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公开(公告)号:CN111630641A
公开(公告)日:2020-09-04
申请号:CN201880087166.8
申请日:2018-01-30
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/52 , C09J7/10 , C09J7/30 , C09J11/00 , C09J133/00 , C09J163/00 , H01L21/50 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法,其具备以下工序:介由第一导线将第一半导体元件电连接于基板上的第一芯片接合工序;在面积大于第一半导体元件的第二半导体元件的单面上粘贴150℃下的剪切弹性模量为1.5MPa以下的膜状粘接剂的层压工序;以及通过按照膜状粘接剂覆盖第一半导体元件的方式载置粘贴有膜状粘接剂的第二半导体元件,并对膜状粘接剂进行压接,从而将第一导线及第一半导体元件埋入膜状粘接剂中的第二芯片接合工序。
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公开(公告)号:CN111630642A
公开(公告)日:2020-09-04
申请号:CN201880087177.6
申请日:2018-01-30
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/52 , H01L25/18 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L25/065 , H01L25/07 , C09J7/10 , C09J7/30 , C09J133/04 , C09J163/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法,其具备以下工序:介由第一导线将第一半导体元件电连接于基板上的第一芯片接合工序;在面积大于第一半导体元件的第二半导体元件的单面上粘贴100℃下的0.1秒后的剪切应力缓和率为40~85%的膜状粘接剂的层压工序;以及通过按照膜状粘接剂覆盖第一半导体元件的方式载置粘贴有膜状粘接剂的第二半导体元件,并对膜状粘接剂进行压接,从而将第一导线及第一半导体元件埋入膜状粘接剂中的第二芯片接合工序。
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公开(公告)号:CN108291131A
公开(公告)日:2018-07-17
申请号:CN201680068878.6
申请日:2016-11-24
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: C09J201/00 , C09J4/00 , C09J9/02 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J175/14 , H01L21/60 , H05K1/14 , H05K3/32
CPC classification number: C09J4/00 , C09J9/02 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J175/14 , C09J201/00 , H05K1/14 , H05K3/32
Abstract: 一种粘接剂组合物,其含有:(a)热塑性树脂、(b)在分子内具有氨基甲酸酯键与烷氧基甲硅烷基的硅烷化合物、(c)自由基聚合性化合物、和(d)自由基聚合引发剂,作为(a)成分、(c)成分、(d)成分,或除(a)成分、(b)成分、(c)成分和(d)成分以外的成分,含有(e)具有氨基甲酸酯键的化合物,固化物的30~90℃时的平均线热膨胀系数小于或等于800ppm/K。
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公开(公告)号:CN111656499A
公开(公告)日:2020-09-11
申请号:CN201880087615.9
申请日:2018-01-30
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/52 , C09J7/00 , C09J7/30 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本发明公开一种膜状粘接剂,在介由第一导线将第一半导体元件引线接合连接于基板上的同时、将第二半导体元件压接在第一半导体元件上而成的半导体装置中,所述膜状粘接剂用于在压接第二半导体元件的同时埋入至少第一导线的至少一部分,膜状粘接剂具备第一粘接膜和层叠于第一粘接膜上的第二粘接膜,膜状粘接剂的溶剂含有率以膜状粘接剂总量为基准计为1.5质量%以下,膜状粘接剂的80℃下的剪切粘度为5000Pa·s以下。
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公开(公告)号:CN111630640A
公开(公告)日:2020-09-04
申请号:CN201880087159.8
申请日:2018-01-30
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/50 , C09J7/10 , C09J7/30 , C09J7/20 , C09J11/04 , C09J163/00 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本发明为一种半导体装置的制造方法,其具备以下工序:通过第一导线将第一半导体元件电连接于基板上的第一安装工序;在面积大于第一半导体元件的第二半导体元件的单面上粘贴膜状粘接剂的层压工序;以及通过将粘贴有膜状粘接剂的第二半导体元件按照膜状粘接剂覆盖第一半导体元件的方式载置来安装膜状粘接剂,从而将第一导线及第一半导体元件埋入膜状粘接剂中的第二安装工序,膜状粘接剂在频率为79.0Hz的条件下测定的80℃下的剪切粘度为300Pa·s以下,且当将在频率为0.1Hz、1.0Hz、10.0Hz及79.0Hz的条件下测定的80℃下的剪切粘度设为Y(Pa·s)、将频率设为X(Hz)、对X与Y的关系进行幂近似处理而用Y=aXb表示时,斜率b为-0.67以下。
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公开(公告)号:CN111630640B
公开(公告)日:2023-04-28
申请号:CN201880087159.8
申请日:2018-01-30
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/50 , C09J7/10 , C09J7/30 , C09J7/20 , C09J11/04 , C09J163/00 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本发明为一种半导体装置的制造方法,其具备以下工序:通过第一导线将第一半导体元件电连接于基板上的第一安装工序;在面积大于第一半导体元件的第二半导体元件的单面上粘贴膜状粘接剂的层压工序;以及通过将粘贴有膜状粘接剂的第二半导体元件按照膜状粘接剂覆盖第一半导体元件的方式载置来安装膜状粘接剂,从而将第一导线及第一半导体元件埋入膜状粘接剂中的第二安装工序,膜状粘接剂在频率为79.0Hz的条件下测定的80℃下的剪切粘度为300Pa·s以下,且当将在频率为0.1Hz、1.0Hz、10.0Hz及79.0Hz的条件下测定的80℃下的剪切粘度设为Y(Pa·s)、将频率设为X(Hz)、对X与Y的关系进行幂近似处理而用Y=aXb表示时,指数b为‑0.67以下。
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公开(公告)号:CN111630643A
公开(公告)日:2020-09-04
申请号:CN201980009495.5
申请日:2019-01-18
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/52 , C09J7/35 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J11/08 , C09J163/00 , H01L21/301 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本发明公开一种热固化性树脂组合物,其含有:环氧树脂;固化剂;重均分子量为20万~130万、且具有选自羧基及羟基中的至少1种官能团的第一弹性体;以及重均分子量为20万~130万、且不具有羧基及羟基的第二弹性体,第一弹性体及第二弹性体的合计含量以热固化性树脂组合物总量为基准计为40质量%以下。
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公开(公告)号:CN111630126A
公开(公告)日:2020-09-04
申请号:CN201880087334.3
申请日:2018-01-30
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: C09J7/30 , C09J7/10 , C09J7/20 , C09J11/04 , C09J133/00 , C09J163/00 , H01L21/52 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本发明公开一种粘接剂组合物,其含有热固化性树脂、固化剂和弹性体,热固化性树脂包含具有脂环式环的环氧树脂。另外,本发明还公开使用了这种粘接剂组合的膜状粘接剂。进而,本发明提供使用了这种膜状粘接剂的粘接片材及半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号:CN108291131B
公开(公告)日:2020-08-07
申请号:CN201680068878.6
申请日:2016-11-24
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: C09J201/00 , C09J4/00 , C09J9/02 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J175/14 , H01L21/60 , H05K1/14 , H05K3/32
Abstract: 一种粘接剂组合物,其含有:(a)热塑性树脂、(b)在分子内具有氨基甲酸酯键与烷氧基甲硅烷基的硅烷化合物、(c)自由基聚合性化合物、和(d)自由基聚合引发剂,作为(a)成分、(c)成分、(d)成分,或除(a)成分、(b)成分、(c)成分和(d)成分以外的成分,含有(e)具有氨基甲酸酯键的化合物,固化物的30~90℃时的平均线热膨胀系数小于或等于800ppm/K。
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