发明授权
CN104125697B 等离子体产生装置、其控制方法及包括它的基板处理装置
失效 - 权利终止
- 专利标题: 等离子体产生装置、其控制方法及包括它的基板处理装置
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申请号: CN201410166079.5申请日: 2014-04-23
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公开(公告)号: CN104125697B公开(公告)日: 2017-01-18
- 发明人: 蔡熙善 , 赵政熙 , 李锺植 , 李韩生 , 金贤峻
- 申请人: PSK有限公司
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: PSK有限公司
- 当前专利权人: PSK有限公司
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 唐京桥; 陈炜
- 优先权: 10-2013-0046076 2013.04.25 KR
- 主分类号: H05H1/46
- IPC分类号: H05H1/46 ; H05H1/02 ; H01L21/3065
摘要:
本发明提供了一种等离子体产生装置、其控制方法及包括它的基板处理装置。该等离子体产生装置包括:RF电源,其提供RF信号;等离子体腔室,其提供气体被注入的空间以产生等离子体;第一电磁电感器,其安装在等离子体腔室的一部分,并且在施加RF信号时在等离子体腔室中感应电磁场;第二电磁电感器,其安装在等离子体腔室的另一部分,并在施加RF信号时在等离子体腔室中感应电磁场;第一负载,其连接到第一电磁电感器;第二负载,其连接到第二电磁电感器;以及控制器,其通过调整第一负载和第二负载中的至少一个的阻抗,控制供应至第一电磁电感器和第二电磁电感器的电力。
公开/授权文献
- CN104125697A 等离子体产生装置、其控制方法及包括它的基板处理装置 公开/授权日:2014-10-29
IPC分类: