公开(公告)号：CN100378955C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200510075335.0

申请日：2005-06-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭景森 ,  许峰嘉 ,  萧国裕 ,  陈界璋 ,  傅士奇 ,  曾建贤 ,  蔡嘉雄 ,  刘源鸿 ,  吴志达 ,  罗际兴 ,  杜友伦

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明是关于一种适用于影像感测器的透镜结构及其制造方法。该影像感测器包括双微透镜结构，是具有一外微透镜排列于一内微透镜上方，两微透镜是排列于对应的光感测器上方。可经由硅化法形成内或外微透镜，其中光阻材料的反应性部分是与含硅药剂反应。可通过梯级蚀刻法形成内或外微透镜，梯级蚀刻法包括一系列交替的蚀刻步骤，是包括非等向性蚀刻步骤及造成图案化的光阻侧向地缩减的蚀刻步骤。可使用接续的非等向性蚀刻法来平坦化蚀刻过的梯级结构，并且形成平滑的透镜。亦可使用热安定及感光性聚合/有机材料形成永久的内或外透镜。涂覆感光材料，接着使用微影使其图案化，回流，接着熟化，以形成永久的透镜结构。

公开(公告)号：CN1828866A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610003592.8

申请日：2006-02-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘源鸿 ,  吴志达 ,  赵兰璘 ,  杜友伦 ,  林文钦 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/22 ,  H01L43/00 ,  G11C11/02

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L27/228

Abstract: 本发明提供一种存储器装置及形成存储器装置的方法，所述存储器装置，其磁性存储元件与用来写入磁性存储元件的传导存储线间具有缩短的距离。根据形成此存储器装置的方法以达成此缩短距离的目的。此方法包括于磁性存储元件上方形成罩幕层以及于此罩幕层上方形成绝缘层。接着使用平坦化制程以移除部分绝缘层。然后于罩幕层里形成一传导介电层，如使用一镶嵌制程。再于罩幕层及传导介层窗的上方形成传导存储线。

公开(公告)号：CN103456601A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201210425190.2

申请日：2012-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张俊华 ,  叶德强 ,  郑光伟 ,  刘源鸿 ,  侯上勇 ,  邱文智 ,  郑心圃

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/53295 ,  H01L28/60 ,  H01L29/02 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了设计用于诸如中介片的衬底的电容器及其制造方法。在中介片中形成通孔，并且在底层金属层和更高层金属层之间形成电容器。例如，电容器可以是具有双电容器介电层的平面电容器。

公开(公告)号：CN101231971B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200710148569.2

申请日：2007-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘铭棋 ,  傅士奇 ,  刘源鸿 ,  陈威智 ,  罗际兴

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/60 ,  H01L27/146 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L24/05 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有接合垫的互补式金属氧化物半导体影像感测器及其形成方法，上述互补式金属氧化物半导体影像感测器包括：半导体衬底，具有像素区域以及电路区域；钝化层，位于该半导体衬底上，该钝化层具有开口；以及接合垫，位于该电路区域中，其中该接合垫不延伸于该钝化层的上方。本发明可明显降低接合垫与钝化层之间的高度差，因此可消除半导体衬底上因旋转涂布导致的散射缺陷，并可降低平坦化层的厚度从而提高CMOS影像感测器的光学性能。

公开(公告)号：CN102074563A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200910178474.4

申请日：2009-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖英凯 ,  刘汉琦 ,  刘源鸿 ,  杨敦年 ,  刘人诚

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L27/14629 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H04N3/155

Abstract: 公开了一种图像感测的系统和方法。一个实施例包括具有像素区域和逻辑区域的衬底。第一抗氧化保护层(RPO)形成在像素区域的上方，但是不在逻辑区域的上方。硅化物接触件形成在像素区域中形成的有源器件的顶部上，但是不在像素区域中的衬底的表面上，并且硅化物接触件形成在有源器件的顶部上和逻辑区域中的衬底的表面上。第二RPO形成在像素区域和逻辑区域的上方，接触蚀刻阻挡层形成在第二RPO的上方。当光从衬底的背面入射到传感器时，这些层有助于将光反射回图像传感器，也有助于防止过蚀刻产生的损害。

公开(公告)号：CN102034843A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010503787.5

申请日：2010-09-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘汉琦 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  刘源鸿

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14683 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/266 ,  H01L21/76232 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463

Abstract: 本发明揭示一种半导体装置的制造方法，包括：在一基底上方形成具有一开口的一保护层；通过开口而在一基底区内注入一掺杂物，该保护层保护不同的基底区；以及缩减保护层的厚度。一不同的型态包括：蚀刻一基底，以在其内形成一凹口；通过位于基底上方的一保护层内的一开口，在凹口内的一基底区注入一掺杂物；以及缩减保护层的厚度。另一型态包括：在一基底上形成一保护层；在保护层上方形成具有一开口的光致抗蚀剂；通过开口来蚀刻保护层，以露出基底；蚀刻基底，以在基底内形成一凹口；在一基底部注入一掺杂物，而保护层保护位于其下方一不同的基底部；以及蚀刻保护层以缩减其厚度。本发明使得易于进行掺杂物的注入。

公开(公告)号：CN100590857C

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200710139912.7

申请日：2007-08-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘铭棋 ,  刘源鸿 ,  萧国裕 ,  谢元智 ,  罗际兴 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L23/48 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45166 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48505 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有接合垫的半导体装置。该半导体装置包括：一第一基板，包含一元件区域、一接合区域以及一邻接于该接合区域的划线区域，其中该第一基板具有一上表面以及一底部表面；一半导体元件，设置于该元件区域的该第一基板的上表面上；一第一金属间介电层，至少形成于该接合区域的该第一基板的上表面；一最底层的金属图案，设置于该第一金属间介电层之中，其中该最底层的金属图案作为接合垫；以及一开口，穿过该第一基板，且露出该最底层的金属图案。通过本发明，可以获得更佳的CMOS图像传感器的接合垫以及接合导线之间接合品质，例如提升两者的黏合度，借此，可防止接合导线剥落。

公开(公告)号：CN101355050A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810132082.X

申请日：2008-07-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘世昌 ,  刘源鸿 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01L21/32115 ,  H01L27/11521

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻多晶硅材料以避免形成异常多晶硅截面轮廓(profile)的方法，至少包含提供具有字符线(word line)的基板，并在基板及字符在线沉积多晶硅层；接着在多晶硅层上沉积有机底部抗反射层(Bottom Antireflective Coating，BARC)；接着执行阶梯式蚀刻以去除底部抗反射层及一部分的多晶硅层。阶梯式蚀刻包含一系列的蚀刻循环，每一循环包含蚀穿(breakthrough etch)与软性着陆蚀刻(soft landing etch)，蚀穿及软性着陆蚀刻是使用不同蚀刻气体、功率(source power)及偏压功率(bias power)、压力、气流速率及时间来执行，阶梯式蚀刻会产生平滑而不具有陡峭台阶(abrupt steps)的多晶硅表面。

公开(公告)号：CN101261955A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810081334.0

申请日：2008-02-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 白志阳 ,  江文铨 ,  喻中一 ,  杜友伦 ,  刘源鸿 ,  李祥帆 ,  王铨中

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/522 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/76849 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10888

Abstract: 本发明提供一种嵌入式动态随机存取存储器(eDRAM)装置及其接触插塞的形成方法。该形成方法包括如下步骤：形成一介电层于一半导体基底上；形成一接触孔于该介电层中，以暴露出一部分的该半导体基底；沉积一钨材料层于该介电层上以填入该接触孔，其中形成一钨缝隙于该接触孔内的钨材料层中；实施一干式蚀刻制造工艺以移除该介电层的上表面的钨材料层，且凹陷该钨材料层于该接触孔中，以于该介电层的上表面下方，形成具一深度的凹陷区，因而形成一凹陷的钨插塞于该接触孔内；沉积一导电层于该介电层和该凹陷的钨插塞上，以填入该凹陷区；及移除该介电层的上表面的该导电层，以形成一导电插塞于该接触孔内的凹陷的钨插塞上。

公开(公告)号：CN100373627C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200610001625.5

申请日：2006-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 傅士奇 ,  刘源鸿 ,  林国楹 ,  许峰嘉 ,  蔡嘉雄 ,  郭景森 ,  陈界璋

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14654

Abstract: 本发明提供一种形成在内层介电层(ILD)的导光图案层(light-directingfeature)，结合抗反射层(AR)，可同时有效增加量子效率与抗扰性，因此改善感光集成电路之光子表现的方法。其步骤包含形成多个光传感器单元在半导体基材上，接着，形成抗反射层在这些光传感器单元上，此抗反射层实质上不会使入射光产生反射，然后，形成内层介电层在此抗反射层之上，其中内层介电层包含形成在其开口的多个导光图案层，且这些导光图案层位于抗反射层上以及部分光传感器单元之上方。