公开(公告)号：CN104733431B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201410790320.1

申请日：2014-12-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁虔硕 ,  戴志和 ,  黄敬泓 ,  何盈苍 ,  江柏融

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供了金属‑绝缘体‑金属（MIM）电容器结构以及形成MIM电容器结构的方法。MIM电容器结构包括衬底和形成在衬底上的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器。MIM电容器包括电容器顶部金属(CTM)层、电容器底部金属(CBM)层和形成在CTM层和CBM层之间的绝缘体。绝缘体包括绝缘层和第一高k介电层，并且绝缘层包括氮化物层和氧化物层，并且氮化物层形成在第一高k介电层和氧化物层之间。

公开(公告)号：CN104733430B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201410787169.6

申请日：2014-12-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁虔硕 ,  林杏芝 ,  叶玉隆 ,  戴志和 ,  黄敬泓

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构及其形成方法。本发明提供了形成金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构的机理的实施例。金属‑绝缘体‑金属电容器结构包括衬底。MIM电容器结构还包括形成在衬底上的CBM层，并且CBM层包括底部阻挡层、主金属层和顶部阻挡层。MIM电容器结构还包括形成在CBM层上的第一高k介电层、形成在第一高k介电层上的绝缘层和形成在绝缘层上的第二高k介电层。MIM电容器结构还包括形成在第二高k介电层上的CTM层，并且CTM层包括底部阻挡层、主金属层和顶部阻挡层。

公开(公告)号：CN104733431A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410790320.1

申请日：2014-12-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁虔硕 ,  戴志和 ,  黄敬泓 ,  何盈苍 ,  江柏融

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/75

Abstract: 本发明提供了金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构以及形成MIM电容器结构的方法。MIM电容器结构包括衬底和形成在衬底上的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。MIM电容器包括电容器顶部金属(CTM)层、电容器底部金属(CBM)层和形成在CTM层和CBM层之间的绝缘体。绝缘体包括绝缘层和第一高k介电层，并且绝缘层包括氮化物层和氧化物层，并且氮化物层形成在第一高k介电层和氧化物层之间。

公开(公告)号：CN104733430A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410787169.6

申请日：2014-12-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁虔硕 ,  林杏芝 ,  叶玉隆 ,  戴志和 ,  黄敬泓

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构及其形成方法。本发明提供了形成金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构的机理的实施例。金属-绝缘体-金属电容器结构包括衬底。MIM电容器结构还包括形成在衬底上的CBM层，并且CBM层包括底部阻挡层、主金属层和顶部阻挡层。MIM电容器结构还包括形成在CBM层上的第一高k介电层、形成在第一高k介电层上的绝缘层和形成在绝缘层上的第二高k介电层。MIM电容器结构还包括形成在第二高k介电层上的CTM层，并且CTM层包括底部阻挡层、主金属层和顶部阻挡层。