-
公开(公告)号：CN105140165B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201510268006.1
申请日：2015-05-22
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 本发明的课题是提供一种芯片接合切割片材，其可在根据隐形切割法的半导体装置的制造中，改善扩展时粘合剂层从粘附剂层的剥离及飞散、进一步改善向半导体芯片的附着。解决上述课题的手段是，一种贴附在半导体元件搭载用支撑部件上使用的芯片接合切割片材，其具有如下构成：剥离性的第1基材、设置于所述第1基材的一侧表面之上的粘合剂层、覆盖所述粘合剂层的整个上表面并且具有不与所述粘合剂层重合的周缘部的粘附剂层、以及设置于所述粘附剂层的上表面的第2基材，所述粘合剂层的平面外形大于所述半导体元件搭载用支撑部件的平面外形，并且，所述粘合剂层的端部与所述支撑部件的端部之间的间隔为1mm以上、12mm以下。
-
公开(公告)号：CN110767595A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911059805.2
申请日：2015-05-22
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/78 , H01L21/52 , B23K26/00 , B23K26/53
Abstract: 本发明的课题是提供一种芯片接合切割片材，其可在根据隐形切割法的半导体装置的制造中，改善扩展时粘合剂层从粘附剂层的剥离及飞散、进一步改善向半导体芯片的附着。解决上述课题的手段是，一种贴附在半导体元件搭载用支撑部件上使用的芯片接合切割片材，其具有如下构成：剥离性的第1基材、设置于所述第1基材的一侧表面之上的粘合剂层、覆盖所述粘合剂层的整个上表面并且具有不与所述粘合剂层重合的周缘部的粘附剂层、以及设置于所述粘附剂层的上表面的第2基材，所述粘合剂层的平面外形大于所述半导体元件搭载用支撑部件的平面外形，并且，所述粘合剂层的端部与所述支撑部件的端部之间的间隔为1mm以上、12mm以下。
-
公开(公告)号：CN105140165A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510268006.1
申请日：2015-05-22
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 本发明的课题是提供一种芯片接合切割片材，其可在根据隐形切割法的半导体装置的制造中，改善扩展时粘合剂层从粘附剂层的剥离及飞散、进一步改善向半导体芯片的附着。解决上述课题的手段是，一种贴附在半导体元件搭载用支撑部件上使用的芯片接合切割片材，其具有如下构成：剥离性的第1基材、设置于所述第1基材的一侧表面之上的粘合剂层、覆盖所述粘合剂层的整个上表面并且具有不与所述粘合剂层重合的周缘部的粘附剂层、以及设置于所述粘附剂层的上表面的第2基材，所述粘合剂层的平面外形大于所述半导体元件搭载用支撑部件的平面外形，并且，所述粘合剂层的端部与所述支撑部件的端部之间的间隔为1mm以上、12mm以下。
-
公开(公告)号：CN205004316U
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201520339021.6
申请日：2015-05-22
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0006 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/56 , H01L21/52 , H01L21/6836 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/68377
Abstract: 本实用新型的课题是提供一种芯片接合切割片材，其可在根据隐形切割法的半导体装置的制造中，改善扩展时粘合剂层从粘附剂层的剥离及飞散、进一步改善向半导体芯片的附着。解决上述课题的手段是，一种贴附在半导体元件搭载用支撑部件上使用的芯片接合切割片材，其具有如下构成：剥离性的第1基材、设置于所述第1基材的一侧表面之上的粘合剂层、覆盖所述粘合剂层的整个上表面并且具有不与所述粘合剂层重合的周缘部的粘附剂层、以及设置于所述粘附剂层的上表面的第2基材，所述粘合剂层的平面外形大于所述半导体元件搭载用支撑部件的平面外形，并且，所述粘合剂层的端部与所述支撑部件的端部之间的间隔为1mm以上、12mm以下。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.017 seconds)
