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公开(公告)号：CN104733431A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410790320.1
申请日：2014-12-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/02
CPC classification number: H01L28/75
Abstract: 本发明提供了金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构以及形成MIM电容器结构的方法。MIM电容器结构包括衬底和形成在衬底上的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。MIM电容器包括电容器顶部金属(CTM)层、电容器底部金属(CBM)层和形成在CTM层和CBM层之间的绝缘体。绝缘体包括绝缘层和第一高k介电层，并且绝缘层包括氮化物层和氧化物层，并且氮化物层形成在第一高k介电层和氧化物层之间。
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公开(公告)号：CN104051477A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310362353.1
申请日：2013-08-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种用于在图像传感器的像素中围绕光电二极管的区域阻挡光的系统和方法。在实施例中，第一光学阻挡层形成在第一粘合层上并且第二粘合层形成在第一光学阻挡层上。重复一次或更多次第一光学阻挡层和第二粘合层的形成以形成多个光学阻挡层和多个粘合层。这样，如果在进一步处理期间，光学阻挡层中的空隙开口，则另一光学阻挡层阻挡可能穿过空隙的任何光。本发明还公开了图像传感器件及方法。
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公开(公告)号：CN111261576B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201911205419.X
申请日：2019-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本申请的各个实施例涉及一种形成具有杂质竞争层的绝缘体上硅(SOI)器件的方法以及SOI结构，以在退火工艺期间吸收潜在的污染物金属颗粒。在一些实施例中，在伪衬底上形成杂质竞争层。在支撑衬底上方形成绝缘层。将伪晶圆的前侧接合到绝缘层。执行退火工艺，其中杂质竞争层从伪衬底的上部吸收金属。然后，去除包括杂质竞争层的伪衬底的主要部分，在绝缘层上留下伪衬底的器件层。本发明的实施例还涉及形成绝缘体上硅结构的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104733431B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201410790320.1
申请日：2014-12-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供了金属‑绝缘体‑金属（MIM）电容器结构以及形成MIM电容器结构的方法。MIM电容器结构包括衬底和形成在衬底上的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器。MIM电容器包括电容器顶部金属(CTM)层、电容器底部金属(CBM)层和形成在CTM层和CBM层之间的绝缘体。绝缘体包括绝缘层和第一高k介电层，并且绝缘层包括氮化物层和氧化物层，并且氮化物层形成在第一高k介电层和氧化物层之间。
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公开(公告)号：CN109728074A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811284390.4
申请日：2018-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/73
Abstract: 本发明实施例涉及包含外延硅层的半导体装置和其形成方法。一种制造半导体装置的方法包含：提供衬底，衬底包含第一导电类型的第一半导电区和位于第一半导电区上方的门结构，其中门结构之间的间隙暴露第一半导电区的部分；和从第一半导电区的经暴露部分开始在间隙中形成第二导电类型的第二半导电区。形成第二半导电区包含：在腔中在毗邻于门结构的侧壁周围以第一生长速率生长外延富硅层，第一生长速率大于中心部分处的第二生长速率；和在腔中利用蚀刻剂以第一蚀刻速率在毗邻于门结构的侧壁周围部分地去除外延富硅层，第一蚀刻速率大于中心部分处的第二蚀刻速率。
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公开(公告)号：CN104051477B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201310362353.1
申请日：2013-08-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种用于在图像传感器的像素中围绕光电二极管的区域阻挡光的系统和方法。在实施例中，第一光学阻挡层形成在第一粘合层上并且第二粘合层形成在第一光学阻挡层上。重复一次或更多次第一光学阻挡层和第二粘合层的形成以形成多个光学阻挡层和多个粘合层。这样，如果在进一步处理期间，光学阻挡层中的空隙开口，则另一光学阻挡层阻挡可能穿过空隙的任何光。本发明还公开了图像传感器件及方法。
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公开(公告)号：CN109728074B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201811284390.4
申请日：2018-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/73
Abstract: 本发明实施例涉及包含外延硅层的半导体装置和其形成方法。一种制造半导体装置的方法包含：提供衬底，衬底包含第一导电类型的第一半导电区和位于第一半导电区上方的门结构，其中门结构之间的间隙暴露第一半导电区的部分；和从第一半导电区的经暴露部分开始在间隙中形成第二导电类型的第二半导电区。形成第二半导电区包含：在腔中在毗邻于门结构的侧壁周围以第一生长速率生长外延富硅层，第一生长速率大于中心部分处的第二生长速率；和在腔中利用蚀刻剂以第一蚀刻速率在毗邻于门结构的侧壁周围部分地去除外延富硅层，第一蚀刻速率大于中心部分处的第二蚀刻速率。
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公开(公告)号：CN111261576A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911205419.X
申请日：2019-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本申请的各个实施例涉及一种形成具有杂质竞争层的绝缘体上硅(SOI)器件的方法以及SOI结构，以在退火工艺期间吸收潜在的污染物金属颗粒。在一些实施例中，在伪衬底上形成杂质竞争层。在支撑衬底上方形成绝缘层。将伪晶圆的前侧接合到绝缘层。执行退火工艺，其中杂质竞争层从伪衬底的上部吸收金属。然后，去除包括杂质竞争层的伪衬底的主要部分，在绝缘层上留下伪衬底的器件层。本发明的实施例还涉及形成绝缘体上硅结构的方法。
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