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公开(公告)号：CN103377951B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201310137491.X
申请日：2013-04-19
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/58
CPC分类号： H01L25/16 , H01L21/561 , H01L23/295 , H01L23/49805 , H01L23/5389 , H01L23/562 , H01L24/24 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/743 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2224/24011 , H01L2224/2402 , H01L2224/24137 , H01L2224/245 , H01L2224/27312 , H01L2224/27318 , H01L2224/2732 , H01L2224/27416 , H01L2224/27422 , H01L2224/27438 , H01L2224/2784 , H01L2224/27848 , H01L2224/29076 , H01L2224/29078 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/30505 , H01L2224/3201 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33505 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/4814 , H01L2224/48151 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/82101 , H01L2224/82104 , H01L2224/82105 , H01L2224/82106 , H01L2224/83192 , H01L2224/83801 , H01L2224/83825 , H01L2224/83856 , H01L2224/83862 , H01L2224/83951 , H01L2224/92244 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2224/82 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法和半导体器件。在制造半导体器件的方法中，第一半导体元件被安装在载体上。b阶段可固化聚合物被沉积在载体上。第二半导体元件被附着在该聚合物上。
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公开(公告)号：CN105830203A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201480069435.X
申请日：2014-08-04
申请人： 丰田自动车株式会社
发明人： 深见武志
CPC分类号： H01L24/29 , H01L23/3157 , H01L23/562 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/02165 , H01L2224/04026 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/26125 , H01L2224/29013 , H01L2224/29036 , H01L2224/29076 , H01L2224/29111 , H01L2224/32058 , H01L2224/32245 , H01L2224/83007 , H01L2224/83801 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0483 , H01L2924/07025 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/3512 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明的半导体装置(1)具备：半导体层(2)；电极层(3)，其被配置于半导体层(2)上；裂缝起点层(10)，其被配置于半导体层(2)的上侧；锡焊层(4)，其与电极层(3)以及裂缝起点层(10)接触。锡焊层(4)与裂缝起点层(10)的接合力小于锡焊层(4)与电极层(3)的接合力。
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公开(公告)号：CN102666368B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201080051452.2
申请日：2010-09-23
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： B81C3/00
CPC分类号： B81C1/00269 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/036 , H01L23/10 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/26145 , H01L2224/29011 , H01L2224/29013 , H01L2224/29076 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29117 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/30051 , H01L2224/30131 , H01L2224/30135 , H01L2224/30177 , H01L2224/30505 , H01L2224/30515 , H01L2224/32054 , H01L2224/32145 , H01L2224/32501 , H01L2224/83007 , H01L2224/83095 , H01L2224/83191 , H01L2224/83365 , H01L2224/83815 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/1461 , H01L2924/1631 , H01L2924/165 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01049 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供一种用于接合半导体衬底的微机械方法和相应的装置以及相应的接合的半导体芯片。该装置包括一个半导体衬底，它具有带有大量半导体芯片(1)的芯片图案，其分别具有功能区(4)和包围功能区(4)的边缘区(4a)，其中在与功能区(4)隔开的边缘区(4a)中设置有由至少两种合金组分组成的接合合金形成的接合框(2)。在边缘区(4a)的被接合框(2)所包围的部分(4a2)内部在接合框(2)和功能区(4)之间设置至少一个由合金组分中的至少一种形成的止流框(7；7a，7b；7b′；70)，它设置得为在接合时当接合合金的熔融物遇到止流框(7；7a，7b；7b′；70)时接合合金出现凝固。
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公开(公告)号：CN104619799A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201380048543.4
申请日：2013-09-17
申请人： 迪睿合电子材料有限公司
CPC分类号： H01L24/28 , B29C59/02 , B29C71/04 , B29C2035/0827 , B29C2059/028 , B29K2063/00 , B29L2009/003 , B29L2031/34 , B32B3/08 , B32B3/30 , B32B7/12 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/308 , B32B27/36 , B32B27/38 , B32B33/00 , B32B2255/205 , B32B2264/102 , B32B2264/104 , B32B2270/00 , B32B2307/202 , B32B2307/412 , B32B2307/706 , B32B2457/00 , B32B2457/202 , C08K3/08 , C08K2201/001 , C09J7/00 , C09J7/10 , C09J9/02 , C09J2201/36 , C09J2201/602 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , G02F1/13452 , G02F1/13454 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/13144 , H01L2224/16227 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/2711 , H01L2224/2712 , H01L2224/27334 , H01L2224/29076 , H01L2224/2908 , H01L2224/29083 , H01L2224/2919 , H01L2224/29195 , H01L2224/2929 , H01L2224/29311 , H01L2224/29316 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29357 , H01L2224/2936 , H01L2224/29371 , H01L2224/29387 , H01L2224/29388 , H01L2224/2939 , H01L2224/29391 , H01L2224/29393 , H01L2224/29394 , H01L2224/29395 , H01L2224/294 , H01L2224/29486 , H01L2224/29494 , H01L2224/29499 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/75301 , H01L2224/81488 , H01L2224/81903 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83488 , H01L2224/83851 , H01L2224/83856 , H01L2224/83862 , H01L2224/83871 , H01L2224/83874 , H01L2224/83885 , H01L2224/83907 , H01L2924/01006 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/0543 , H01L2924/0544 , H01L2924/0549 , H01L2924/07802 , H01L2924/07811 , H01L2924/351 , H01L2924/3511 , H01L2924/381 , Y10T156/1039 , Y10T428/24562 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2924/0635 , H01L2924/069 , H01L2924/07025 , H01L2924/066 , H01L2924/06 , H01L2924/00014 , H01L2924/0615
摘要： 本发明目的在于在利用各向异性导电膜的连接中，谋求降低连接后的基板翘曲。各向异性导电膜（23）包括：第1绝缘性粘接剂层（30）；第2绝缘性粘接剂层（31）；以及被第1绝缘性粘接剂层（30）及第2绝缘性粘接剂层（31）挟持并在绝缘性粘接剂（33）含有导电性粒子（32）的含导电性粒子层（34），在含导电性粒子层（34）与第1绝缘性粘接剂层（30）之间含有气泡（41），含导电性粒子层（34）中，与第2绝缘性粘接剂层（31）相接的导电性粒子（32）的下部的硬化度低于其他部位的硬化度。
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公开(公告)号：CN103681544A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310382335.X
申请日：2013-08-28
申请人： 美国博通公司
发明人： 赛义德·迈赫迪·萨艾迪 , 赵子群
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L21/56
CPC分类号： H01L23/3675 , H01L21/52 , H01L23/16 , H01L23/42 , H01L23/562 , H01L24/33 , H01L2224/16225 , H01L2224/29013 , H01L2224/29014 , H01L2224/29076 , H01L2224/32225 , H01L2224/3303 , H01L2224/33051 , H01L2224/33505 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及用于具有集成散热器的IC封装件的混合热界面材料，具体描述了包括两种或更多热界面材料（TIM）的倒装芯片封装件。芯片由焊接凸点安装到衬底。第一TIM被涂覆到芯片并具有第一热阻。第二TIM被涂覆到芯片和/或衬底，并具有大于第一热阻的第二热阻。散热器罩的开口端被安装到衬底以使得芯片被置于由散热器罩和衬底形成的外壳中。第一TIM和第二TIM各自均与散热器罩的内表面接触。环形加强件可围绕芯片并由第二TIM连接在衬底与散热器罩之间。
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公开(公告)号：CN102646610A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210031949.9
申请日：2012-02-13
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/495 , H01L23/29 , H01L21/56
CPC分类号： H01L23/49513 , H01L23/3107 , H01L23/49562 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/29 , H01L2224/29076 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29147 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/92247 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/0134 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/10329 , H01L2924/13064 , H01L2924/15738 , H01L2924/15747 , H01L2924/15763 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01046 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/3512
摘要： 本发明提供一种半导体器件、用于制造半导体器件的方法以及电源装置，所述用于制造半导体器件的方法包括：将包含具有至少一个具有金属的外表面的纤维状材料的片置于基板的半导体芯片安装区域上；在所述半导体芯片安装区域上形成包含易熔金属的接合层；将半导体芯片置于所述半导体芯片安装区域上；以及通过加热利用所述包含易熔金属的接合层将所述半导体芯片接合到所述半导体芯片安装区域。
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公开(公告)号：CN101752328A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810185205.6
申请日：2008-12-18
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L23/367 , H01L21/50
CPC分类号： H01L24/29 , H01L23/367 , H01L23/3736 , H01L23/42 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L29/0657 , H01L31/052 , H01L2224/04026 , H01L2224/05568 , H01L2224/05611 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/2745 , H01L2224/2746 , H01L2224/27472 , H01L2224/29019 , H01L2224/29076 , H01L2224/29194 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/32238 , H01L2224/83192 , H01L2224/83815 , H01L2224/8384 , Y02E10/50 , H01L2924/00014 , H01L2924/0105 , H01L2924/013
摘要： 一种芯片封装结构及其制造方法。芯片封装结构包括散热基板、芯片及异质接合导热缓冲层。芯片配置于散热基板上。异质接合导热缓冲层配置于散热基板与芯片之间。异质接合导热缓冲层包括多个垂直于散热基板配置的柱状体，且各柱状体的深宽比介于约3∶1到50∶1之间。
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公开(公告)号：CN1819163A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610002417.7
申请日：2006-01-27
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01L23/3737 , H01L24/29 , H01L2224/29011 , H01L2224/29076 , H01L2224/291 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/29499 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48464 , H01L2224/49109 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , Y10T156/10 , Y10T428/24372 , Y10T428/249924 , Y10T428/24994 , Y10T428/28 , H01L2924/00014 , H01L2924/05432 , H01L2924/049 , H01L2924/045 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本课题的目的在于得到防止粘接力的下降并在热传导性、绝缘性方面优良的绝缘片。绝缘片7用于安装了功率半导体元件1的引线框2与热沉构件6的粘接，是在以环氧树脂等的热硬化性树脂为主要成分的粘接剂成分中分散了充填材料的绝缘片，在将绝缘片7定为主要有助于引线框2与热沉构件6的粘接的区域(粘接面区域7b：在由热硬化性树脂构成的片中，从粘接面起0.1～1000μm的厚度相当于该区域)和上述粘接面区域以外的区域(内部区域7c)的情况下，通过将粘接面区域7b中的充填材料的充填率定为比内部区域7c中的充填率小以防止粘接力的下降的范围、将内部区域7c中的充填材料的充填率定为呈现优良的热传导率的范围，使粘接面区域的热传导率比内部区域的热传导率小。
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公开(公告)号：CN1800921A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510136263.6
申请日：2005-12-26
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 金东垣
CPC分类号： B32B17/04 , G02F1/133385 , G02F1/13452 , H01L23/3737 , H01L24/29 , H01L24/31 , H01L24/83 , H01L2224/29076 , H01L2224/29188 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29386 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H05K3/323 , H05K3/3494 , H05K3/361 , H05K7/20963 , H05K2203/0191 , H05K2203/0195 , Y10T442/2418 , Y10T442/3065 , Y10T442/3976 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
摘要： 本发明涉及热传导片，其包括玻璃纤维以及包围玻璃纤维的涂层。涂层包括：硅、含氟聚合物树脂、以及金属。这样，提供了具有高耐用性以及高热传导性的热传导片。
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公开(公告)号：CN1179619C
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN97191222.X
申请日：1997-09-09
申请人： NEC东金株式会社
IPC分类号： H05K9/00
CPC分类号： H05K9/0083 , H01L23/3733 , H01L23/3737 , H01L24/29 , H01L2224/29076 , H01L2224/29083 , H01L2224/291 , H01L2224/2929 , H01L2224/2936 , H01L2224/29386 , H01L2224/29499 , H01L2224/32245 , H01L2924/14 , H05K1/0203 , H05K1/0233 , Y10S428/90 , Y10S428/928 , Y10T428/31678 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/00
摘要： 在有机粘结剂中分散软磁粉末而制成的具有电磁干扰抑制效果的复合磁体中，在有机粘结剂中再分散导热性良好的粉末，提供导热性优异的复合磁体。此复合磁体可以兼用做电子仪器的散热片。而且，可以构成具有电磁干扰抑制效果的散热装置。作为有机粘结剂列举出热塑性聚酰亚胺和液晶聚合物，作为导热性良好的粉末列举出Al2O3、AlN、立方晶BN、绝缘性SiC、和导热性增强材(聚酰亚胺(カプトン))。
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