公开(公告)号：CN111261576A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911205419.X

申请日：2019-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑有宏 ,  陈步芳 ,  吴政达 ,  江柏融 ,  李汝谅 ,  卢一斌 ,  陈彦秀 ,  杜友伦 ,  叶玉隆 ,  林诗杰

IPC: H01L21/762

Abstract: 本申请的各个实施例涉及一种形成具有杂质竞争层的绝缘体上硅(SOI)器件的方法以及SOI结构，以在退火工艺期间吸收潜在的污染物金属颗粒。在一些实施例中，在伪衬底上形成杂质竞争层。在支撑衬底上方形成绝缘层。将伪晶圆的前侧接合到绝缘层。执行退火工艺，其中杂质竞争层从伪衬底的上部吸收金属。然后，去除包括杂质竞争层的伪衬底的主要部分，在绝缘层上留下伪衬底的器件层。本发明的实施例还涉及形成绝缘体上硅结构的方法。

公开(公告)号：CN111261576B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN201911205419.X

申请日：2019-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑有宏 ,  陈步芳 ,  吴政达 ,  江柏融 ,  李汝谅 ,  卢一斌 ,  陈彦秀 ,  杜友伦 ,  叶玉隆 ,  林诗杰

IPC: H01L21/762

Abstract: 本申请的各个实施例涉及一种形成具有杂质竞争层的绝缘体上硅(SOI)器件的方法以及SOI结构，以在退火工艺期间吸收潜在的污染物金属颗粒。在一些实施例中，在伪衬底上形成杂质竞争层。在支撑衬底上方形成绝缘层。将伪晶圆的前侧接合到绝缘层。执行退火工艺，其中杂质竞争层从伪衬底的上部吸收金属。然后，去除包括杂质竞争层的伪衬底的主要部分，在绝缘层上留下伪衬底的器件层。本发明的实施例还涉及形成绝缘体上硅结构的方法。

公开(公告)号：CN110391173B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN201811481775.X

申请日：2018-12-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈步芳 ,  林诗杰 ,  卢一斌 ,  杜友伦

IPC: H01L21/762

Abstract: 本公开实施例提供一种绝缘体上覆硅(SOI)基板的制造方法，包括：沉积一蚀刻停止层于一虚设晶圆之上；生长一外延硅层于蚀刻停止层之上；形成一去疵层于外延硅层之上；接合一主要晶圆的一埋藏氧化层至去疵层；以及在移除虚设晶圆和蚀刻停止层以暴露外延硅层。SOI基板具有与去疵层连接的一外延硅层，其中去疵层中介于埋藏氧化层和外延硅层之间。

公开(公告)号：CN110391173A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201811481775.X

申请日：2018-12-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈步芳 ,  林诗杰 ,  卢一斌 ,  杜友伦

IPC: H01L21/762

Abstract: 本公开实施例提供一种绝缘体上覆硅(SOI)基板的制造方法，包括：沉积一蚀刻停止层于一虚设晶圆之上；生长一外延硅层于蚀刻停止层之上；形成一去疵层于外延硅层之上；接合一主要晶圆的一埋藏氧化层至去疵层；以及在移除虚设晶圆和蚀刻停止层以暴露外延硅层。SOI基板具有与去疵层连接的一外延硅层，其中去疵层中介于埋藏氧化层和外延硅层之间。