩永有辉启 ,  中村祐树

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明的课题是提供一种芯片接合切割片材，其可在根据隐形切割法的半导体装置的制造中，改善扩展时粘合剂层从粘附剂层的剥离及飞散、进一步改善向半导体芯片的附着。解决上述课题的手段是，一种贴附在半导体元件搭载用支撑部件上使用的芯片接合切割片材，其具有如下构成：剥离性的第1基材、设置于所述第1基材的一侧表面之上的粘合剂层、覆盖所述粘合剂层的整个上表面并且具有不与所述粘合剂层重合的周缘部的粘附剂层、以及设置于所述粘附剂层的上表面的第2基材，所述粘合剂层的平面外形大于所述半导体元件搭载用支撑部件的平面外形，并且，所述粘合剂层的端部与所述支撑部件的端部之间的间隔为1mm以上、12mm以下。

公开(公告)号：CN205004316U

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201520339021.6

申请日：2015-05-22

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 古谷涼士 ,  铃村浩二 ,  岩永有辉启 ,  中村祐树

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/52 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68377

Abstract: 本实用新型的课题是提供一种芯片接合切割片材，其可在根据隐形切割法的半导体装置的制造中，改善扩展时粘合剂层从粘附剂层的剥离及飞散、进一步改善向半导体芯片的附着。解决上述课题的手段是，一种贴附在半导体元件搭载用支撑部件上使用的芯片接合切割片材，其具有如下构成：剥离性的第1基材、设置于所述第1基材的一侧表面之上的粘合剂层、覆盖所述粘合剂层的整个上表面并且具有不与所述粘合剂层重合的周缘部的粘附剂层、以及设置于所述粘附剂层的上表面的第2基材，所述粘合剂层的平面外形大于所述半导体元件搭载用支撑部件的平面外形，并且，所述粘合剂层的端部与所述支撑部件的端部之间的间隔为1mm以上、12mm以下。