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实用新型
半导体装置以及影像感测器装置有权

公开(公告)号：CN222106718U

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202420642363.4

申请日：2024-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张櫂玹 , 练秀芸 , 洪铭 , 林东毅 , 张纯 , 张朝钦 , 李昇展 , 陈昇照

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种半导体装置以及影像感测器装置，半导体装置包含多个介电质层以及深沟槽电容器结构，深沟槽电容器结构可包括在介于相对的多个导电性电极层之间具有绝缘体层的金属‑绝缘体‑金属结构。深沟槽电容器结构可延伸穿过在半导体装置中的多个介电质层。导电性电极层和绝缘体层可侧向地延伸到介电质层内。导电性电极层和绝缘体层向介电质层内的侧向延伸可被称作为电容器结构的鳍片部分。鳍片部分可从深沟槽电容器结构的中心部分(例如，沟槽部分)侧向地向外延伸。深沟槽电容器结构的鳍片部分使得导电性电极层的表面面积能够增加，这可增加深沟槽电容器结构的电容，而对于深沟槽电容器结构的整体占据区的增加为最小。

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