公开(公告)号：CN104733431A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410790320.1

申请日：2014-12-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁虔硕 ,  戴志和 ,  黄敬泓 ,  何盈苍 ,  江柏融

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/75

Abstract: 本发明提供了金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构以及形成MIM电容器结构的方法。MIM电容器结构包括衬底和形成在衬底上的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。MIM电容器包括电容器顶部金属(CTM)层、电容器底部金属(CBM)层和形成在CTM层和CBM层之间的绝缘体。绝缘体包括绝缘层和第一高k介电层，并且绝缘层包括氮化物层和氧化物层，并且氮化物层形成在第一高k介电层和氧化物层之间。

公开(公告)号：CN104733431B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201410790320.1

申请日：2014-12-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁虔硕 ,  戴志和 ,  黄敬泓 ,  何盈苍 ,  江柏融

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供了金属‑绝缘体‑金属（MIM）电容器结构以及形成MIM电容器结构的方法。MIM电容器结构包括衬底和形成在衬底上的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器。MIM电容器包括电容器顶部金属(CTM)层、电容器底部金属(CBM)层和形成在CTM层和CBM层之间的绝缘体。绝缘体包括绝缘层和第一高k介电层，并且绝缘层包括氮化物层和氧化物层，并且氮化物层形成在第一高k介电层和氧化物层之间。

公开(公告)号：CN114520258A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202210041511.2

申请日：2022-01-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴亭莹 ,  陈永祥 ,  叶玉隆 ,  陈彦秀 ,  陈威良 ,  何盈苍

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本公开总体涉及二极管的表面损坏控制。公开了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括衬底、设置在衬底内的第一阱区域、设置为与第一阱区域相邻并且在衬底内的第二阱区域、以及设置在第一阱区域内的阱区域阵列。第一阱区域包括第一类型掺杂剂，第二阱区域包括不同于第一类型掺杂剂的第二类型掺杂剂，并且阱区域阵列包括第二类型掺杂剂。该半导体器件还包括设置在阱区域阵列上并且在衬底内的金属硅化物层、设置在金属硅化物层上并且在衬底内的金属硅化物氮化物层、以及设置在金属硅化物氮化物层上的接触件结构。