公开(公告)号：CN102956439B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210015271.5

申请日：2012-01-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾国权 ,  陈昆仑 ,  王铨中 ,  涂国基 ,  李祥帆

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L28/86 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/40 ,  H01L28/90 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: MIM电容器的实施例可以被嵌入到厚的IMD层中，该厚IMD层的厚度(例如，至)足以得到高电容。该厚IMD层可以位于较薄的IMD层上面。MIM电容器可以形成在三个邻近的金属层之中，这些金属层具有两个将这三个邻近的金属层分隔开的厚的IMD层。材料(诸如，TaN或TiN)可以被用作为底部/顶部电极以及Cu阻挡物。厚IMD层上面的金属层可以作为顶部电极连接件。厚IMD层下面的金属层可以作为底部电极连接件。该电容器可以具有不同形状，诸如，圆柱形或凹形。可以使用许多种类的材料(Si3N4、ZrO2、HfO2、BTS...等)作为介电材料。在形成电路的其他无电容器逻辑件时，通过一个或两个额外的掩模形成该MIM电容器。本发明还提供了一种金属绝缘体金属电容器及制造方法。

公开(公告)号：CN102956439A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210015271.5

申请日：2012-01-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾国权 ,  陈昆仑 ,  王铨中 ,  涂国基 ,  李祥帆

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L28/86 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/40 ,  H01L28/90 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: MIM电容器的实施例可以被嵌入到厚的IMD层中，该厚IMD层的厚度(例如，至)足以得到高电容。该厚IMD层可以位于较薄的IMD层上面。MIM电容器可以形成在三个邻近的金属层之中，这些金属层具有两个将这三个邻近的金属层分隔开的厚的IMD层。材料(诸如，TaN或TiN)可以被用作为底部/顶部电极以及Cu阻挡物。厚IMD层上面的金属层可以作为顶部电极连接件。厚IMD层下面的金属层可以作为底部电极连接件。该电容器可以具有不同形状，诸如，圆柱形或凹形。可以使用许多种类的材料(Si3N4、ZrO2、HfO2、BTS...等)作为介电材料。在形成电路的其他无电容器逻辑件时，通过一个或两个额外的掩模形成该MIM电容器。本发明还提供了一种金属绝缘体金属电容器及制造方法。

公开(公告)号：CN101261955A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810081334.0

申请日：2008-02-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 白志阳 ,  江文铨 ,  喻中一 ,  杜友伦 ,  刘源鸿 ,  李祥帆 ,  王铨中

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/522 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/76849 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10888

Abstract: 本发明提供一种嵌入式动态随机存取存储器(eDRAM)装置及其接触插塞的形成方法。该形成方法包括如下步骤：形成一介电层于一半导体基底上；形成一接触孔于该介电层中，以暴露出一部分的该半导体基底；沉积一钨材料层于该介电层上以填入该接触孔，其中形成一钨缝隙于该接触孔内的钨材料层中；实施一干式蚀刻制造工艺以移除该介电层的上表面的钨材料层，且凹陷该钨材料层于该接触孔中，以于该介电层的上表面下方，形成具一深度的凹陷区，因而形成一凹陷的钨插塞于该接触孔内；沉积一导电层于该介电层和该凹陷的钨插塞上，以填入该凹陷区；及移除该介电层的上表面的该导电层，以形成一导电插塞于该接触孔内的凹陷的钨插塞上。

公开(公告)号：CN108987358A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201711202687.7

申请日：2017-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄松辉 ,  余大全 ,  黄冠育 ,  李百渊 ,  李祥帆

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/31

Abstract: 一种封装件包括封装组件，位于封装组件上方并且接合至封装组件的器件管芯，具有位于器件管芯上方的顶部的金属帽，以及位于器件管芯和金属帽之间并且接触器件管芯和金属帽的热界面材料。热界面材料包括直接位于器件管芯的内部上方的第一部分，以及直接在器件管芯的拐角区域上方延伸的第二部分。第一部分具有第一厚度。第二部分具有大于第一厚度的第二厚度。

公开(公告)号：CN104347544A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410026430.0

申请日：2014-01-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  洪文兴 ,  黄思博 ,  苏安治 ,  李祥帆 ,  陈锦棠 ,  吴集锡 ,  郑心圃

IPC: H01L23/427 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L23/42 ,  H01L23/10 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5385 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种在堆叠管芯的侧壁上具有热介面材料的封装件，包括：具有至少两个堆叠管芯的管芯堆叠件以及热介面材料（TIM）。TIM包括位于管芯堆叠件的顶面上方并与管芯堆叠件的顶面接触的顶部部分以及从顶部部分向下延伸到低于至少两个堆叠管芯中的至少一个的侧壁部分。第一金属散热部件位于TIM的顶部部分上方并与TIM的顶部部分接触。第二金属散热部件具有与TIM的侧壁部分的侧壁接触的侧壁。

公开(公告)号：CN1725495A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510079729.3

申请日：2005-06-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐国基 ,  曾国权 ,  陈宗毅 ,  沈建宇 ,  陈椿瑶 ,  李祥帆

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/10861 ,  H01L27/10873

Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其制造方法，其是适用于金属栅极制程的单晶体管存储器技术，其是在制作金属栅极和嵌入在绝缘结构的MIM电容器的上电极采用同一种金属材料。一栅极介电层是和嵌入在绝缘结构的MIM电容器的电容器介电层采用相同的高介电材料。本发明所述半导体元件及其制造方法，可节省成本，且具有可图形化、低阻值、良好热可靠度、良好电流动及较少电压消耗的优点。

公开(公告)号：CN104701287B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201410733546.8

申请日：2014-12-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪文兴 ,  黄思博 ,  李祥帆 ,  陈锦棠 ,  吴集锡 ,  郑心圃

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L23/36 ,  H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/33519 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16153 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/1679 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明提供了一种封装件，该封装件包括具有导电层的衬底，并且导电层包括暴露部分。管芯堆叠件设置在衬底上方并且电连接至导电层。高导热系数材料设置在衬底上方并且接触导电层的暴露部分。封装件还包括凸轮环，凸轮环位于高导热系数材料上方并且接触高导热系数材料。本发明涉及具有热点热管理部件的3DIC封装。

公开(公告)号：CN100517718C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200510079729.3

申请日：2005-06-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐国基 ,  曾国权 ,  陈宗毅 ,  沈建宇 ,  陈椿瑶 ,  李祥帆

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/10861 ,  H01L27/10873

Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其制造方法，其是适用于金属栅极制程的单晶体管存储器技术，其是在制作金属栅极和嵌入在绝缘结构的MIM电容器的上电极采用同一种金属材料。一栅极介电层是和嵌入在绝缘结构的MIM电容器的电容器介电层采用相同的高介电材料。本发明所述半导体元件及其制造方法，可节省成本，且具有可图形化、低阻值、良好热可靠度、良好电流动及较少电压消耗的优点。

公开(公告)号：CN109427701B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201711230904.3

申请日：2017-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄冠育 ,  蓝子凯 ,  殷寿志 ,  许书嘉 ,  李百渊 ,  黄松辉 ,  李祥帆 ,  韩英信

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明实施例涉及半导体装置及其制造方法。该半导体装置包含衬底、封装、第一导体及第二导体。所述衬底包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述封装放置于所述衬底上方。所述第一导体放置于所述衬底上方。所述第二导体放置于所述衬底上方，其中所述第一导体及所述第二导体基本上处于同一层级，且所述第二导体的宽度大于所述第一导体的宽度。

公开(公告)号：CN104347544B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201410026430.0

申请日：2014-01-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  洪文兴 ,  黄思博 ,  苏安治 ,  李祥帆 ,  陈锦棠 ,  吴集锡 ,  郑心圃

IPC: H01L23/427 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L23/42 ,  H01L23/10 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5385 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种在堆叠管芯的侧壁上具有热介面材料的封装件，包括：具有至少两个堆叠管芯的管芯堆叠件以及热介面材料（TIM）。TIM包括位于管芯堆叠件的顶面上方并与管芯堆叠件的顶面接触的顶部部分以及从顶部部分向下延伸到低于至少两个堆叠管芯中的至少一个的侧壁部分。第一金属散热部件位于TIM的顶部部分上方并与TIM的顶部部分接触。第二金属散热部件具有与TIM的侧壁部分的侧壁接触的侧壁。