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61.

发明公开
半导体器件及其制造方法有权

公开(公告)号：CN102379036A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN200980158496.2

申请日：2009-04-30

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 松本雅弘 , 藤泽雅彦 , 大崎明彦 , 石井敦司

IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/314 , H01L23/522

CPC分类号： H01L23/49503 , H01L21/76801 , H01L21/76807 , H01L21/76811 , H01L21/76832 , H01L23/3128 , H01L23/3192 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2224/02126 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/1147 , H01L2224/13022 , H01L2224/13099 , H01L2224/16225 , H01L2224/32014 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/12041 , H01L2924/1306 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15311 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/05556 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004

摘要： 本申请发明的目的在于提供一种提高半导体器件可靠性的技术，即使在层间绝缘膜的一部分中使用介电常数低于氧化硅膜的低介电常数膜的情况下，也能够提高半导体器件可靠性。具体而言，为了实现所述目的，由中杨氏模量膜形成构成第1精细层的层间绝缘膜IL1，因此能够使一体化的高杨氏模量层(半导体基板1S与接触层间绝缘膜CIL)与构成第2精细层的层间绝缘膜(低杨氏模量膜、低介电常数膜)IL2不直接接触地分离，能够分散应力。结果能够防止由低杨氏模量膜构成的层间绝缘膜IL2的膜剥离，能够提高半导体器件的可靠性。

62.

发明公开
半导体器件和形成用于无铅凸块连接的双UBM结构的方法有权

公开(公告)号：CN102201351A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110073590.7

申请日：2011-03-25

申请人： 新科金朋有限公司 , 星科金朋(上海)有限公司

发明人： 林立人 , S·A·墨菲 , 孙伟

IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/485 , H01L23/488

CPC分类号： H01L23/49811 , H01L21/76877 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02126 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05018 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05026 , H01L2224/05111 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05558 , H01L2224/05572 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/10126 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13006 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13155 , H01L2224/94 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00 , H01L2224/05552

摘要： 本发明涉及半导体器件和形成用于无铅凸块连接的双UBM结构的方法。一种半导体器件具有包括接触焊盘的衬底。第一绝缘层形成在衬底和接触焊盘上。第一凸块下金属化（UBM）形成在第一绝缘层上并且被电连接到接触焊盘。第二绝缘层形成在第一UBM上。第二UBM在第二绝缘层被固化之后形成在第二绝缘层上。第二UBM被电连接到第一UBM。第二绝缘层在第一和第二UBM的多个部分之间并且分隔第一和第二UBM的多个部分。接触焊盘上的具有开口的光致抗蚀剂层被形成在第二UBM上。导电凸块材料被沉积在光致抗蚀剂层中的开口内。光致抗蚀剂层被除去，并且导电凸块材料被回流以形成球形凸块。

63.

发明公开
制造半导体组件和结构的方法失效

公开(公告)号：CN102034741A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010254550.8

申请日：2010-08-11

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： M·J.·塞登 , F·J.·卡尼

IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/52

CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/76885 , H01L23/3157 , H01L23/53252 , H01L23/58 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/10 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L2224/02126 , H01L2224/0345 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05027 , H01L2224/05166 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/11472 , H01L2224/11474 , H01L2224/11906 , H01L2224/11914 , H01L2224/13007 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13562 , H01L2224/13582 , H01L2224/13583 , H01L2224/13584 , H01L2224/136 , H01L2224/13611 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/13664 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

摘要： 本发明涉及制造半导体组件和结构的方法。一种半导体组件和用于制造半导体组件的方法，其包括光致抗蚀剂层的双曝光或多层光致抗蚀剂的使用。金属化结构在布置在基底上的导电材料层上形成，且光致抗蚀剂层在金属化结构上形式。光致抗蚀剂层被暴露给光并被显影以移除光致抗蚀剂层的一部分，从而形成开口。接着，光致抗蚀剂层的较大部分被暴露给光，且导电互连物在开口中形成。光致抗蚀剂层的被暴露给光的较大部分被显影，以暴露导电互连物的边缘和金属化结构的部分。保护层在导电互连物的顶部和边缘上并在金属化结构的被暴露部分上形成。

64.

发明公开
堆叠及对位多个集成电路的方法及系统有权

公开(公告)号：CN101853778A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010106642.1

申请日：2010-01-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 卿恺明

IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/77

CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/5283 , H01L24/03 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/02126 , H01L2224/0361 , H01L2224/03622 , H01L2224/0401 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2224/13 , H01L2224/13009 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13582 , H01L2224/13644 , H01L2224/13655 , H01L2224/16059 , H01L2224/16147 , H01L2224/811 , H01L2224/81139 , H01L2224/8114 , H01L2224/81815 , H01L2225/06513 , H01L2225/06555 , H01L2225/06593 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/01014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552

摘要： 一种堆叠及对位多个集成电路的方法及系统。该方法包含提供一具有至少一漏斗形插槽的第一集成电路，提供一第二集成电路，将第二集成电路至少一突出部与该至少一漏斗形插槽进行对位，以及将该第一集成电路与该第二集成电路进行结合。该系统包含具有至少一漏斗形插槽的第一集成电路，金属化扩散阻障层配置于该漏斗形插槽的内部，以及一第二集成电路，其中该至少一漏斗形插槽用以承接该第二集成电路的一突出部。由于插槽具有漏斗形状允许该上芯片或晶片及该下芯片或晶片进行主动对位，符合所需的精确度，因此降低该上及下芯片或晶片及受损的风险以及该堆叠及结合程序的所有成本。

65.

发明授权
半导体装置失效

公开(公告)号：CN100382284C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200510073789.4

申请日：2005-05-24

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 黑泽康则

IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L24/05 , H01L2224/02125 , H01L2224/02126 , H01L2224/02235 , H01L2224/0231 , H01L2224/0236 , H01L2224/0401 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05548 , H01L2224/10126 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13099 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2224/13 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099

摘要： 本发明提供一种可靠性高的半导体装置及其制造方法。半导体装置具有：半导体基板(10)，形成有电极(14)；树脂层(20)，按照避开所述电极(14)的形式形成；连接盘(32)，设在树脂层(20)上；布线(34)，将电极(14)和连接盘(32)电连接；和外部端子(40)，接合在连接盘(32)上。树脂层(20)包括：第1树脂部(22)，避开连接盘(32)对外部端子(40)的接合面(35)的中央部，并支撑端部；和第2树脂部(24)，与第1树脂部(22)相邻。第1树脂部(22)的弹性系数比第2树脂部(24)低。

66.

发明公开
半导体装置及制造方法失效

公开(公告)号：CN101091240A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200480044750.3

申请日：2004-10-29

申请人： 斯班逊有限公司 , 斯班逊日本有限公司

发明人： 铃木清市

IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/3205

CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/3171 , H01L24/03 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/02126 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01L2224/48624 , H01L2224/4943 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01061 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/05042 , H01L2924/181 , H01L2924/20753 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

摘要： 本发明的目的在于提供一种半导体装置及其制造方法，在包围接合用开口(108)的焊垫(101)各边设有缝隙状的空隙区域(107)，以空隙区域(107a)作为边界，分割为焊垫(101)的接合用开口(108)侧区域(101a)和相邻设置的配线层(102)侧区域(101b)。配线层(102)侧区域(101b)与接合用开口(108)侧区域(101a)分离达空隙区域(107a)的宽度，且因为在该部分有比金属材料更柔软材料的钝化膜(103)的一部分形成被埋入的状态，所以热应力是通过空隙区域(107a)吸收、分散，并且大幅地抑制金属原子从接合用开口(108)侧区域(101a)扩散到配线层(102)侧区域(101b)。

67.

发明授权
能够抑制电流在焊盘里集中的半导体器件及其制造方法失效转让

公开(公告)号：CN1231960C

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN02106180.7

申请日：2002-04-08

申请人： 富士通株式会社

发明人： 渡边健一

IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3205

CPC分类号： H01L24/03 , H01L21/76801 , H01L21/76802 , H01L21/76808 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/02126 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05006 , H01L2224/05073 , H01L2224/05093 , H01L2224/05095 , H01L2224/05187 , H01L2224/05546 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01038 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/01013 , H01L2224/78 , H01L2224/45099 , H01L2924/00

摘要： 在半导体衬底上形成一层间绝缘膜。在层间绝缘膜上形成一内层绝缘膜。穿过层内膜形成一凹槽。凹槽具有一个焊盘部分和一个连着焊盘部分的布线部分。焊盘部分的宽度宽于布线部分的宽度。焊盘部分留有许多凸出区域。凸出区域以这样一种方式分布，即邻近布线区的凹槽区比率高于第二框形区的凹槽区比率，邻近布线区重叠于布线地区延伸进焊盘地区的区域之上，且处在把焊盘部分的外边界线作为外边界线并具有第一宽度的第一框形区之内，而第二框形区则把第一框形区的内边界线作为外边界线并具有第二宽度。在凹槽中填充导电膜。