公开(公告)号：CN109728074A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811284390.4

申请日：2018-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑有宏 ,  江柏融 ,  陈彦秀 ,  杜友伦

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L29/73

Abstract: 本发明实施例涉及包含外延硅层的半导体装置和其形成方法。一种制造半导体装置的方法包含：提供衬底，衬底包含第一导电类型的第一半导电区和位于第一半导电区上方的门结构，其中门结构之间的间隙暴露第一半导电区的部分；和从第一半导电区的经暴露部分开始在间隙中形成第二导电类型的第二半导电区。形成第二半导电区包含：在腔中在毗邻于门结构的侧壁周围以第一生长速率生长外延富硅层，第一生长速率大于中心部分处的第二生长速率；和在腔中利用蚀刻剂以第一蚀刻速率在毗邻于门结构的侧壁周围部分地去除外延富硅层，第一蚀刻速率大于中心部分处的第二蚀刻速率。

公开(公告)号：CN105336578B

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201410658986.1

申请日：2014-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢祯发 ,  蔡正原 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/525

Abstract: 本发明提供了具有通孔的堆叠结构上的缓冲层。一种结构包括第一和第二衬底、第一和第二应力缓冲层和钝化后互连(PPI)结构。第一和第二衬底包括第一和第二半导体衬底以及分别位于所述第一和第二半导体衬底上的第一和第二互连结构。第二互连结构位于第二半导体衬底的第一侧上。第一衬底在接合界面处接合至第二衬底。通孔至少延伸穿过第二半导体衬底进入第二互连结构。第一应力缓冲层位于与第二半导体衬底的第一侧相对的第二半导体衬底的第二侧上。PPI结构位于第一应力缓冲层上且电连接至通孔。第二应力缓冲层位于PPI结构和第一应力缓冲层上。

公开(公告)号：CN105789073B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201510446468.8

申请日：2015-07-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄志辉 ,  朱彦璋 ,  刘冠良 ,  刘丙寅 ,  蔡正原 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄 ,  李汝谅

IPC: H01L21/603 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68785 ,  B32B37/1018 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68735 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/75983

Abstract: 讨论了一种接合卡盘与使用该接合卡盘的方法及包括该接合卡盘的工具。一种方法包括：在第一接合卡盘的第一表面上加载第一晶圆；在第二接合卡盘上加载第二晶圆；以及将第一晶圆接合至第二晶圆。至少部分地通过第一球面的第一部分和第二球面的第二部分来限定第一表面。第一球面具有第一半径，并且第二球面具有第二半径。第一半径小于第二半径。本发明涉及接合卡盘、接合方法及包括接合卡盘的工具。

公开(公告)号：CN108122810A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711037621.7

申请日：2017-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曹昌宸 ,  吕国良 ,  李汝谅 ,  庄胜翔 ,  郑有宏 ,  杜友伦 ,  胡政纲

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明实施例涉及晶片分离系统与方法。本公开涉及一种用于分离一对接合衬底的方法。在所述方法中，提供分离设备，其包含晶片卡盘、弹性晶片组合件及一组分开叶片。将所述对接合衬底放置在所述晶片卡盘上使得所述接合衬底对的第一衬底与卡盘顶部表面接触。将所述弹性晶片组合件放置在所述接合衬底对上方使得其第一表面与所述接合衬底对的第二衬底的上表面接触。将具有不同厚度的分开叶片对从彼此径向相对的所述对接合衬底的边缘插入于所述第一衬底与所述第二衬底之间，而同时向上牵拉所述第二衬底直到所述弹性晶片组合件使所述第二衬底从所述第一衬底弯曲。通过在所述接合衬底对的相对侧上提供不平衡初始扭矩，减少边缘缺陷及晶片破损。

公开(公告)号：CN104347349B

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201310471415.2

申请日：2013-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈升照 ,  黄志辉 ,  杜友伦 ,  吴政达 ,  蔡嘉雄 ,  陈晓萌

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/60 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/187 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/68707 ,  H01L33/0079 ,  Y10S438/906

Abstract: 本发明提供了用于清洗用来混合接合的半导体晶圆表面的机制的实施例。一种用于清洗用来混合接合的半导体晶圆的表面方法包括：提供半导体晶圆，并且半导体晶圆具有嵌入在绝缘层中的导电焊盘。该方法还包括：对半导体晶圆的表面实施等离子体工艺，并且在导电结构的表面上形成金属氧化物。该方法还包括：使用清洗液实施清洗工艺，以与金属氧化物进行还原反应，使得在导电结构的表面上形成金属‑氢键。该方法还包括：在真空下将半导体晶圆传送至接合室，以用于混合接合。本发明还提供了用于混合接合的机制和集成系统的实施例。

公开(公告)号：CN104425453B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201310687197.6

申请日：2013-12-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周世培 ,  徐鸿文 ,  苏庆忠 ,  曹钧涵 ,  林佳洁 ,  蔡纾婷 ,  卢玠甫 ,  刘世昌 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种互连装置及其形成方法。将两个衬底（诸如晶圆、管芯、或晶圆和管芯）接合在一起。使用第一掩模形成部分地延伸至形成在第一晶圆上的互连件的第一开口。形成介电衬层，然后使用相同的掩模实施另一个蚀刻工艺。继续蚀刻工艺以暴露出形成在第一衬底和第二衬底上的互连件。用导电材料填充开口以形成导电插塞。本发明还公开了3DIC互连装置和方法。

公开(公告)号：CN107017197A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610933690.5

申请日：2016-10-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡敏瑛 ,  杜友伦

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及半导体结构和其制造方法。本发明提供一种半导体结构，其包含：第一半导体装置，其具有第一表面与第二表面，所述第二表面与所述第一表面对立；位于所述第一半导体装置的所述第一表面上方的半导体衬底；以及III‑V蚀刻终止层，其接触所述第一半导体装置的所述第二表面。本发明还提供一种用于半导体结构的制造方法，其包含提供具有第一表面的暂时衬底、形成III‑V蚀刻终止层于所述第一表面上方、形成第一半导体装置于所述III‑V蚀刻终止层上方以及通过蚀刻操作去除所述暂时衬底并且暴露所述III‑V蚀刻终止层的表面。

公开(公告)号：CN106920810A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201611131894.3

申请日：2016-12-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑有宏 ,  林东毅 ,  陈韦立 ,  杜友伦

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/146 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683

Abstract: 本发明的实施例提供了背照式(BSI)图像传感器器件，该器件被描述为具有形成在牺牲衬底上的像素隔离结构。感光层外延生长在像素隔离结构上方。在感光层中邻近像素隔离结构形成辐射检测区域。像素隔离结构包括介电材料。辐射检测区域包括光电二极管。通过牺牲衬底的平坦化去除产生BSI图像传感器器件的背侧表面以物理暴露像素隔离结构或至少光学暴露感光层。本发明的实施例还提供了一种用于制造图像传感器器件的方法。

公开(公告)号：CN104037139B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310239271.8

申请日：2013-06-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈昆仑 ,  杜友伦 ,  王俊智

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L25/00 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L24/09 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/06134 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/0901 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明公开了一种接合结构及其形成方法，其中一种封装件，其包括第一封装元件和第二封装元件。第一细长接合焊盘位于第一封装元件表面，第一细长接合焊盘具有沿第一纵向的第一长度和小于第一长度的第一宽度。第二细长接合焊盘位于第二封装元件表面。第二细长接合焊盘与第一细长接合焊盘接合。第二细长接合焊盘具有沿第二纵向的第二长度和小于第二长度的第二宽度。第二纵向与第一纵向不平行。

公开(公告)号：CN103247641B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201210193471.X

申请日：2012-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王从建 ,  杜友伦 ,  吴政达 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  G01B11/14 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 用于减少条纹图案的方法包括从经过激光退火的背照式图像传感器晶圆的背面接收散射光信号；基于该散射光信号生成背面图像；确定经过激光退火的背照式图像传感器晶圆的传感器阵列的边缘和相邻的激光束边界之间的距离；以及如果该距离小于预定值，重新校准激光束。本发明还提供用于减少条纹图案的装置。