公开(公告)号：CN107230683A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710167090.7

申请日：2017-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑有宏 ,  杜友伦 ,  林东毅 ,  吴政龙 ,  陈韦立

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14683 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H05K999/99 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14603

Abstract: 本发明的实施例提供了深沟槽隔离(DTI)结构及其形成方法。方法包括在衬底中形成多个感光区。凹槽形成在衬底中，衬底包括第一半导体材料，凹槽插入在相邻的感光区之间。通过沿着凹槽的侧壁去除衬底的被损坏的层以扩大凹槽，从而形成扩大的凹槽。在扩大的凹槽的侧壁和底部上形成外延区，外延区的至少一部分包括第二半导体材料，第二半导体材料与第一半导体材料不同。在外延区上形成介电区，外延区沿介电区的侧壁延伸。本发明的实施例还提供了一种半导体结构及其形成方法。