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41.

发明授权
用于大型晶片半导体包装的导电晶片粘接膜和用于制备导电晶片粘接膜的组合物有权转让

公开(公告)号：CN105473657B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201480042671.2

申请日：2014-09-29

申请人： 汉高知识产权控股有限责任公司

发明人： 朱普坤 , G·V·黄 , S·K·古普塔 , A·莱布

IPC分类号： C08L63/10 , C09J163/10 , H01B1/24 , B82Y30/00

CPC分类号： H01L24/32 , C08G59/34 , C08K3/08 , C08K3/10 , C08K2003/0806 , C08K2201/001 , C08L63/00 , C08L63/10 , C08L79/08 , C08L79/085 , C08L2205/02 , C09J163/10 , H01B1/22 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/271 , H01L2224/27334 , H01L2224/2741 , H01L2224/27848 , H01L2224/2929 , H01L2224/29311 , H01L2224/29313 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29357 , H01L2224/29364 , H01L2224/29369 , H01L2224/29386 , H01L2224/29387 , H01L2224/29388 , H01L2224/29393 , H01L2224/29439 , H01L2224/29455 , H01L2224/29499 , H01L2224/32 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/83192 , H01L2224/83204 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83464 , H01L2224/83856 , H01L2224/83862 , H01L2924/01051 , H01L2924/0132 , H01L2924/0544 , H01L2924/0549 , H01L2924/06 , H01L2924/0635 , H01L2924/0645 , H01L2924/0665 , H01L2924/069 , H01L2924/0695 , H01L2924/07025 , H01L2924/0715 , H01L2924/20103 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/2064 , H01L2924/3511 , H01L2924/07 , H01L2924/095 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/0543 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012

摘要： 本发明提供具有有利性质的导电晶片粘接膜，其用于各种应用，例如用于制备大型晶片半导体包装。本发明还提供用于制备这种膜的配制物，以及用于制备这种配制物的方法。另一方面，本发明提供由根据本发明的组合物制备的导电网状物。又一方面，本发明还涉及包含粘结至其合适的基材上的这种导电晶片粘接膜的物件。

42.

发明授权
焊丝的衬底外扭结有权

公开(公告)号：CN105723509B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201480062077.X

申请日：2014-11-11

申请人： 伊文萨思公司

发明人： B·哈巴 , R·科 , R·L·萨加齐赛克 , W·佐尼

IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48

CPC分类号： H01L24/85 , B23K20/004 , B23K20/005 , B23K20/007 , H01L21/4853 , H01L21/56 , H01L23/49811 , H01L24/43 , H01L24/78 , H01L2224/04105 , H01L2224/056 , H01L2224/432 , H01L2224/4382 , H01L2224/43985 , H01L2224/783 , H01L2224/78301 , H01L2224/7855 , H01L2224/78621 , H01L2224/78822 , H01L2224/85 , H01L2224/85345 , H01L2224/85399 , H01L2224/96 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/2064 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099

摘要： 使用焊接工具(104)形成导电引线(137)。在将导线(115)焊接至金属表面(112)并使所述导线的长度延伸超过所述焊接工具之后，夹紧所述导线。所述焊接工具的移动在所述导线与除所述焊接工具以外的任何金属元件完全分离的位置处赋予所述导线扭结(116)。成形元件(334)，例如，在所述焊接工具的外表面处提供边缘或刀片裙部，可帮助扭结所述导线。任选地，扭曲所述导线，同时使用所述焊接工具张紧所述导线可导致所述导线断裂并限定末端(138)。所述引线随后从所述金属表面(112)延伸至所述末端(138)，并且可展示受到的扭转力的迹象。

43.

发明公开
钝化后互连结构及其形成方法无效

公开(公告)号：CN107256853A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201710272117.9

申请日：2012-02-09

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴逸文 , 林正怡 , 何明哲 , 刘重希

IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/768

CPC分类号： H01L23/291 , H01L23/293 , H01L23/3171 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/02313 , H01L2224/02331 , H01L2224/02381 , H01L2224/0239 , H01L2224/03424 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05111 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05548 , H01L2224/05562 , H01L2224/05567 , H01L2224/05573 , H01L2224/05583 , H01L2224/05611 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/08503 , H01L2224/11334 , H01L2224/1146 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/16503 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/2064 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L23/5221 , H01L21/76843 , H01L23/488 , H01L23/49811

摘要： 一种半导体器件包括：导电层，该导电层通过浸镀锡工艺形成于钝化后互连(PPI)结构的表面上；聚合物层，该聚合物层形成于导电层上并且经图案化具有暴露出一部分导电层的开口；以及焊料凸块，该焊料凸块形成于聚合物层的开口中以电连接至PPI结构。本发明提供了钝化后互连结构及其形成方法。

44.

发明公开
小间隙中互连结构的局部密封有权

公开(公告)号：CN107210240A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680007974.X

申请日：2016-02-01

申请人： 伊文萨思公司

发明人： R·坎卡尔 , C·E·尤佐 , A·R·西塔拉姆

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/81 , H01L21/768 , H01L23/49838 , H01L23/528 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/10126 , H01L2224/1182 , H01L2224/13023 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13184 , H01L2224/13562 , H01L2224/1357 , H01L2224/1379 , H01L2224/13809 , H01L2224/13811 , H01L2224/13847 , H01L2224/13855 , H01L2224/1601 , H01L2224/16014 , H01L2224/16058 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/16505 , H01L2224/16507 , H01L2224/81007 , H01L2224/81048 , H01L2224/81143 , H01L2224/81193 , H01L2224/8181 , H01L2224/8182 , H01L2224/81862 , H01L2224/81895 , H01L2224/81903 , H01L2224/81905 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/01051 , H01L2924/01327 , H01L2924/364 , H01L2224/11 , H01L2224/81 , H01L2924/00014 , H01L2924/2064

摘要： 本发明提供了一种大体上涉及微电子器件的设备。在此类设备中，第一基板具有第一表面，其中第一互连件位于所述第一表面上，第二基板具有与所述第一表面间隔开的第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间具有间隙。第二互连件位于所述第二表面上。所述第一互连件的下表面和所述第二互连件的上表面彼此耦接以用于所述第一基板和所述第二基板之间的导电性。导电衬圈围绕第一互连件和第二互连件的侧壁，并且介电层围绕所述导电衬圈。

45.

发明公开
用有微柱的半导体管芯形成DCALGA封装的方法和半导体器件无效

公开(公告)号：CN107039337A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610882505.4

申请日：2016-10-10

申请人： 商升特公司

发明人： S.金努萨米 , W.H.谭 , A.潘 , K.K.侯

IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/538

CPC分类号： H01L25/065 , H01L21/4825 , H01L21/486 , H01L21/4882 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/295 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/3192 , H01L23/367 , H01L23/4334 , H01L23/49541 , H01L23/49827 , H01L23/552 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2224/05008 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05569 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/1132 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/13005 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/13022 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13184 , H01L2224/16057 , H01L2224/16238 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2224/81011 , H01L2224/81024 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/3841 , H01L2224/11 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/2064 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2224/03 , H01L2224/81 , H01L21/76885 , H01L23/5386

摘要： 本发明涉及用有微柱的半导体管芯形成DCALGA封装的方法和半导体器件。半导体器件具有布置在衬底之上的第一半导体管芯。在半导体管芯之上形成多个复合互连结构。复合互连结构具有不可熔导电柱和在不可熔导电柱之上形成的可熔层。可熔层被回流以将第一半导体管芯连接到衬底的导电层。不可熔导电柱在回流期间不熔化，从而消除了在衬底之上形成阻焊剂的需要。将密封剂沉积在第一半导体管芯和复合互连结构周围。密封剂在第一半导体管芯的有源表面和衬底之间流动。第二半导体管芯相邻于第一半导体管芯布置在衬底之上。散热器布置在第一半导体管芯之上。密封剂的一部分被移除以暴露散热器。

46.

发明公开
在基板与管芯之间包括光敏填料的集成器件封装有权

公开(公告)号：CN107004612A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580066082.2

申请日：2015-12-10

申请人： 高通股份有限公司

发明人： V·诺维斯基 , M·P·沙哈 , R·库马

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/5283 , H01L23/3157 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5226 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/03602 , H01L2224/03914 , H01L2224/05546 , H01L2224/05568 , H01L2224/05571 , H01L2224/05647 , H01L2224/1111 , H01L2224/11334 , H01L2224/11438 , H01L2224/13007 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16013 , H01L2224/16014 , H01L2224/16111 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/2711 , H01L2224/27438 , H01L2224/29006 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81101 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81801 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2924/2064 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012

摘要： 一种包括管芯、基板、填料以及导电互连的集成器件封装。管芯包括柱，其中柱具有第一柱宽度。基板(例如，封装基板、中介体)包括介电层和基板互连(例如，表面互连、嵌入式互连)。填料位于管芯与基板之间。导电互连位于填料内。导电互连包括与第一柱宽度大致相同或比其小的第一互连宽度。导电互连被耦合至柱和基板互连。填料是非导电光敏材料。填料是光敏膜。基板互连包括等于或大于第一柱宽度的第二互连宽度。导电互连包括至少糊剂、焊料和/或包括聚合材料的增强型焊料中的一者。

47.

发明公开
一种半导体封装及其制造方法无效

公开(公告)号：CN106058024A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201510598352.6

申请日：2015-09-18

申请人： 南茂科技股份有限公司

发明人： 卢东宝 , 王恒生 , 徐子涵

IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/00

CPC分类号： H01L24/11 , C23C18/1653 , C25D3/60 , C25D3/62 , C25D5/02 , C25D5/505 , C25D7/123 , G02F1/1333 , H01L21/324 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/742 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L33/62 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/06102 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/1403 , H01L2224/14051 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81203 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/83104 , H01L2224/92125 , H01L2924/00015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/2064 , H01L2924/351 , H01L2924/0105 , H01L2224/48 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/00012 , H01L2224/81411 , H01L2924/0665 , H01L33/007 , H01L2933/0066

摘要： 本发明提供了一种半导体封装，其包括一半导体芯片，其中包含：一主动面，其上有传导垫；在主动面上方的电镀金-锡(Au-Sn)合金凸块；以及(玻璃)基板，其包括与电镀金-锡合金凸块电耦合的导线，其中电镀金-锡合金凸块具有重量百分比约Au0.85Sn0.15至约Au0.75Sn0.25的组成成分，从接近所述主动面的一端均匀分布至接近基板的一端。本发明还提供了一种制造半导体封装的方法，包括：在半导体芯片的主动面上形成传导垫的图案；在传导垫上方电镀金-锡合金凸块；以及藉由回焊程序或热压程序，将半导体芯片接合在基板上相对应的导线上。

48.

发明公开
半导体装置有权

公开(公告)号：CN105895604A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201510448508.2

申请日：2015-07-28

申请人： 南茂科技股份有限公司 , 百慕达南茂科技股份有限公司

发明人： 黄春福

IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/48 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/3171 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L2224/02373 , H01L2224/03622 , H01L2224/0401 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05184 , H01L2224/13016 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/2064

摘要： 本发明之一实施例提供一种半导体装置，该半导体装置包括一基板，其中该基板包含一接垫；以及一钝化层配置于该基板上方，其中该钝化层系局部覆盖该接垫：一球下金属层，配置于该基板上方，其中该球下金属层系与该接垫耦合；一导电凸块，配置于该球下金属层之上方，其中该导电凸块，包含：一柱体，系连接该球下金属层；一帽体，配置于该柱体的顶部，其中，该帽体包含一底部截面积系大于该柱体的截面积，该帽体之底部距离该钝化层之上表面具有一间隔；以及一焊球，系包覆该导电凸块。