公开(公告)号：CN104658846B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410653462.3

申请日：2014-11-17

申请人： PSK有限公司

发明人： 蔡熙善 ,  赵政熙 ,  李鍾植 ,  李韩生 ,  金贤峻

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01J37/32449 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244

摘要： 本发明提供一种衬底处理装置及方法，该衬底处理装置包括第一供给单元、第二供给单元、第一源、第二源、气体分离元件等衬底。由第一气体产生的等离子体被用于处理衬底的中心区域，该第一气体由所述第一源从第一供给单元供给。由第二气体产生的等离子体用于处理衬底的边缘区域，该第二气体由所述第二源从第二供给单元供给。气体分离元件防止分别从第一和第二气体产生的等离子体混合。本发明提供的衬底处理装置和衬底处理方法，能够在使用等离子体的衬底处理工艺过程中调整等离子体的密度。

公开(公告)号：CN104701216A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410665105.9

申请日：2014-11-19

申请人： PSK有限公司

发明人： 徐元范 ,  金龙植 ,  蔡熙善

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/67 ,  H01J37/32431 ,  H01L21/02 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687

摘要： 本发明涉及基板处理设备及基板处理方法。本发明的一个实施例的基板处理设备包括：托盘，其用于装载基板；搬入单元，其搬入装载有电浆处理前的该基板的该托盘；夹具，其用于将该托盘配置于其上部；加载埠，其用于使该夹具待机；电浆处理单元，其能够在该托盘及该夹具搬入后执行对该基板的电浆处理；搬出单元，其搬出装载有电浆处理后的该基板的该托盘。

公开(公告)号：CN105282953A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201410412558.0

申请日：2014-08-20

申请人： PSK有限公司

发明人： 蔡熙善 ,  赵政熙 ,  李钟植 ,  李韩生 ,  金贤峻

IPC分类号： H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32669 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32357

摘要： 本发明系关于一种使用双电浆源产生电浆之装置及一种包括该装置的基板处理装置。根据本发明之实施例的电浆产生装置包括：RF电源，其经组配来供应RF信号；电浆腔室，其经组配来提供空间，电浆在该空间中产生；第一电浆源，其安装于该电浆腔室之一部分处来产生电浆；以及第二电浆源，其安装于该电浆腔室之另一部分处来产生电浆，该第二电浆源包括：复数个绝缘回路，其沿该电浆腔室之圆周形成，其中气体通道提供于每一绝缘回路中，制程气体经由该气体通道注入且移动至该电浆腔室；以及复数个电磁场施加器，其耦合至该等绝缘回路且接收该RF信号，以将经由该气体通道移动之制程气体激发至电浆状态。

公开(公告)号：CN104125697A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410166079.5

申请日：2014-04-23

申请人： PSK有限公司

发明人： 蔡熙善 ,  赵政熙 ,  李锺植 ,  李韩生 ,  金贤峻

IPC分类号： H05H1/46 ,  H05H1/02 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32183 ,  H01J37/32 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3299

摘要： 本发明提供了一种等离子体产生装置、其控制方法及包括它的基板处理装置。该等离子体产生装置包括：RF电源，其提供RF信号；等离子体腔室，其提供气体被注入的空间以产生等离子体；第一电磁电感器，其安装在等离子体腔室的一部分，并且在施加RF信号时在等离子体腔室中感应电磁场；第二电磁电感器，其安装在等离子体腔室的另一部分，并在施加RF信号时在等离子体腔室中感应电磁场；第一负载，其连接到第一电磁电感器；第二负载，其连接到第二电磁电感器；以及控制器，其通过调整第一负载和第二负载中的至少一个的阻抗，控制供应至第一电磁电感器和第二电磁电感器的电力。

公开(公告)号：CN105282953B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201410412558.0

申请日：2014-08-20

申请人： PSK有限公司

发明人： 蔡熙善 ,  赵政熙 ,  李钟植 ,  李韩生 ,  金贤峻

IPC分类号： H05H1/46

摘要： 本发明系关于一种使用双电浆源产生电浆之装置及一种包括该装置的基板处理装置。根据本发明之实施例的电浆产生装置包括：RF电源，其经组配来供应RF信号；电浆腔室，其经组配来提供空间，电浆在该空间中产生；第一电浆源，其安装于该电浆腔室之一部分处来产生电浆；以及第二电浆源，其安装于该电浆腔室之另一部分处来产生电浆，该第二电浆源包括：复数个绝缘回路，其沿该电浆腔室之圆周形成，其中气体通道提供于每一绝缘回路中，制程气体经由该气体通道注入且移动至该电浆腔室；以及复数个电磁场施加器，其耦合至该等绝缘回路且接收该RF信号，以将经由该气体通道移动之制程气体激发至电浆状态。

公开(公告)号：CN103311158B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310077871.9

申请日：2013-03-12

申请人： PSK有限公司

发明人： 蔡熙善 ,  李晟旭

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 一种基板处理设备，包括：一内部腔室，其中形成有一第一空间；一第一外部腔室，其围绕该内部腔室且形成与该第一空间分离的一第二空间；一基座，其安置于该第一空间中且用来支撑一基板；一第一排气管路，其连接至该内部腔室且将该第一空间中的气体排放至外部；一制程气体供应构件，其用来向该第一空间供应用以处理该基板的制程气体；以及一监测模块，其安置于该第二空间中且用来监测该第一空间的状态。

公开(公告)号：CN103311158A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310077871.9

申请日：2013-03-12

申请人： PSK有限公司

发明人： 蔡熙善 ,  李晟旭

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 一种基板处理设备，包括：一内部腔室，其中形成有一第一空间；一第一外部腔室，其围绕该内部腔室且形成与该第一空间分离的一第二空间；一基座，其安置于该第一空间中且用来支撑一基板；一第一排气管路，其连接至该内部腔室且将该第一空间中的气体排放至外部；一制程气体供应构件，其用来向该第一空间供应用以处理该基板的制程气体；以及一监测模块，其安置于该第二空间中且用来监测该第一空间的状态。

公开(公告)号：CN104125697B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201410166079.5

申请日：2014-04-23

申请人： PSK有限公司

发明人： 蔡熙善 ,  赵政熙 ,  李锺植 ,  李韩生 ,  金贤峻

IPC分类号： H05H1/46 ,  H05H1/02 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32183 ,  H01J37/32 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3299

摘要： 本发明提供了一种等离子体产生装置、其控制方法及包括它的基板处理装置。该等离子体产生装置包括：RF电源，其提供RF信号；等离子体腔室，其提供气体被注入的空间以产生等离子体；第一电磁电感器，其安装在等离子体腔室的一部分，并且在施加RF信号时在等离子体腔室中感应电磁场；第二电磁电感器，其安装在等离子体腔室的另一部分，并在施加RF信号时在等离子体腔室中感应电磁场；第一负载，其连接到第一电磁电感器；第二负载，其连接到第二电磁电感器；以及控制器，其通过调整第一负载和第二负载中的至少一个的阻抗，控制供应至第一电磁电感器和第二电磁电感器的电力。

公开(公告)号：CN104658846A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410653462.3

申请日：2014-11-17

申请人： PSK有限公司

发明人： 蔡熙善 ,  赵政熙 ,  李鍾植 ,  李韩生 ,  金贤峻

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01J37/32449 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244

摘要： 本发明提供一种衬底处理装置及方法，该衬底处理装置包括第一供给单元、第二供给单元、第一源、第二源、气体分离元件等衬底。由第一气体产生的等离子体被用于处理衬底的中心区域，该第一气体由所述第一源从第一供给单元供给。由第二气体产生的等离子体用于处理衬底的边缘区域，该第二气体由所述第二源从第二供给单元供给。气体分离元件防止分别从第一和第二气体产生的等离子体混合。本发明提供的衬底处理装置和衬底处理方法，能够在使用等离子体的衬底处理工艺过程中调整等离子体的密度。