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31.

实用新型
半导体装置失效

公开(公告)号：CN207302641U

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201721142008.7

申请日：2017-09-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 新居浩二

IPC: G11C15/04 , G11C5/06

Abstract: 半导体装置具有：第一单元；第二单元；第一匹配线及第二匹配线；传输第一数据的第一搜索线对；传输第二数据的第二搜索线对；第一逻辑运算单元，与第一搜索线对和第一匹配线连接，且基于单元第一组件及第二组件保持的信息和第一数据的比较结果而驱动第一匹配线；以及第二逻辑运算单元，与第二搜索线对和第二匹配线连接，且基于单元第一组件及第二组件保持的信息和第二数据的比较结果而驱动第二匹配线。

32.

实用新型
电子装置有权

公开(公告)号：CN207233730U

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201720984596.2

申请日：2017-08-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 板东晃司 , 武藤晃

IPC: H01L23/50 , H01L23/31

CPC classification number: H01L23/053 , H01L23/057 , H01L23/3107 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/50 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L25/115 , H01L25/18 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L29/8611 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/40101 , H01L2224/40137 , H01L2224/48091 , H01L2224/48175 , H01L2224/73213 , H01L2224/73215 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2924/12036 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H02M7/003

Abstract: 本实用新型提供一种电子装置，目的在于提高半导体装置的性能。搭载于基板(WB)上的半导体装置(PAC1)及半导体装置(PAC2)分别具有与半导体芯片(CHP1)的表面电极电连接且从位于半导体芯片(CHP1)的表面侧的封固体的主面露出的发射极端子(ET)。另外，半导体装置(PAC1)及半导体装置(PAC2)分别具有与半导体芯片(CHP1)的背面电极电连接且从位于半导体芯片(CHP1)的背面侧的封固体的主面露出的集电极端子(CT)。另外，半导体装置(PAC1)的集电极端子(CT)经由形成于基板(WB)的上表面(WBt)的导体图案(MP1)与半导体装置(PAC2)的发射极端子ET电连接。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

33.

实用新型
半导体器件有权

公开(公告)号：CN207068843U

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201720758267.6

申请日：2017-06-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 矢岛明 , 山田义明

IPC: H01L23/535 , H01L23/538 , H01L21/60 , H01L23/31

CPC classification number: H01L24/13 , H01L21/311 , H01L21/321 , H01L21/56 , H01L23/293 , H01L23/3157 , H01L23/3192 , H01L23/525 , H01L23/53295 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/02311 , H01L2224/02331 , H01L2224/02333 , H01L2224/02377 , H01L2224/0239 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05186 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/06135 , H01L2224/10145 , H01L2224/11334 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/1182 , H01L2224/11849 , H01L2224/1191 , H01L2224/13021 , H01L2224/13024 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13163 , H01L2224/13164 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/13686 , H01L2224/1369 , H01L2224/16112 , H01L2224/16237 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81411 , H01L2224/81815 , H01L2924/3512 , H01L2924/01029 , H01L2924/013 , H01L2924/01014 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/01047 , H01L2924/014 , H01L2924/053

Abstract: 本实用新型涉及半导体器件，能够提高半导体器件的可靠性。半导体器件具有：半导体衬底(1)；导体层(RM)，形成在半导体衬底(1)上、且具有上表面及下表面；导体柱(CP)，在导体层(RM)的上表面上形成，且具有上表面、下表面及侧壁；保护膜(16)，覆盖导体层(RM)的上表面，且具有露出导体柱(CP)上表面及侧壁的开口(16a)；及覆盖导体柱(CP)的侧壁的保护膜(SW)。而且，在俯视中，保护膜(16)的开口(16a)大于导体柱(CP)的上表面，并露出导体柱(CP)的上表面的整个区域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

34.

实用新型
半导体装置失效

公开(公告)号：CN205582918U

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201620127550.4

申请日：2016-02-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山田健太郎 , 都丸成树 , 福岛武利

IPC: H01L23/485 , H01L23/28

CPC classification number: H01L24/06 , H01L23/49811 , H01L23/49894 , H01L23/5286 , H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/46 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L2224/02185 , H01L2224/0311 , H01L2224/04042 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05553 , H01L2224/05644 , H01L2224/0605 , H01L2224/45005 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2224/48463 , H01L2224/48844 , H01L2224/49175 , H01L2224/78301 , H01L2224/85181 , H01L2224/85206 , H01L2224/858 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/10162 , H01L2924/10253 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/35121

Abstract: 本实用新型涉及一种半导体装置，能够提高半导体装置的可靠性。半导体装置(1)具有：半导体基板；多个配线层(5、7、9)，形成于半导体基板(1P)上；焊盘(9a)，形成于多个配线层(5、7、9)的最上层；表面保护膜(10)，由无机绝缘膜构成且在焊盘上具有开口；再设配线(12)，形成于表面保护膜(10)上；以及焊盘电极(13)，是用于连接导线(20)的区域，并且形成于再设配线(12)上。再设配线(12)由搭载有焊盘电极(13)的焊盘电极搭载部、与焊盘连接的连接部以及将焊盘电极搭载部与连接部连结的延长配线部构成，在俯视时，焊盘电极搭载部(13)是长方形。

35.

实用新型
半导体集成电路、通信模块和智能仪表失效

公开(公告)号：CN205510033U

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201620168699.7

申请日：2016-03-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 松野典朗

IPC: H04B1/40

CPC classification number: H03F1/52 , H01L27/0255 , H01L27/0296 , H03F1/565 , H03F3/195 , H03F3/245 , H03F2200/222 , H03F2200/294 , H03F2200/387 , H03F2200/444 , H03F2200/451 , H03F2200/534 , H03F2200/541

Abstract: 本申请涉及半导体集成电路、通信模块和智能仪表。一种半导体集成电路，包括：低噪声放大器电路、变压器和ESD保护电路。低噪声放大器电路对被供给到输入端子的无线电信号进行放大。变压器包括第一绕组和第二绕组，并且用作用于低噪声放大器电路的输入阻抗匹配电路，其中第二绕组的至少一端被连接到低噪声放大器电路的输入端子。ESD保护电路被连接到第一绕组的中心抽头。根据本申请的方案，可以使包括ESD保护电路的半导体集成电路微型化。

36.

实用新型
半导体装置失效

公开(公告)号：CN205488117U

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201520997866.4

申请日：2015-12-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 武田博充

IPC: H01L23/498

Abstract: 一种半导体装置，提高半导体装置的可靠性。半导体装置具有布线基板(10)，布线基板具有：多个球栅(13A、13B)，形成在芯层(11)的下表面；阻焊膜(15)，覆盖芯层的下表面；过孔导体层(14A)，贯通芯层(11)，与球栅(13A、13B)连接；以及上表面布线(12)，形成在芯层的上表面，在一端具有键合区(12A)，另一端与过孔导体层(14A)连接。还具有配置在布线基板(10)之上的半导体芯片(1)和与球栅(13A、13B)连接的焊球(20)。阻焊膜(15)具有使芯层(11)的下表面露出的削除部(16)，上表面布线(12)具有细线部和粗线部，在俯视时，粗线部与削除部(16)重叠。

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实用新型
半导体器件失效

公开(公告)号：CN205177838U

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201520996498.1

申请日：2015-12-03

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 矢岛明 , 村中诚志

IPC: H01L25/10 , H01L25/11 , H01L23/528

CPC classification number: H01L24/08 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L2224/023 , H01L2224/02317 , H01L2224/024 , H01L2224/033 , H01L2224/05166 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/05673 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4554 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2224/4807 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48465 , H01L2224/49431 , H01L2224/85345 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/20753 , H01L2224/45157 , H01L2924/00

Abstract: 提供一种提高半导体器件的集成度的半导体器件。半导体器件(1A)包括：形成于半导体衬底(1P)上的多个Al布线层(5、7、9)；形成于多个Al布线层的最上层的焊盘电极(9a)；在焊盘电极上具有焊盘开口(10a)的基底绝缘膜(10)；再布线，其与焊盘电极电连接，并在基底绝缘膜上延伸。而且，半导体器件包括：保护膜(12)，其覆盖再布线(RM)的上表面，并具有使再布线的上表面的一部分露出的外部焊盘开口(12a)；外部焊盘电极(13)，其在外部焊盘开口处与再布线电连接，并在保护膜上延伸；以及与外部焊盘电极连接的导线(27)。并且，外部焊盘电极的一部分位于再布线的外侧区域。

38.

实用新型
半导体装置失效

公开(公告)号：CN205159307U

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201520987395.9

申请日：2015-12-03

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 御田村和宏 , 板东晃司 , 佐藤幸弘 , 金泽孝光

IPC: H01L23/48 , H01L27/082

CPC classification number: H02M7/537 , H01L23/3107 , H01L23/49551 , H01L23/49555 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L27/0664 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/7397 , H01L29/861 , H01L29/8611 , H01L2224/0603 , H01L2224/29101 , H01L2224/32245 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/0781 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H02M7/003 , H02P27/06 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/014

Abstract: 本实用新型涉及半导体装置。本实用新型解决的一个问题是如何能够提高半导体装置的放热特性。本实用新型的半导体装置具有：具有第1部分与第2部分的第1芯片搭载部；第2芯片搭载部；第3芯片搭载部；第1半导体芯片；第2半导体芯片；第3半导体芯片；第4半导体芯片；第1引线；与所述第1芯片搭载部的所述第2部分连结的第2引线；第3引线；以及密封体，其中所述第1引线、所述第2引线与所述第3引线分别具有从所述密封体的所述第1侧面突出的突出部分。本实用新型的一个用途是适用于能够提高半导体装置的放热特性的半导体装置。