公开(公告)号：CN105023916A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510193296.8

申请日：2015-04-22

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 刘建宏 ,  温英男

IPC分类号： H01L25/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/16 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/19 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45101 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含半导体晶片、第一晶片、第一连接部、模塑层、重布局金属层以及封装层。半导体晶片具有至少一第一导电垫以及至少一第二导电垫设置于半导体晶片的上表面。第一晶片配置于上表面上，第一晶片具有至少第一晶片导电垫。第一连接部直接电性连接第一晶片导电垫与第一导电垫。模塑层覆盖上表面、第一晶片以及第一连接部，模塑层具有开口暴露出该第二导电垫。重布局金属层设置于开口内与第二导电垫电性连接，且重布局金属层延伸至模塑层上。封装层覆盖重布局金属层以及模塑层。本发明不仅于同一封装体内整合多个晶片，还可简化重布局金属层的图案布局。

公开(公告)号：CN103370783A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201180067645.1

申请日：2011-12-14

申请人： 德塞拉股份有限公司

发明人： 瓦格·奥甘赛安 ,  贝勒卡西姆·哈巴 ,  伊利亚斯·默罕默德 ,  皮尤什·萨瓦利亚 ,  克雷格·米切尔

IPC分类号： H01L21/98 ,  H01L23/00 ,  H01L25/065 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L29/06 ,  B81C1/00 ,  H01L23/13

CPC分类号： H01L23/562 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00357 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L23/13 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83345 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1027 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/1037 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

摘要： 使第一微电子元件与第二微电子元件结合的方法包括，使其内包含有源电路元件(108)的第一基板(100)与第二基板(112)挤压在一起，可流动介电材料(102)设置在各基板的相面对表面之间，第一基板(100)和第二基板(112)中每个都具有小于每摄氏度百万分之十的热膨胀系数，相面对表面中至少一个具有从此表面的边缘延伸的复数个通道(118A-118F)，使得相面对表面所限定的平面之间的介电材料(102)基本上无空穴且具有超过1微米的厚度，且至少一些介电材料(102)流入至少一些通道内。

公开(公告)号：CN100444371C

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200580029989.8

申请日：2005-09-13

申请人： 国际整流器公司

发明人： M·施坦丁 ,  R·J·克拉克

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/34 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L24/33 ,  H01L23/296 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/4232 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29611 ,  H01L2224/29644 ,  H01L2224/2969 ,  H01L2224/81054 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81224 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/30101 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29075 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： 一种功率半导体封装，包括：具有至少两个功率电极的半导体晶片，以及电气地并且机械地连接到各个功率电极的导电夹。

公开(公告)号：CN104701308B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201410742258.9

申请日：2014-12-05

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： K·霍塞尼 ,  J·马勒 ,  R·奥特雷姆巴 ,  J·赫格劳尔 ,  J·施雷德尔 ,  X·施勒格尔 ,  K·希斯

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明涉及电子器件。该电子器件包括在单个壳体中的多个半导体芯片。这样的半导体芯片可以包括不同的半导体材料，例如它们可以包括GaN。使用键合夹片而不是键合线是将这样的半导体芯片连接到衬底的高效方式。

公开(公告)号：CN107799485A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710789958.7

申请日：2017-09-05

申请人： 德州仪器公司

发明人： S·幕克吉 ,  R·塞尔瓦拉杰 ,  V·戈皮纳坦

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/76805 ,  H01L23/18 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L23/66 ,  H01L28/10 ,  H01L29/0619 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/3512 ,  H01L23/3157 ,  H01L21/56

摘要： 本发明涉及用于刻划密封结构的方法及设备。实例性集成电路裸片(图8，801)包含：多个下部层级导体层、位于所述多个下部层级导体层之间的多个下部层级绝缘体层、垂直延伸穿过所述下部层级绝缘体层的多个下部层级导通孔、上覆于所述下部层级导体层上的多个上部层级导体层、位于所述上部层级导体层之间且环绕所述上部层级导体层的多个上部层级绝缘体层、多个上部层级导通孔；至少两个刻划密封(805、807)，其经布置以形成从半导体衬底垂直延伸到在所述集成电路裸片的上表面处的钝化层的垂直阻挡层；及至少一个开口(809)，其垂直延伸穿过所述至少两个刻划密封中的一者且延伸穿过：所述上部层级导体层、所述上部层级导通孔层、所述下部层级导体层及所述下部层级导通孔层。

公开(公告)号：CN106252336A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610404516.1

申请日：2016-06-08

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： E·菲尔古特 ,  J·赫格尔

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/561 ,  H01L21/566 ,  H01L21/568 ,  H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L23/142 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/492 ,  H01L23/4924 ,  H01L23/4928 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49877 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/544 ,  H01L24/06 ,  H01L24/24 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/50 ,  H01L24/66 ,  H01L24/69 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/86 ,  H01L24/89 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/868 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/73201 ,  H01L2224/73213 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73219 ,  H01L2224/73251 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/92142 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/92148 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/92248 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/1016 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10332 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15162 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/32 ,  H01L2224/69 ,  H01L2224/89 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/86 ,  H01L2224/45099 ,  H01L25/072 ,  H01L21/56 ,  H01L23/485 ,  H01L24/26

摘要： 本发明涉及半导体装置、半导体系统以及形成半导体装置的方法。提供了一种半导体装置。该半导体装置可以包括：具有表面的导电板；多个功率半导体器件，其布置在导电板的表面上，其中，该多个功率半导体器件中的每个功率半导体器件的第一受控端均可以电耦合至导电板；多个导电块，其中，每个导电块与该多个功率半导体器件中的每个功率半导体器件的相应的第二受控端电耦合；以及封装材料，其封装该多个功率半导体器件，其中，导电板的表面的至少一个边缘区域可以未被封装材料所封装。

公开(公告)号：CN104701308A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410742258.9

申请日：2014-12-05

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： K·霍塞尼 ,  J·马勒 ,  R·奥特雷姆巴 ,  J·赫格劳尔 ,  J·施雷德尔 ,  X·施勒格尔 ,  K·希斯

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明涉及电子器件。该电子器件包括在单个壳体中的多个半导体芯片。这样的半导体芯片可以包括不同的半导体材料，例如它们可以包括GaN。使用键合夹片而不是键合线是将这样的半导体芯片连接到衬底的高效方式。

公开(公告)号：CN102714219B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201080056241.8

申请日：2010-12-08

申请人： 特兰斯夫公司

发明人： 储荣明 ,  乌梅什·米什拉 ,  拉柯许·K·拉尔

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06183 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00

摘要： 描述了一种III族氮化物器件，其包括III-氮化物层的堆叠、钝化层和导电接触。该堆叠包括具有2DEG沟道的沟道层、势垒层以及间隔层。一个钝化层在与沟道层相反的一侧上直接接触间隔层的表面并且是电绝缘体。III-氮化物层的堆叠和第一钝化层形成具有邻近第一钝化层的反侧和邻近势垒层的正侧的结构。另一钝化层位于该结构的正侧上。可以部分或整体地移除在形成工艺期间形成缓冲层的有缺陷的成核和应力管理层。

公开(公告)号：CN103988300A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201180075749.7

申请日：2011-12-22

申请人： 英特尔公司

发明人： D.马利克 ,  R.L.桑克曼

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/82 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/14335 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/11

摘要： 描述了具有穿模的第一级互连的3D集成电路封装件以及形成这样的封装件的方法。例如，半导体封装件包含衬底。底部半导体管芯具有活动侧，该活动侧具有表面区域。底部半导体管芯利用远离衬底的活动侧而耦合到衬底。顶部半导体管芯具有活动侧，该活动侧具有大于底部半导体管芯的表面区域的表面区域。顶部半导体管芯利用接近衬底的活动侧而耦合到衬底。底部半导体管芯的活动侧面对并且传导地耦合到顶部半导体管芯的活动侧。顶部半导体管芯通过绕过底部半导体管芯的第一级互连而传导地耦合到衬底。

公开(公告)号：CN103299419A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201180064944.X

申请日：2011-11-14

申请人： 德塞拉股份有限公司

发明人： 贝勒卡西姆·哈巴

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03001 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16221 ,  H01L2224/29018 ,  H01L2224/29026 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1037 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 提供了组件(100)及制造组件的方法。组件(100)可包括第一元器件(105)，第一元器件包括具有暴露表面(122)的介电区域(120)、在表面(122)上由导电元件(132)限定的导电垫(134)、及与导电垫(134)接合的导电结合材料(140)，导电元件的至少一部分在振荡路径或螺旋路径中沿表面(122)延伸，导电结合材料与介电表面(122)的位于相邻段(136,138)之间的暴露部分(137)桥接。导电垫(134)可允许第一元器件(105)与具有端子(108)的第二元器件(107)电互连，端子与垫(134)通过导电结合材料(140)而接合。导电元件(132)的路径可自身重叠或横穿，或可不自身重叠或横穿。