公开(公告)号：CN107785375A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710706226.7

申请日：2017-08-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东垣 ,  朴凤泰 ,  成晧准 ,  沈载煌 ,  全政勋

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/1157

CPC classification number: H01L27/1157 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823468 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11534 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/4966

Abstract: 本申请提供非易失性半导体装置及其制造方法，所述方法包括，形成第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构，其中第二栅极结构和第三栅极结构包括形成在第二栅极结构的侧壁和第三栅极结构的侧壁上的第一间隔件结构和第二间隔件结构。通过离子注入形成杂质区，并且在离子注入期间第一间隔件结构遮挡第二栅极结构和第三栅极结构。第二间隔件结构限定所得的杂质区。

公开(公告)号：CN100573240C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200510136263.6

申请日：2005-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东垣

IPC: G02F1/133 ,  G09G3/20

CPC classification number: B32B17/04 ,  G02F1/133385 ,  G02F1/13452 ,  H01L23/3737 ,  H01L24/29 ,  H01L24/31 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H05K3/323 ,  H05K3/3494 ,  H05K3/361 ,  H05K7/20963 ,  H05K2203/0191 ,  H05K2203/0195 ,  Y10T442/2418 ,  Y10T442/3065 ,  Y10T442/3976 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 本发明涉及热传导片，其包括玻璃纤维以及包围玻璃纤维的涂层。涂层包括：硅、含氟聚合物树脂、以及金属。这样，提供了具有高耐用性以及高热传导性的热传导片。

公开(公告)号：CN110391245B

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN201910322332.4

申请日：2019-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑光泳 ,  金东垣

IPC: H10B41/27 ,  H10B43/27

Abstract: 一种竖直型存储器件包括：衬底，包括第一区域以及与所述第一区域相邻的第二区域；在所述第一区域和所述第二区域上延伸的第一导电层；在所述第一区域和所述第二区域上延伸的第二导电层，所述第二导电层堆叠在所述第一导电层上。所述衬底的上表面在所述第一区域与所述第二区域之间的边界处具有台阶部分，并且所述第一区域中的所述衬底的上表面低于所述第二区域中的所述衬底的上表面。

公开(公告)号：CN1800921A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200510136263.6

申请日：2005-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东垣

IPC: G02F1/133 ,  G09G3/20

CPC classification number: B32B17/04 ,  G02F1/133385 ,  G02F1/13452 ,  H01L23/3737 ,  H01L24/29 ,  H01L24/31 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H05K3/323 ,  H05K3/3494 ,  H05K3/361 ,  H05K7/20963 ,  H05K2203/0191 ,  H05K2203/0195 ,  Y10T442/2418 ,  Y10T442/3065 ,  Y10T442/3976 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 本发明涉及热传导片，其包括玻璃纤维以及包围玻璃纤维的涂层。涂层包括：硅、含氟聚合物树脂、以及金属。这样，提供了具有高耐用性以及高热传导性的热传导片。

公开(公告)号：CN110391245A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910322332.4

申请日：2019-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑光泳 ,  金东垣

IPC: H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种竖直型存储器件包括：衬底，包括第一区域以及与所述第一区域相邻的第二区域；在所述第一区域和所述第二区域上延伸的第一导电层；在所述第一区域和所述第二区域上延伸的第二导电层，所述第二导电层堆叠在所述第一导电层上。所述衬底的上表面在所述第一区域与所述第二区域之间的边界处具有台阶部分，并且所述第一区域中的所述衬底的上表面低于所述第二区域中的所述衬底的上表面。