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公开(公告)号：CN118715604A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202380012751.2
申请日：2023-02-24
申请人： PSK有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/68 , H01L21/66 , H01L21/687
摘要： 本发明提供一种处理基板的装置。处理基板的装置包括：前方端部模块，具有运送基板的第一运送机器人；转移腔室，具有运送基板的第二运送机器人；以及装载锁定腔室，配置于在所述运送框架和所述转移腔室之间运送基板的运送路径上，所述装载锁定腔室包括：罩体，具有上部腔室和下部腔室，所述上部腔室具有上部空间，所述下部腔室位于所述上部腔室的下方，具有下部空间；第一旋转支撑体，支撑并旋转位于所述上部空间的基板；以及第二旋转支撑，支撑并旋转位于所述下部空间的基板，所述第一旋转支撑体和所述第二旋转支撑体可以共用于基板的对齐检查和基板的视觉检查。
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公开(公告)号：CN118202438A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202280073840.3
申请日：2022-10-28
申请人： PSK有限公司
摘要： 本发明提供一种基板处理装置。基板处理装置可包括：制程处理部，所述制程处理部提供处理基板的处理空间；以及等离子体源，所述等离子体源从制程气体产生等离子体；所述等离子体源可包括：天线，所述天线具有卷绕复数圈的线圈；以及电力接入部，所述电力接入部向所述线圈接入高频电力；在所述线圈的一端可连接有第一接地线，在所述线圈的另一端可连接有第二接地线，所述电力接入部在所述线圈的一端与所述线圈的另一端之间的位置，可连接于所述线圈以便直接向所述线圈接入高频电力。
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公开(公告)号：CN117121153A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202180096877.3
申请日：2021-12-16
申请人： PSK有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供一种用以处理基板的设备。所述用以处理基板的设备可包括：腔室，其具有处理空间；支撑单元，其在该处理空间中支撑基板；气体供应单元，其向处理空间供应工艺气体；以及等离子体产生单元，其从工艺气体产生等离子体；其中，该等离子体产生单元包括：内部线圈部；外部线圈部，该外部线圈部被形成为从上方观察时包围内部线圈部；上部电源，其向内部线圈部和外部线圈部供应电力；以及接地板，其配置于内部线圈部和外部线圈部的上方，使内部线圈部和外部线圈部接地。
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公开(公告)号：CN113013055A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202011477968.5
申请日：2020-12-15
申请人： PSK有限公司
摘要： 本发明概念的实施例提供一种基板处理装置。所述基板处理装置包括：制程处理单元，其提供执行处理所述基板的处理空间；电浆产生单元，其通过排放制程气体来产生所述电浆且将所述电浆供应至所述处理空间。所述电浆产生单元提供：电浆腔室，其具有所述电浆的产生空间；天线，其经缠绕以在所述电浆腔室的外部包围所述电浆腔室；第一涂膜，其覆盖所述电浆腔室的内部壁且包含氟化钇(YF3)。
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公开(公告)号：CN104347453B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201410354064.1
申请日：2014-07-23
发明人： 张健
CPC分类号： H01L24/742 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67207 , H01L24/03 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/7501 , H01L2224/751 , H01L2224/75101 , H01L2224/75272 , H01L2224/75744 , H01L2224/75802 , H01L2224/7598 , H01L2224/8101 , H01L2224/81011 , H01L2224/81048 , H01L2224/81815 , H01L2224/81948 , H01L2224/81986
摘要： 本发明提供半导体基板制造装置及基板处理方法，且更特定而言提供用于对半导体晶圆执行回流处理过程的方法。该基板处理装置包括：负载端口，容纳基板的载体设座于该负载端口上；基板处理模块，其包括具有处理空间的一个过程腔室或多个过程腔室，在该处理空间中执行关于该基板的回流过程；清洁单元，其清洁该基板；以及基板转移模块，其安置于该负载端口与该基板处理模块之间。该基板转移模块包括转移机器人，该转移机器人在该负载端口、该基板处理模块与该清洁单元之间转移该基板。
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公开(公告)号：CN104347462B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201410352545.9
申请日：2014-07-23
发明人： 张健
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67207
摘要： 本发明提供半导体基板制造装置及基板处理方法，且更特定而言提供用于对半导体晶圆执行回流处理过程的装置及方法。该基板处理装置包括负载端口，容纳基板的载体设座于该负载端口上；基板处理模块，其包括用于对该基板执行回流过程的一个回流处理单元或多个回流处理单元，以及基板转移模块，其安置于该负载端口与该基板处理模块之间。该基板转移模块包括转移机器人，该转移机器人在该负载端口、该基板处理模块与清洁单元之间转移该基板。
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公开(公告)号：CN104658846B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410653462.3
申请日：2014-11-17
申请人： PSK有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/3244
摘要： 本发明提供一种衬底处理装置及方法，该衬底处理装置包括第一供给单元、第二供给单元、第一源、第二源、气体分离元件等衬底。由第一气体产生的等离子体被用于处理衬底的中心区域，该第一气体由所述第一源从第一供给单元供给。由第二气体产生的等离子体用于处理衬底的边缘区域，该第二气体由所述第二源从第二供给单元供给。气体分离元件防止分别从第一和第二气体产生的等离子体混合。本发明提供的衬底处理装置和衬底处理方法，能够在使用等离子体的衬底处理工艺过程中调整等离子体的密度。
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公开(公告)号：CN104934347A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201410710702.9
申请日：2014-11-28
申请人： PSK有限公司
发明人： 金泰勋
CPC分类号： H01L21/67005 , H01J37/305 , H01L21/02076
摘要： 本发明提供基板处理装置及方法。基板处理装置具有工序处理腔室、空气排出腔室、装载互锁腔室、及排气单元等。空气排出腔室以比工序处理腔室中的减压速度更慢的速度减压来排出处理对象物内的空气，从而防止基板的扭曲(Warpage)现象。空气排出腔室一次对多个处理对象物进行空气排出处理，从而能够缩短工序时间。
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公开(公告)号：CN104900563A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201410710979.1
申请日：2014-11-28
申请人： PSK有限公司
发明人： 金泰勋
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67092 , H01L21/02 , H01L21/67011
摘要： 本发明提供基板处理装置及方法。基板处理装置包括工序腔室、支撑单元、挡板、气体供应部、电浆产生部以及阻塞构件等。支撑单元包括基座及陶瓷环。在基座的顶部形成有压纹，从而使安装用带与基座之间的空气排出顺畅以防止静电。在陶瓷环上，部分地提供借助垫片而形成之间隙及引导部，从而使安装用带与基座之间的空气排出顺畅。阻塞构件在利用电浆进行的工序期间，使框架环受覆盖而安装用带暴露，从而防止框架环的变性，去除安装用带的表面残留的接合剂。
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公开(公告)号：CN104701216A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410665105.9
申请日：2014-11-19
申请人： PSK有限公司
CPC分类号： H01L21/67 , H01J37/32431 , H01L21/02 , H01L21/677 , H01L21/687
摘要： 本发明涉及基板处理设备及基板处理方法。本发明的一个实施例的基板处理设备包括：托盘，其用于装载基板；搬入单元，其搬入装载有电浆处理前的该基板的该托盘；夹具，其用于将该托盘配置于其上部；加载埠，其用于使该夹具待机；电浆处理单元，其能够在该托盘及该夹具搬入后执行对该基板的电浆处理；搬出单元，其搬出装载有电浆处理后的该基板的该托盘。
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