半导体晶片冷却方法和系统

    公开(公告)号:CN114815516A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210319464.3

    申请日:2022-03-29

    Abstract: 本公开实施例提供一种半导体晶片冷却方法和系统。冷却控制器从一个或多个传感器接收与晶片相关联的晶片信息。冷却控制器基于晶片信息确定晶片的图案掩模面积。冷却控制器基于图案掩模面积确定晶片的冷却时间。冷却控制器使冷却板冷却晶片的持续时间与冷却时间相等。基于图案掩模面积确定晶片的冷却时间为具有不同掩模及布局性质的晶片提供稳定且一致的晶片温度,此会减少掩模上覆变化并增大晶片良率。

    剥离系统及剥离方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113206024A

    公开(公告)日:2021-08-03

    申请号:CN202110110447.4

    申请日:2021-01-27

    Abstract: 本公开的实施例涉及一种用于剥离一对结合晶片的系统及方法。在一些实施例中,所述剥离系统包括:晶片卡盘,具有预设的最大横向尺寸且被配置成使贴合到晶片卡盘的顶表面的所述一对结合晶片旋转;一对圆形板分离刀片,包括第一分离刀片及第二分离刀片,所述第一分离刀片与所述第二分离刀片在直径方向上彼此相对地排列在所述一对结合晶片的边缘处,其中第一分离刀片及第二分离刀片插入在所述一对结合晶片中的第一晶片与第二晶片之间;以及至少两个拉头,被配置成向上拉动第二晶片以将第二晶片从第一晶片剥离。

    定位方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112530849A

    公开(公告)日:2021-03-19

    申请号:CN202010977947.3

    申请日:2020-09-17

    Abstract: 本公开的一些实施例公开一种方法,用于在一半导体制造环境中相对于一固定装置来定位一活动装置。方法包括检测在一目标定点处固定至固定装置的一目标,其中目标定点对应于目标相对于固定装置上的一参考点的一定点,基于检测目标来决定一第一位置坐标偏移值,利用第一位置坐标偏移值,相对于固定装置来移动活动装置,以训练活动装置相对于固定装置移动,以便于执行一半导体制造操作。

    用于自动化晶片载具搬运的装置及方法

    公开(公告)号:CN113257727B

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202010862386.2

    申请日:2020-08-25

    Abstract: 提供一种用于自动化晶片载具搬运的装置及操作方法。所述装置包括基底框架及设置在基底框架上的接合机构。接合机构包括控制器及主动扩展组件,所述主动扩展组件可移动地耦合到基底框架且由控制器控制以相对于基底框架实行往复移动。主动扩展组件由控制器驱动穿过基底框架,以与安装在晶片载具上的顶部凸缘接合。

    剥离系统及剥离方法
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113206024B

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202110110447.4

    申请日:2021-01-27

    Abstract: 本公开的实施例涉及一种用于剥离一对结合晶片的系统及方法。在一些实施例中,所述剥离系统包括:晶片卡盘,具有预设的最大横向尺寸且被配置成使贴合到晶片卡盘的顶表面的所述一对结合晶片旋转;一对圆形板分离刀片,包括第一分离刀片及第二分离刀片,所述第一分离刀片与所述第二分离刀片在直径方向上彼此相对地排列在所述一对结合晶片的边缘处,其中第一分离刀片及第二分离刀片插入在所述一对结合晶片中的第一晶片与第二晶片之间;以及至少两个拉头,被配置成向上拉动第二晶片以将第二晶片从第一晶片剥离。

    晶圆处理装置和方法以及气流设备

    公开(公告)号:CN115881580A

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202210713447.8

    申请日:2022-06-22

    Abstract: 本发明的实施例涉及晶圆处理装置和方法以及气流设备。装载端口接收晶圆载体。设备前端模块(EFEM)通过EFEM壳体的出入口将半导体晶圆转移到晶圆载体和从晶圆载体转移,并且还将晶圆转移到半导体处理或描绘工具和从半导体处理或描绘工具转移晶圆。设置在EFEM的壳体内的气流设备被连接以接收具有10%或更低的相对湿度的低湿度气体,并且被定位成使接收的低湿度气体流过进入开口。气流设备的饱和压力层对低湿度气体的渗透性随着与饱和压力层的进气边缘的距离增加而增加,例如由于穿过饱和压力的不同直径和/或密度的孔层。气流设备的过滤层使离开饱和压力层的气体均匀。

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