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公开(公告)号：CN118202438A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202280073840.3
申请日：2022-10-28
申请人： PSK有限公司
摘要： 本发明提供一种基板处理装置。基板处理装置可包括：制程处理部，所述制程处理部提供处理基板的处理空间；以及等离子体源，所述等离子体源从制程气体产生等离子体；所述等离子体源可包括：天线，所述天线具有卷绕复数圈的线圈；以及电力接入部，所述电力接入部向所述线圈接入高频电力；在所述线圈的一端可连接有第一接地线，在所述线圈的另一端可连接有第二接地线，所述电力接入部在所述线圈的一端与所述线圈的另一端之间的位置，可连接于所述线圈以便直接向所述线圈接入高频电力。
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公开(公告)号：CN113013055A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202011477968.5
申请日：2020-12-15
申请人： PSK有限公司
摘要： 本发明概念的实施例提供一种基板处理装置。所述基板处理装置包括：制程处理单元，其提供执行处理所述基板的处理空间；电浆产生单元，其通过排放制程气体来产生所述电浆且将所述电浆供应至所述处理空间。所述电浆产生单元提供：电浆腔室，其具有所述电浆的产生空间；天线，其经缠绕以在所述电浆腔室的外部包围所述电浆腔室；第一涂膜，其覆盖所述电浆腔室的内部壁且包含氟化钇(YF3)。
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公开(公告)号：CN118661241A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202280086488.7
申请日：2022-11-30
申请人： PSK有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供一种用于处理基板的装置，处理基板的装置可以包括：工艺处理部，所述工艺处理部提供处理所述基板的处理空间；以及等离子体发生部，所述等离子体发生部配置于所述工艺处理部的上部，从工艺气体产生等离子体；其中，所述等离子体发生部可以包括：等离子体腔室，所述等离子体腔室在内部形成有放电空间；屏蔽单元，所述屏蔽单元包围所述等离子体腔室的外部；天线，所述天线在所述屏蔽单元的外侧包围所述屏蔽单元并被施加高频电力；以及连接单元，所述连接单元将所述屏蔽单元和所述天线电连接。
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公开(公告)号：CN113013055B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202011477968.5
申请日：2020-12-15
申请人： PSK有限公司
摘要： 本发明概念的实施例提供一种基板处理装置。所述基板处理装置包括：制程处理单元，其提供执行处理所述基板的处理空间；电浆产生单元，其通过使制程气体放电来产生所述电浆且将所述电浆供应至所述处理空间。所述电浆产生单元提供：电浆腔室，其具有所述电浆的产生空间；天线，其经缠绕以在所述电浆腔室的外部包围所述电浆腔室；第一涂膜，其覆盖所述电浆腔室的内部壁且包含氟化钇(YF3)。
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公开(公告)号：CN116417325A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202210618736.X
申请日：2022-06-01
申请人： PSK有限公司
摘要： 本发明提供一种电浆产生单元及以该电浆产生单元处理基板的设备。基板处理设备包含提供用于处理基板的处理空间的制程处理单元；及提供于前述制程处理单元上方且由制程气体产生电浆的电浆产生单元，且其中，前述电浆产生单元包含具有形成于其中的放电空间的电浆腔室；围绕前述电浆腔室的外侧且使高频电流从其间流过的天线；以及围绕前述天线的外侧的包覆构件，且其中，前述包覆构件是接地的。
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