公开(公告)号：CN103377956B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310129982.X

申请日：2013-04-15

Applicant: 亚太优势微系统股份有限公司

Inventor： 殷宏林 ,  谢哲伟 ,  林立元

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49866 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76251 ,  H01L23/10 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11614 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/27614 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/32148 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48148 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/95 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种基材的接合方法，包含：首先提供一第一基材和一第二基材，其中一第一银层覆盖第一基材之表面，一第二银层覆盖第二基材之表面以及一金属层覆盖第二银层，其中金属层包含一第一锡层，接着进行一接合制程，将第一基材与第二基材对准，使得金属层和第一银层接触，并且施加负载并加热至一预定温度以生成Ag3Sn金属间化合物，最后降温并移除负载，完成接合制程。本发明的有益效果是改良接合晶圆之质量，使技术能实际应用于产品量产之上。

公开(公告)号：CN103107131B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210446109.9

申请日：2012-11-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 市原诚一 ,  中村寿雄

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/78 ,  H01L21/56 ,  H01L27/02 ,  H01L23/552 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L21/78 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/552 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/73 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开涉及半导体器件、制造半导体器件的方法以及液晶显示器。为了屏蔽从形成LCD驱动器的半导体芯片的芯片侧表面或芯片后表面入射的光，在所述半导体芯片自身的芯片侧表面和芯片后表面之上形成光屏蔽膜，而不使用作为与所述半导体芯片分开的部件的光屏蔽带。相应地，没有使用作为单独的部件的光屏蔽带，从而可以解决如下麻烦，即，光屏蔽带从玻璃衬底的表面突起，其中，该玻璃衬底被制造成具有小的厚度。由此，可以提升液晶显示器的薄化以及随后的其中安装有液晶显示器的移动电话的薄化。

公开(公告)号：CN106457383A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580026546.7

申请日：2015-04-10

Applicant: 阿尔法金属公司

Inventor： S·戈沙尔 ,  N·K·查基 ,  P·S·罗伊 ,  S·萨卡尔 ,  A·拉斯托吉

IPC: B22F1/00 ,  B22F7/04 ,  B22F9/24

CPC classification number: H01L24/29 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/0014 ,  B22F1/0074 ,  B22F1/025 ,  B22F7/04 ,  B22F2007/047 ,  B22F2301/255 ,  B22F2302/45 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/025 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3601 ,  B23K35/3613 ,  B23K35/3618 ,  B23K35/365 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/56 ,  H01B1/22 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/50 ,  H01L51/5246 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13387 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/13439 ,  H01L2224/1349 ,  H01L2224/13499 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27332 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/2064 ,  H05K3/321 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/0493 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/11436 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  B22F1/0062 ,  B22F1/0007 ,  B22F9/24

Abstract: 一种烧结粉末，其包含：具有从100nm至50μm的平均最长尺寸的第一类型的金属颗粒。

公开(公告)号：CN106409798A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610603191.X

申请日：2016-07-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S·克兰普

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L21/76832 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06505 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13123 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45157 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2924/01074 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/1601

Abstract: 根据各种实施例，一种半导体器件可以包括：在半导体器件的正面上的至少一个第一接触垫；在半导体器件的正面上的至少一个第二接触垫；至少部分被置于至少一个第一接触垫之上的层堆叠，其中至少一个第二接触垫至少部分没有层堆叠；其中层堆叠至少包括粘附层和金属化层；并且其中金属化层包括金属合金并且其中粘附层被置于金属化层与至少一个第一接触垫之间以用于将金属化层的金属合金粘附至至少一个第一接触垫。

公开(公告)号：CN103620764B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201180071547.5

申请日：2011-06-17

Applicant: IPG光子公司

Inventor： 亚历山大·奥夫契尼可夫 ,  阿列克谢·科米萨诺夫 ,  伊格尔·贝尔谢夫 ,  斯卫特兰德·图德洛夫

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L24/27 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3736 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02476 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体单元包括基台以及与基台耦合的芯片。所述基台配置有底座和以及底座和芯片之间的多个层。将这些层之一，放热导电银(“Ag”)层沉积到底座的顶部上。选择银层的厚度，使得基台的累积热膨胀系数与芯片的热膨胀系数相匹配。耦合至芯片的有源区的是由弹性可延展材料制造的应力释放层。

公开(公告)号：CN103681564B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201310347355.3

申请日：2013-08-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 哈利勒·哈希尼 ,  戈特弗里德·比尔 ,  约阿希姆·马勒 ,  伊万·尼基廷

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/27 ,  H01L23/14 ,  H01L23/49579 ,  H01L23/49883 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29309 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及电子装置和制造电子装置的方法，一种半导体装置包括导电载体和设置在所述载体上的半导体芯片。所述半导体装置还包括设置在所述载体和所述半导体芯片之间的多孔扩散焊料层。

公开(公告)号：CN103325752B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310091762.2

申请日：2013-03-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： E.菲尔古特 ,  K.霍赛尼 ,  J.马勒

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L25/16

CPC classification number: H01L23/051 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/331 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  Y10T29/49146 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83

Abstract: 本发明涉及电路封装、电子电路封装和用于包封电子电路的方法。提供了一种电路封装，该电路封装包括：电子电路；金属块，其靠近电子电路；包封材料，其介于电子电路与金属块之间；第一金属层结构，其电接触电子电路的第一侧面上的至少一个第一接触；第二金属层结构，其电接触电子电路的第二侧面上的至少一个第二接触，其中第二侧面与第一侧面相对；其中金属块借助于导电介质电接触第一金属层结构和第二金属层结构；并且其中导电介质包括与第一和第二金属层结构的材料不同的材料或者具有与第一和第二金属层结构的材料不同的材料结构。

公开(公告)号：CN106252336A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610404516.1

申请日：2016-06-08

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： E·菲尔古特 ,  J·赫格尔

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L23/31 ,  H01L21/561 ,  H01L21/566 ,  H01L21/568 ,  H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L23/142 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/492 ,  H01L23/4924 ,  H01L23/4928 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49877 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/544 ,  H01L24/06 ,  H01L24/24 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/50 ,  H01L24/66 ,  H01L24/69 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/86 ,  H01L24/89 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/868 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/73201 ,  H01L2224/73213 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73219 ,  H01L2224/73251 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/92142 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/92148 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/92248 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/1016 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10332 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15162 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/32 ,  H01L2224/69 ,  H01L2224/89 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/86 ,  H01L2224/45099 ,  H01L25/072 ,  H01L21/56 ,  H01L23/485 ,  H01L24/26

Abstract: 本发明涉及半导体装置、半导体系统以及形成半导体装置的方法。提供了一种半导体装置。该半导体装置可以包括：具有表面的导电板；多个功率半导体器件，其布置在导电板的表面上，其中，该多个功率半导体器件中的每个功率半导体器件的第一受控端均可以电耦合至导电板；多个导电块，其中，每个导电块与该多个功率半导体器件中的每个功率半导体器件的相应的第二受控端电耦合；以及封装材料，其封装该多个功率半导体器件，其中，导电板的表面的至少一个边缘区域可以未被封装材料所封装。

公开(公告)号：CN104025273B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201280054633.X

申请日：2012-10-31

Applicant: 迪睿合电子材料有限公司

Inventor： 斋藤崇之

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/742 ,  H01L21/563 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29357 ,  H01L2224/2936 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29411 ,  H01L2224/29416 ,  H01L2224/29424 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29447 ,  H01L2224/29455 ,  H01L2224/29457 ,  H01L2224/2946 ,  H01L2224/29471 ,  H01L2224/29486 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/069 ,  H01L2924/0635

Abstract: 防止电子部件的破裂。具有：载放部（5），载放与热固化性的粘接剂层（6）层叠的电子部件2、12）；加热按压头（7），对电子部件（2、12）进行加热按压；第1弹性体（8），配置于电子部件（2、12）与加热按压头（7）的按压面（7a）之间，对电子部件（2、12）的上表面进行按压；以及支撑构件9），配置于电子部件（2、12）的周围，并且支撑第1弹性体。

公开(公告)号：CN103377951B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201310137491.X

申请日：2013-04-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： E.菲尔古特 ,  K.霍赛尼 ,  J.马勒 ,  M.门格尔

IPC: H01L21/58

CPC classification number: H01L25/16 ,  H01L21/561 ,  H01L23/295 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/24 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/743 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27422 ,  H01L2224/27438 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/30505 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/4814 ,  H01L2224/48151 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82104 ,  H01L2224/82105 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83951 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法和半导体器件。在制造半导体器件的方法中，第一半导体元件被安装在载体上。b阶段可固化聚合物被沉积在载体上。第二半导体元件被附着在该聚合物上。