公开(公告)号：CN107785375A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710706226.7

申请日：2017-08-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东垣 ,  朴凤泰 ,  成晧准 ,  沈载煌 ,  全政勋

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/1157

CPC classification number: H01L27/1157 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823468 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11534 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/4966

Abstract: 本申请提供非易失性半导体装置及其制造方法，所述方法包括，形成第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构，其中第二栅极结构和第三栅极结构包括形成在第二栅极结构的侧壁和第三栅极结构的侧壁上的第一间隔件结构和第二间隔件结构。通过离子注入形成杂质区，并且在离子注入期间第一间隔件结构遮挡第二栅极结构和第三栅极结构。第二间隔件结构限定所得的杂质区。

公开(公告)号：CN115223997A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210397396.2

申请日：2022-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金承允 ,  全政勋 ,  千相勋 ,  韩智勋

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578

Abstract: 可以提供一种半导体器件和包括其的数据存储系统。该半导体器件包括：基板；在基板上的第一焊盘层和第二焊盘层；图案结构，包括在第一焊盘层上的第一开口和在第二焊盘层上的第二开口，并具有第一区域和第二区域；栅电极，在图案结构上并各自包括焊盘区；沟道结构，在第一区域中穿透栅电极；栅极接触插塞，通过每个栅电极的焊盘区电连接到栅电极并在垂直方向上延伸以穿过第一开口并且连接到第一焊盘层；源极接触插塞，在垂直方向上延伸、穿过第二开口并连接到第二焊盘层；以及源极连接图案，在图案结构下方并与源极接触插塞和第二焊盘层接触。

公开(公告)号：CN112802856A

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN202011266603.8

申请日：2020-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳孝俊 ,  孙荣晥 ,  姜书求 ,  文齐琡 ,  全政勋 ,  金森宏治 ,  韩智勋

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11573

Abstract: 一种半导体器件包括：堆叠在衬底上的栅极层、延伸穿过栅极层的沟道层、设置在沟道层上的串选择栅极层、以及延伸穿过串选择栅极层以接触沟道层的串选择沟道层。串选择沟道层包括在串选择栅极层下方且包含第一突出区域的第一部分、延伸穿过串选择栅极层的第二部分、以及在串选择栅极层上方且包含第二突出区域的第三部分。