公开(公告)号：CN107301972B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201611225663.9

申请日：2016-12-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑有宏 ,  周世培 ,  杜友伦 ,  亚历山大·卡尔尼茨基 ,  林东毅 ,  陈韦立

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明的提供了半导体结构，其包括：包括第一表面和第二表面的半导体器件层，其中第一表面位于半导体器件层的前侧处，并且第二表面位于半导体器件层的后侧处；位于半导体器件的第二表面之上的绝缘层；以及穿过绝缘层的硅通孔(TSV)。也提供了半导体结构的制造方法。

公开(公告)号：CN105720090B

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201510310452.4

申请日：2015-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑有宏 ,  蔡庆威 ,  杜友伦 ,  林东毅 ,  陈韦立

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66

Abstract: 一种晶体管器件包括具有第一区和第二区的衬底；具有位于第一区上方的第一部分和位于第二区上方的第二部分的第一半导体材料的第一半导体层，第一部分与第二部分分隔开；位于第一半导体层的第二部分上方的第二半导体材料的第二半导体层；第一导电类型的第一晶体管，第一晶体管设置在第一区内并且具有形成在第一半导体层中的第一组源极/漏极区；以及第二导电类型的第二晶体管，第二晶体管设置在第二区内并且具有形成在第二半导体层中的第二组源极/漏极区。第二导电类型不同于第一导电类型，并且第二半导体材料不同于第一半导体材料。本发明的实施例还涉及改进的晶体管沟道。

公开(公告)号：CN106920810A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201611131894.3

申请日：2016-12-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑有宏 ,  林东毅 ,  陈韦立 ,  杜友伦

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/146 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683

Abstract: 本发明的实施例提供了背照式(BSI)图像传感器器件，该器件被描述为具有形成在牺牲衬底上的像素隔离结构。感光层外延生长在像素隔离结构上方。在感光层中邻近像素隔离结构形成辐射检测区域。像素隔离结构包括介电材料。辐射检测区域包括光电二极管。通过牺牲衬底的平坦化去除产生BSI图像传感器器件的背侧表面以物理暴露像素隔离结构或至少光学暴露感光层。本发明的实施例还提供了一种用于制造图像传感器器件的方法。

公开(公告)号：CN107301972A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201611225663.9

申请日：2016-12-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑有宏 ,  周世培 ,  杜友伦 ,  亚历山大·卡尔尼茨基 ,  林东毅 ,  陈韦立

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76898 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68359 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/7624

Abstract: 本发明的提供了半导体结构，其包括：包括第一表面和第二表面的半导体器件层，其中第一表面位于半导体器件层的前侧处，并且第二表面位于半导体器件层的后侧处；位于半导体器件的第二表面之上的绝缘层；以及穿过绝缘层的硅通孔(TSV)。也提供了半导体结构的制造方法。

公开(公告)号：CN107230683A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710167090.7

申请日：2017-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑有宏 ,  杜友伦 ,  林东毅 ,  吴政龙 ,  陈韦立

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14683 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H05K999/99 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14603

Abstract: 本发明的实施例提供了深沟槽隔离(DTI)结构及其形成方法。方法包括在衬底中形成多个感光区。凹槽形成在衬底中，衬底包括第一半导体材料，凹槽插入在相邻的感光区之间。通过沿着凹槽的侧壁去除衬底的被损坏的层以扩大凹槽，从而形成扩大的凹槽。在扩大的凹槽的侧壁和底部上形成外延区，外延区的至少一部分包括第二半导体材料，第二半导体材料与第一半导体材料不同。在外延区上形成介电区，外延区沿介电区的侧壁延伸。本发明的实施例还提供了一种半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN105720090A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510310452.4

申请日：2015-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑有宏 ,  蔡庆威 ,  杜友伦 ,  林东毅 ,  陈韦立

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66

Abstract: 一种晶体管器件包括具有第一区和第二区的衬底；具有位于第一区上方的第一部分和位于第二区上方的第二部分的第一半导体材料的第一半导体层，第一部分与第二部分分隔开；位于第一半导体层的第二部分上方的第二半导体材料的第二半导体层；第一导电类型的第一晶体管，第一晶体管设置在第一区内并且具有形成在第一半导体层中的第一组源极/漏极区；以及第二导电类型的第二晶体管，第二晶体管设置在第二区内并且具有形成在第二半导体层中的第二组源极/漏极区。第二导电类型不同于第一导电类型，并且第二半导体材料不同于第一半导体材料。本发明的实施例还涉及改进的晶体管沟道。

公开(公告)号：CN222106718U

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202420642363.4

申请日：2024-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张櫂玹 ,  练秀芸 ,  洪铭 ,  林东毅 ,  张纯 ,  张朝钦 ,  李昇展 ,  陈昇照

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种半导体装置以及影像感测器装置，半导体装置包含多个介电质层以及深沟槽电容器结构，深沟槽电容器结构可包括在介于相对的多个导电性电极层之间具有绝缘体层的金属‑绝缘体‑金属结构。深沟槽电容器结构可延伸穿过在半导体装置中的多个介电质层。导电性电极层和绝缘体层可侧向地延伸到介电质层内。导电性电极层和绝缘体层向介电质层内的侧向延伸可被称作为电容器结构的鳍片部分。鳍片部分可从深沟槽电容器结构的中心部分(例如，沟槽部分)侧向地向外延伸。深沟槽电容器结构的鳍片部分使得导电性电极层的表面面积能够增加，这可增加深沟槽电容器结构的电容，而对于深沟槽电容器结构的整体占据区的增加为最小。