公开(公告)号：CN222524666U

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202420681180.3

申请日：2024-04-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨胜钧 ,  林艺民 ,  张纯 ,  刘哲纲 ,  詹凯钧 ,  郑绚阳 ,  赵子权 ,  吴维纲 ,  王致渊 ,  王仁珏

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/44 ,  H01L21/67

Abstract: 一种半导体处理工具及加热模块。半导体处理工具包括：处理腔室；支撑件，用于固定装载至腔室工具中的晶圆；入口，将第一气体引入至腔室中以用于处理晶圆；及排气系统，该排气系统排出来自该腔室的气体。该排气系统包括：第一管线，第一管线耦接至腔室以排出来自腔室的气体；及泵，用于经由第一管线自腔室抽吸气体。该工具进一步包括加热模块，加热模块具有：耦接至第一管线及第二气体的一供应的第二管线，第二气体经由第二管线自该供应流至第一管线中；及容纳于第二管线中的加热元件，加热元件在第二气体流至第一管线中之前加热第二管线中的第二气体。

公开(公告)号：CN222106718U

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202420642363.4

申请日：2024-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张櫂玹 ,  练秀芸 ,  洪铭 ,  林东毅 ,  张纯 ,  张朝钦 ,  李昇展 ,  陈昇照

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种半导体装置以及影像感测器装置，半导体装置包含多个介电质层以及深沟槽电容器结构，深沟槽电容器结构可包括在介于相对的多个导电性电极层之间具有绝缘体层的金属‑绝缘体‑金属结构。深沟槽电容器结构可延伸穿过在半导体装置中的多个介电质层。导电性电极层和绝缘体层可侧向地延伸到介电质层内。导电性电极层和绝缘体层向介电质层内的侧向延伸可被称作为电容器结构的鳍片部分。鳍片部分可从深沟槽电容器结构的中心部分(例如，沟槽部分)侧向地向外延伸。深沟槽电容器结构的鳍片部分使得导电性电极层的表面面积能够增加，这可增加深沟槽电容器结构的电容，而对于深沟槽电容器结构的整体占据区的增加为最小。