公开(公告)号：CN100524705C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200680008057.X

申请日：2006-04-21

申请人： 国际整流器公司

发明人： M·施坦丁

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/043 ,  H01L23/10 ,  H01L29/00 ,  H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L24/40 ,  H01L23/04 ,  H01L23/06 ,  H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L23/492 ,  H01L23/4924 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49558 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/24 ,  H01L24/34 ,  H01L24/36 ,  H01L24/37 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L25/165 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37012 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37639 ,  H01L2224/37644 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/73153 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49147 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49174 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 一种半导体封装，该封装包括导电容器、电连接并且机械连接于所述容器的内表面的功率半导体器件、以及在所述容器内部与所述功率半导体器件共同封装的IC半导体器件。

公开(公告)号：CN101346816A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200680049128.0

申请日：2006-10-24

申请人： 国际整流器公司

发明人： M·施坦丁 ,  A·N·萨吾列

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提供一种用于将多个表面安装式半导体器件封装连接到电路板的装置。每个封装包括半导体器件管芯和金属夹板，该金属夹板包括具有底部表面的平板部分和至少一个从所述平板部分的边缘延伸的外围边缘部分，所述底部表面在其底部表面上具有可焊接平面金属电极或衬垫，接触垫被形成在具有一列或多列和一行或多行的多个图案中。所述装置包括电路板触点结构，其包括一列或多列触点和一行或多行触点，行的数目与多个接触垫图案中的接触垫的行的最大数目相等，列的数目与多个接触垫图案中的接触垫的列的最大数目相等。电路板触点结构可用于多个半导体器件封装的所有多个接触垫图案。

公开(公告)号：CN100444371C

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200580029989.8

申请日：2005-09-13

申请人： 国际整流器公司

发明人： M·施坦丁 ,  R·J·克拉克

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/34 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L24/33 ,  H01L23/296 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/4232 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29611 ,  H01L2224/29644 ,  H01L2224/2969 ,  H01L2224/81054 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81224 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/30101 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29075 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： 一种功率半导体封装，包括：具有至少两个功率电极的半导体晶片，以及电气地并且机械地连接到各个功率电极的导电夹。

公开(公告)号：CN100421240C

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200380107276.X

申请日：2003-11-21

申请人： 国际整流器公司

发明人： M·施坦丁

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/492 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73255 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

摘要： 半导体装置包括具有至少两个反向主电极和一个控制电极的半导体芯片。具有基础部分和接触部分的导电引片通过一层导电材料在其基础部分与各电极相连。钝化层置于至少一个电极之上，并环绕导电材料层。引片的基础部分和接触部分通过延伸部分连接，其中延伸部分在半导体芯片的主表面间延展。

公开(公告)号：CN101288167B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200680006505.2

申请日：2006-04-20

申请人： 国际整流器公司

发明人： M·施坦丁 ,  R·J·克拉克

IPC分类号： H01L23/02

CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L23/492 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73153 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/00

摘要： 一种用于制造半导体封装的方法，包括在传导外壳的内部形成框架，所述框架不会由于液相焊锡而变湿。

公开(公告)号：CN101138083A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200680008057.X

申请日：2006-04-21

申请人： 国际整流器公司

发明人： M·施坦丁

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/043 ,  H01L23/10 ,  H01L29/00 ,  H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L24/40 ,  H01L23/04 ,  H01L23/06 ,  H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L23/492 ,  H01L23/4924 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49558 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/24 ,  H01L24/34 ,  H01L24/36 ,  H01L24/37 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L25/165 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37012 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37639 ,  H01L2224/37644 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/73153 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49147 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49174 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 一种半导体封装，该封装包括导电容器、电连接并且机械连接于所述容器的内表面的功率半导体器件、以及在所述容器内部与所述功率半导体器件共同封装的IC半导体器件。

公开(公告)号：CN1734755A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510053769.0

申请日：2005-03-11

申请人： 国际整流器公司

发明人： M·施坦丁 ,  A·索勒 ,  M·P·埃尔温 ,  D·P·琼斯 ,  M·卡罗尔 ,  I·G·瓦格斯塔夫

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/76829 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/498 ,  H01L24/05 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 一个位于半导体芯片上的含银可焊接触点具有其与一环氧钝化层的面对面边缘间隔开的外边缘，因此，在焊接之后，没有银离子存在，且不会自由迁移到所述环氧层之下而形成枝状结晶。

公开(公告)号：CN1729568A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200380107276.X

申请日：2003-11-21

申请人： 国际整流器公司

发明人： M·施坦丁

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/492 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73255 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

摘要： 半导体装置包括具有至少两个反向主电极和一个控制电极的半导体芯片。具有基础部分和接触部分的导电引片通过一层导电材料在其基础部分与各电极相连。钝化层置于至少一个电极之上，并环绕导电材料层。引片的基础部分和接触部分通过延伸部分连接，其中延伸部分在半导体芯片的主表面间延展。

公开(公告)号：CN1734755B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN200510053769.0

申请日：2005-03-11

申请人： 国际整流器公司

发明人： M·施坦丁 ,  A·索勒 ,  M·P·埃尔温 ,  D·P·琼斯 ,  M·卡罗尔 ,  I·G·瓦格斯塔夫

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/76829 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/498 ,  H01L24/05 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 一个位于半导体芯片上的含银可焊接触点具有其与一环氧钝化层的面对面边缘间隔开的外边缘，因此，在焊接之后，没有银离子存在，且不会自由迁移到所述环氧层之下而形成枝状结晶。

公开(公告)号：CN101019226B

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200580023952.4

申请日：2005-05-27

申请人： 国际整流器公司

发明人： M·施坦丁 ,  A·梭勒 ,  D·P·琼斯 ,  M·卡罗尔 ,  M·埃尔温

IPC分类号： H01L23/02 ,  H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L24/10 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/492 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/73153 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明提供了一种半导体设备，包括：半导体晶片，具有第一主要表面和相对的第二主要表面；在所述第一主要表面上的第一功率电极，具有形成在其一部分上的至少一个可焊体；在所述第一主要表面上的控制电极，具有形成在其一部分上的至少一个可焊体；以及形成在所述第一功率电极上的钝化体，包括用于使所述第一功率电极上的所述至少一个可焊体外露的开口，所述开口比该至少一个可焊体更宽，从而该至少一个可焊体通过一定间隙与所述钝化体隔开，所述间隙环绕所述第一功率电极上的所述至少一个可焊体，其中所述至少一个可焊体包括能够形成结晶的材料。