公开(公告)号：CN108461478A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810058578.0

申请日：2018-01-22

申请人： 英特尔公司

发明人： H·刘 ,  K·S·吴

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/48 ,  H01L25/18 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/0652 ,  H01L21/52 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1451 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/5381 ,  H01L21/4846 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/832

摘要： 提供了具有多个集成电路管芯的集成电路封装。多芯片封装可以包括使用所述多芯片封装的基底中的嵌入式多管芯互连桥(EMIB)进行通信的至少两个集成电路管芯。EMIB可以接收形成在所述EMIB的背面的耦合到在其上安装所述EMIB的背面导体的接触焊盘处的功率。所述背面导体可以被分成多个区域，所述多个区域彼此电隔离并且均接收来自印刷电路板的不同电源电压信号或数据信号。这些电源电压信号和数据信号可以通过形成在所述EMIB中的内部微过孔或穿硅过孔被提供到所述两个集成电路管芯。

公开(公告)号：CN108257936A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201810003799.8

申请日：2018-01-03

申请人： 四川明泰电子科技有限公司

发明人： 李蛇宏 ,  杨益东

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07

CPC分类号： H01L23/49503 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/832 ,  H01L2224/852

摘要： 本发明公开了一种DIP16多芯片封装异形引线框架机器封装方法，包括引线框架本体，所述引线框架本体上设置有多个框架单元，所述框架单元的一侧设置有第一至第八引脚，另一侧设置有第九至第十六引脚，所述框架单元上还设置有长基岛，所述长基岛的两侧设置有第一至第四基岛；所述第一至第四基岛上粘贴有芯片；本发明通过将多个MOS管集成在同一个芯片上，其不需要再通过外部线路实现正负电信号的切换和电信号强弱的转换，在系统集成时能够有效减小集成电路板的面积，从而实现集成电路的小型化。

公开(公告)号：CN104425055B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201410452753.6

申请日：2014-09-05

申请人： 株式会社东芝

发明人： 平塚大祐 ,  井口知洋 ,  内田雅之

IPC分类号： H01B1/22 ,  C09K5/10 ,  H01L23/29

CPC分类号： B23K35/025 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/0018 ,  B22F1/0074 ,  B22F2999/00 ,  B23K35/24 ,  B23K35/262 ,  B23K35/264 ,  B23K35/282 ,  B23K35/286 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K35/3033 ,  B23K35/32 ,  B23K35/322 ,  B23K35/325 ,  B23K35/3601 ,  B23K35/362 ,  C22C1/0491 ,  C22C5/06 ,  H01L21/4867 ,  H01L23/3737 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/2744 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29313 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/2936 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/29372 ,  H01L2224/29373 ,  H01L2224/29376 ,  H01L2224/29378 ,  H01L2224/2938 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/832 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/83411 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/83469 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01102 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1067 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  B22F1/0022

摘要： 根据本发明，可提供含有极性溶剂、和分散在上述极性溶剂中且包含第一金属的粒子的金属粒子膏糊。在上述极性溶剂中，溶解有与上述第一金属不同的第二金属。本发明还提供了使用了该金属粒子膏糊的固化物及半导体装置。

公开(公告)号：CN106057789A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610519022.8

申请日：2016-07-01

申请人： 天津中环半导体股份有限公司

发明人： 朱肖令 ,  牛宝钢 ,  许建虹 ,  王宝和 ,  田维平

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/072 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/832

摘要： 本发明创造提供了一种贴片式高压硅堆及生产工艺，通过采用腐蚀、组装、清洗、钝化处理、塑封、固化、引脚成型、电镀、测试包装等工艺，实现高压硅堆的贴片式产品的生产。在客户端，实现产品的高度自动化和高速度焊接，提高了PCB板的空间利用率，提高了安装效率，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN104821300A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201410286488.9

申请日：2014-06-24

申请人： 株式会社东芝

发明人： 田村幸治

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/49513 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49531 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49551 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/35 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/3226 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/352 ,  H01L2224/37012 ,  H01L2224/37013 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/41051 ,  H01L2224/4118 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73271 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/832 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/84138 ,  H01L2224/84203 ,  H01L2224/8421 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/84815 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/27

摘要： 本发明提供厚度精度高的半导体装置及其制造方法。实施方式中，第1框架具有第1薄板部和第1厚板部。第2框架具有第2薄板部和第2厚板部。半导体芯片具有接合于第1框架的第1薄板部的第1内表面的第1电极、以及接合于第2框架的第2厚板部的第2内表面的第2电极。树脂将半导体芯片进行密封，并且使第1框架的第1外表面以及第2框架的第2外表面露出。

公开(公告)号：CN101156236B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200680011434.5

申请日：2006-03-16

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 北江孝史 ,  中谷诚一 ,  辛岛靖治 ,  山下嘉久 ,  一柳贵志

IPC分类号： H01L21/60 ,  H05K3/34

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/11001 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1141 ,  H01L2224/11502 ,  H01L2224/11522 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/165 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29291 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/29305 ,  H01L2224/29309 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29313 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/832 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2224/83886 ,  H01L2224/83887 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K3/323 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3484 ,  H05K2201/10977 ,  H05K2203/0264 ,  H05K2203/087 ,  H05K2203/1178 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/0675 ,  H01L2924/0695 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： 在第1电子元件(2)上载置含有焊料粉(5a)和树脂(4)的焊料树脂组合物(6)，第1电子元件(2)的连接端子(3)和第2电子元件(8)的电极端子(7)相对置地配置，加热第1电子元件(2)和焊料树脂组合物以使从包含在第1电子元件(2)中的气体发生源(1)喷出气体，通过使气体(9a)在焊料树脂组合物(6)中对流，从而使焊料粉(5a)在焊料树脂组合物(6)中流动，使其自己集合在连接端子(3)及电极端子(7)上，从而使连接端子(3)及电极端子(7)电连接。由此，提供一种能够将以窄节距布线的半导体芯片的电极端子和电路基板的连接端子高连接可靠性地连接的倒装片安装方法、以及用于安装在电路基板上的凸块形成方法。

公开(公告)号：CN108666226A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810527109.9

申请日：2018-05-29

申请人： 扬州乔恒电子有限公司

发明人： 顾扣宏 ,  吴行竹 ,  吴鹰

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L24/84 ,  H01L23/49524 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/832 ,  H01L2224/842

摘要： 本发明公开了一种改进型半导体整流桥生产工艺流程，属于电力电子半导体器件领域，解决了传统整流桥生产工艺易出现虚焊、空焊现象的问题。主要利用高速电动旋转台高速旋转去除晶粒、P面焊片、N面焊片在存放过程中产生的氧化层。本发明巧妙将高速电动旋转台应用于半导体技术领域，利用其高速旋转的极细高密度金属刷去除晶粒表层及焊面表层的氧化层，使得晶粒与PN面焊片接触面积高达100％，有效杜绝整流桥生产过程中产生的空焊、虚焊现象，大幅度提高产品的使用寿命本发明工艺流程操作步骤简单，实现成本低，能为企业创造可观经济、社会效益，可广泛应用于半导体器件技术领域。

公开(公告)号：CN106033736A

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201510112008.1

申请日：2015-03-13

申请人： PSK有限公司 ,  塞米吉尔公司

发明人： 张健 ,  约书亚·皮恩里斯 ,  罗仕剑

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L24/81 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/203 ,  H01L22/12 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/832 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/92143 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/56

摘要： 本发明提供一种使用邻苯二甲酸酯的装置包装设施及方法，以及一种利用该邻苯二甲酸酯的装置处理设备。该装置封装设施包括：安装单元，该安装单元在第一装置与第二装置之间提供邻苯二甲酸酯，以将该第一装置及该第二装置彼此附接；处理单元，该处理单元热处理彼此附接的该第一装置及该第二装置，以移除该邻苯二甲酸酯且将该第一装置及该第二装置彼此固定；以及转移单元，该转移单元将彼此附接的该第一装置及该第二装置自该安装单元转移至该处理单元。本发明提供的装置封装设施及方法能够通过使用邻苯二甲酸酯替代助熔剂来减小对人体、仪器及环境的影响。

公开(公告)号：CN103250236B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201180056112.3

申请日：2011-05-13

申请人： 同和电子科技有限公司

发明人： 栗田哲 ,  远藤圭一 ,  齐藤悠 ,  久枝穰 ,  上山俊彦

IPC分类号： H01L21/60 ,  B22F1/00 ,  B23K20/00 ,  H05K3/32

CPC分类号： B23K31/02 ,  B22F1/0014 ,  B22F1/0062 ,  B22F1/0096 ,  B22F2999/00 ,  B23K1/0016 ,  B23K20/00 ,  B23K35/025 ,  B23K2101/36 ,  B32B3/26 ,  B32B15/018 ,  G10L2019/0002 ,  G10L2019/0011 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/203 ,  Y10T428/12479 ,  H01L2224/832 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  B22F1/0018 ,  H01L2924/0002

摘要： 本发明提供在以氮气为代表的非活性气氛下可形成接合体、并且即使不进行高温的热处理操作也能够体现可经得住实用的接合强度的接合材料。本发明提供下述接合材料：其包含被碳原子数8以下的脂肪酸包覆的平均一次粒径为1nm以上且200nm以下的银纳米颗粒、平均粒径为0.5μm以上且10μm以下的银颗粒、具有2个以上羧基的有机物质和分散介质。

公开(公告)号：CN103827353A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201280047301.9

申请日：2012-09-21

申请人： 罗伯特·博世有限公司

发明人： M·古耶诺特 ,  A·法伊奥克 ,  M·里特纳 ,  C·弗吕 ,  T·卡利希 ,  M·京特 ,  F·韦茨尔 ,  B·霍恩贝格尔 ,  R·霍尔茨 ,  A·菲克斯

IPC分类号： C23C26/00 ,  C23C28/00 ,  H01L23/00 ,  H01L21/00 ,  H01L25/00 ,  H05K1/00 ,  H05K3/00

CPC分类号： B23K35/0238 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/0016 ,  B32B15/06 ,  B32B15/16 ,  B32B2264/105 ,  C23C26/00 ,  C23C28/021 ,  C23C28/023 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29209 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29213 ,  H01L2224/29218 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/832 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/3478 ,  H05K2203/0405 ,  H05K2203/1131 ,  Y10T428/12049 ,  Y10T428/12063 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种复合层（10）、特别是用于将作为接合副的电子构件连接的复合层，其包括至少一个承载膜（11）和被施加在所述承载膜上的层组件（12），所述层组件包括至少一个被施加在所述承载膜（11）上的、包含至少一种金属粉末的可烧结的层（13）和被施加在所述可烧结的层（13）上的焊接层（14）。此外，本发明涉及一种用于形成复合层的方法、一种包括根据本发明的复合层（10）的电路组件以及复合层（10）在用于电子构件的接合方法中的应用。