公开(公告)号：CN105140165B

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN201510268006.1

申请日：2015-05-22

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 古谷涼士 ,  铃村浩二 ,  岩永有辉启 ,  中村祐树

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明的课题是提供一种芯片接合切割片材，其可在根据隐形切割法的半导体装置的制造中，改善扩展时粘合剂层从粘附剂层的剥离及飞散、进一步改善向半导体芯片的附着。解决上述课题的手段是，一种贴附在半导体元件搭载用支撑部件上使用的芯片接合切割片材，其具有如下构成：剥离性的第1基材、设置于所述第1基材的一侧表面之上的粘合剂层、覆盖所述粘合剂层的整个上表面并且具有不与所述粘合剂层重合的周缘部的粘附剂层、以及设置于所述粘附剂层的上表面的第2基材，所述粘合剂层的平面外形大于所述半导体元件搭载用支撑部件的平面外形，并且，所述粘合剂层的端部与所述支撑部件的端部之间的间隔为1mm以上、12mm以下。

公开(公告)号：CN111656499A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201880087615.9

申请日：2018-01-30

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 舛野大辅 ,  中村祐树 ,  桥本慎太郎 ,  菊地健太 ,  山崎智阳

IPC: H01L21/52 ,  C09J7/00 ,  C09J7/30 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明公开一种膜状粘接剂，在介由第一导线将第一半导体元件引线接合连接于基板上的同时、将第二半导体元件压接在第一半导体元件上而成的半导体装置中，所述膜状粘接剂用于在压接第二半导体元件的同时埋入至少第一导线的至少一部分，膜状粘接剂具备第一粘接膜和层叠于第一粘接膜上的第二粘接膜，膜状粘接剂的溶剂含有率以膜状粘接剂总量为基准计为1.5质量％以下，膜状粘接剂的80℃下的剪切粘度为5000Pa·s以下。

公开(公告)号：CN111630640A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201880087159.8

申请日：2018-01-30

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 菊地健太 ,  中村祐树 ,  桥本慎太郎 ,  山崎智阳 ,  舛野大辅

IPC: H01L21/50 ,  C09J7/10 ,  C09J7/30 ,  C09J7/20 ,  C09J11/04 ,  C09J163/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明为一种半导体装置的制造方法，其具备以下工序：通过第一导线将第一半导体元件电连接于基板上的第一安装工序；在面积大于第一半导体元件的第二半导体元件的单面上粘贴膜状粘接剂的层压工序；以及通过将粘贴有膜状粘接剂的第二半导体元件按照膜状粘接剂覆盖第一半导体元件的方式载置来安装膜状粘接剂，从而将第一导线及第一半导体元件埋入膜状粘接剂中的第二安装工序，膜状粘接剂在频率为79.0Hz的条件下测定的80℃下的剪切粘度为300Pa·s以下，且当将在频率为0.1Hz、1.0Hz、10.0Hz及79.0Hz的条件下测定的80℃下的剪切粘度设为Y(Pa·s)、将频率设为X(Hz)、对X与Y的关系进行幂近似处理而用Y＝aXb表示时，斜率b为-0.67以下。

公开(公告)号：CN111630642A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201880087177.6

申请日：2018-01-30

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 山崎智阳 ,  中村祐树 ,  桥本慎太郎 ,  菊地健太 ,  舛野大辅

IPC: H01L21/52 ,  H01L25/18 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  C09J7/10 ,  C09J7/30 ,  C09J133/04 ,  C09J163/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其具备以下工序：介由第一导线将第一半导体元件电连接于基板上的第一芯片接合工序；在面积大于第一半导体元件的第二半导体元件的单面上粘贴100℃下的0.1秒后的剪切应力缓和率为40～85％的膜状粘接剂的层压工序；以及通过按照膜状粘接剂覆盖第一半导体元件的方式载置粘贴有膜状粘接剂的第二半导体元件，并对膜状粘接剂进行压接，从而将第一导线及第一半导体元件埋入膜状粘接剂中的第二芯片接合工序。

公开(公告)号：CN111819672A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201880090862.4

申请日：2018-03-08

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 中村祐树 ,  大久保惠介 ,  彼谷美千子 ,  山中大辅 ,  矢羽田达也

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/50 ,  H01L21/52 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  C09J7/10 ,  C09J7/30

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法具备以下工序：介由第一导线将第一半导体元件电连接于基板上的第一引线接合工序；介由具有热固化性的粘接剂将第二半导体元件压接在上述基板上的压接工序；以及通过在加压气氛下加热上述压接工序后的粘接剂、将上述粘接剂进行固化处理的加热加压工序。通过经过加热加压工序，将上述第一导线的至少一部分及上述第一半导体元件中的至少一者埋入到固化处理后的粘接剂中。固化处理前的上述粘接剂的120℃下的熔融粘度为1000～3000Pa·s。

公开(公告)号：CN111630641A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201880087166.8

申请日：2018-01-30

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 山崎智阳 ,  中村祐树 ,  桥本慎太郎 ,  菊地健太 ,  舛野大辅

IPC: H01L21/52 ,  C09J7/10 ,  C09J7/30 ,  C09J11/00 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  H01L21/50 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其具备以下工序：介由第一导线将第一半导体元件电连接于基板上的第一芯片接合工序；在面积大于第一半导体元件的第二半导体元件的单面上粘贴150℃下的剪切弹性模量为1.5MPa以下的膜状粘接剂的层压工序；以及通过按照膜状粘接剂覆盖第一半导体元件的方式载置粘贴有膜状粘接剂的第二半导体元件，并对膜状粘接剂进行压接，从而将第一导线及第一半导体元件埋入膜状粘接剂中的第二芯片接合工序。

公开(公告)号：CN105140165A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510268006.1

申请日：2015-05-22

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 古谷涼士 ,  铃村浩二 ,  岩永有辉启 ,  中村祐树

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明的课题是提供一种芯片接合切割片材，其可在根据隐形切割法的半导体装置的制造中，改善扩展时粘合剂层从粘附剂层的剥离及飞散、进一步改善向半导体芯片的附着。解决上述课题的手段是，一种贴附在半导体元件搭载用支撑部件上使用的芯片接合切割片材，其具有如下构成：剥离性的第1基材、设置于所述第1基材的一侧表面之上的粘合剂层、覆盖所述粘合剂层的整个上表面并且具有不与所述粘合剂层重合的周缘部的粘附剂层、以及设置于所述粘附剂层的上表面的第2基材，所述粘合剂层的平面外形大于所述半导体元件搭载用支撑部件的平面外形，并且，所述粘合剂层的端部与所述支撑部件的端部之间的间隔为1mm以上、12mm以下。

公开(公告)号：CN111630640B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201880087159.8

申请日：2018-01-30

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 菊地健太 ,  中村祐树 ,  桥本慎太郎 ,  山崎智阳 ,  舛野大辅

IPC: H01L21/50 ,  C09J7/10 ,  C09J7/30 ,  C09J7/20 ,  C09J11/04 ,  C09J163/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明为一种半导体装置的制造方法，其具备以下工序：通过第一导线将第一半导体元件电连接于基板上的第一安装工序；在面积大于第一半导体元件的第二半导体元件的单面上粘贴膜状粘接剂的层压工序；以及通过将粘贴有膜状粘接剂的第二半导体元件按照膜状粘接剂覆盖第一半导体元件的方式载置来安装膜状粘接剂，从而将第一导线及第一半导体元件埋入膜状粘接剂中的第二安装工序，膜状粘接剂在频率为79.0Hz的条件下测定的80℃下的剪切粘度为300Pa·s以下，且当将在频率为0.1Hz、1.0Hz、10.0Hz及79.0Hz的条件下测定的80℃下的剪切粘度设为Y(Pa·s)、将频率设为X(Hz)、对X与Y的关系进行幂近似处理而用Y＝aXb表示时，指数b为‑0.67以下。

公开(公告)号：CN111630643A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201980009495.5

申请日：2019-01-18

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 舛野大辅 ,  中村祐树 ,  桥本慎太郎 ,  菊地健太 ,  山崎智阳

IPC: H01L21/52 ,  C09J7/35 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  C09J163/00 ,  H01L21/301 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明公开一种热固化性树脂组合物，其含有：环氧树脂；固化剂；重均分子量为20万～130万、且具有选自羧基及羟基中的至少1种官能团的第一弹性体；以及重均分子量为20万～130万、且不具有羧基及羟基的第二弹性体，第一弹性体及第二弹性体的合计含量以热固化性树脂组合物总量为基准计为40质量％以下。

公开(公告)号：CN111630126A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201880087334.3

申请日：2018-01-30

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 桥本慎太郎 ,  中村祐树 ,  山崎智阳 ,  菊地健太 ,  舛野大辅

IPC: C09J7/30 ,  C09J7/10 ,  C09J7/20 ,  C09J11/04 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  H01L21/52 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明公开一种粘接剂组合物，其含有热固化性树脂、固化剂和弹性体，热固化性树脂包含具有脂环式环的环氧树脂。另外，本发明还公开使用了这种粘接剂组合的膜状粘接剂。进而，本发明提供使用了这种膜状粘接剂的粘接片材及半导体装置的制造方法。