公开(公告)号：CN111819672A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201880090862.4

申请日：2018-03-08

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 中村祐树 ,  大久保惠介 ,  彼谷美千子 ,  山中大辅 ,  矢羽田达也

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/50 ,  H01L21/52 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  C09J7/10 ,  C09J7/30

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法具备以下工序：介由第一导线将第一半导体元件电连接于基板上的第一引线接合工序；介由具有热固化性的粘接剂将第二半导体元件压接在上述基板上的压接工序；以及通过在加压气氛下加热上述压接工序后的粘接剂、将上述粘接剂进行固化处理的加热加压工序。通过经过加热加压工序，将上述第一导线的至少一部分及上述第一半导体元件中的至少一者埋入到固化处理后的粘接剂中。固化处理前的上述粘接剂的120℃下的熔融粘度为1000～3000Pa·s。