公开(公告)号：CN108735697A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810523854.6

申请日：2012-05-17

申请人： 索尼公司

发明人： 长田昌也

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L27/146 ,  H01L23/544 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L22/30 ,  H01L22/32 ,  H01L27/14618 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L21/768

摘要： 本发明提供一种半导体装置，包括：基底材料部分，包括半导体基板和形成在该半导体基板的一个面上的绝缘膜，而且沿着半导体基板的厚度方向于该基底材料部分形成竖直孔；竖直孔配线部分，包括形成在该基底材料部分的形成该竖直孔的侧壁上的竖直孔电极；金属膜，形成在该绝缘膜内，并且电连接到竖直孔配线部分；以及导电保护膜，形成为与该绝缘膜内的该金属膜接触，并且形成在包括探针测试期间的探针接触区域的区域中，该探针测试于制造过程中在该金属膜的膜表面上进行。

公开(公告)号：CN104600064B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201410106015.6

申请日：2014-03-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  叶德强 ,  余国宠 ,  洪瑞斌

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L25/0652 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11616 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48096 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00012

摘要： 提供了一种用于封装半导体器件的系统和方法。实施例包括：在载体晶圆上方形成通孔，以及在载体晶圆上方并且在第一两个通孔之间附接第一管芯。在载体晶圆上方并且在第二两个通孔之间附接第二管芯。封装第一管芯和第二管芯，以形成第一封装件，并且至少一个第三管芯连接至第一管芯或第二管芯。第二封装件在至少一个第三管芯上方连接到第一封装件。本发明还提供了封装件上芯片结构和方法。

公开(公告)号：CN105895590B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201510993044.3

申请日：2015-12-25

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 张恕铭 ,  刘沧宇 ,  何彦仕

IPC分类号： H01L23/13 ,  H01L23/49 ,  H01L21/60

CPC分类号： G06K9/0002 ,  B81C3/00 ,  G06F3/041 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/481 ,  H01L23/525 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32237 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/146 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15788 ,  H05K1/0271 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/0311 ,  H05K2201/10151 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L21/78

摘要： 种晶片尺寸等级的感测晶片封装模组及其制造方法,该模组包括感测晶片封装体及电路板,该封装体包括感测晶片、具有着色层的触板及粘着层。感测晶片具有上表面与下表面,且邻近上表面处包括感测元件及导电垫,邻近下表面处包括导电结构,导电结构通过重布线层电性连接导电垫。触板包括基部及间隔部,间隔部具有包括底墙及侧墙的凹穴。粘着层位于感测晶片与触板之间,感测晶片通过上表面粘贴到凹穴的底墙,且被凹穴的侧墙环绕。电路板设置于感测晶片封装体下方,且感测晶片封装体通过导电结构电性结合至电路板。本发明使薄触板精确地放置在感测晶片上,且使得触板与感测晶片之间的粘着胶厚度降低,从而可改用具中、低介质电容系数的材料。

公开(公告)号：CN104871308B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201380067353.7

申请日：2013-12-10

申请人： 大陆-特韦斯贸易合伙股份公司及两合公司

发明人： L·比布里歇尔 ,  M·舒尔迈斯特 ,  J·席林格 ,  D·胡贝尔 ,  T·菲舍尔 ,  S·甘特奈尔 ,  W·鲍穆格

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/552

CPC分类号： H05K3/30 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/495 ,  H01L23/552 ,  H01L23/562 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/186 ,  Y10T29/49147 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明涉及种用于制造电子组件(14)的方法,在该电子组件中,承载在布线载体(32)上的电子结构元件(26,30)用封装材料(38)进行封装,该方法包括:‑在所述布线载体(32)上这样设置所述电子结构元件(26,30),使得通过所述封装材料(38)引入到所述电子结构元件(26,30)上的应力低于预先规定的值,和‑用所述封装材料(38)封装所述电子结构元件(26,30)。

公开(公告)号：CN108352377A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680064173.7

申请日：2016-12-07

申请人： 密克罗奇普技术公司

发明人： G·迪克斯 ,  R·L·叶奇 ,  F·马齐利

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/00 ,  H01L49/02

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/52 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/48 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5223 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/42 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0652 ,  H01L28/00 ,  H01L28/40 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48101 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665

摘要： 本发明的教示可应用于电容器的制造及设计。在这些教示的一些实施例中，电容器可形成于重掺杂衬底上。例如，一种用于制造电容器的方法可包含：在重掺杂衬底的第一侧上沉积氧化物层；在所述氧化物层上沉积第一金属层；及在所述重掺杂衬底的第二侧上沉积第二金属层。

公开(公告)号：CN108292914A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680065839.0

申请日：2016-10-18

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 关家大辅 ,  平野康彦

IPC分类号： H03H9/25 ,  H01L21/60

CPC分类号： H03H9/02897 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L41/0477 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/3512 ,  H03H9/02559 ,  H03H9/059 ,  H03H9/1092 ,  H03H9/145 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64

摘要： 弹性波装置(1)具备：压电基板(10)；IDT电极(11)以及电极焊盘(13)，形成在压电基板(10)的表面(10a)上；支承层(15)，在表面(10a)上形成为包围IDT电极(11)；第一覆盖层(16)以及第二覆盖层(17)，形成在支承层(15)上，与支承层(15)以及压电基板(10)一起通过中空空间(14)对IDT电极(11)进行了密封；UBM(21)，与电极焊盘(13)接合；以及凸块(20)，接合在UBM(21)上，UBM(21)的与凸块(20)的接合面形状为向凸块(20)侧凸的球面形状。

公开(公告)号：CN104269390B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201410474255.1

申请日：2011-07-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴伟诚 ,  侯上勇 ,  郑心圃 ,  刘醇鸿 ,  邱志威 ,  史朝文

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05014 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/35 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明提供一种半导体组件及制造半导体组件的方法，半导体组件包含接合垫结构，其中接合垫结构具有介于金属接合垫与凸块下金属(UBM)层的环状应力缓冲层。应力缓冲层是用介电层、高分子聚合物层或铝层来形成，其中介电层具有小于3.5的介电常数。上述应力缓冲层是圆形环、方形环、八边形(Octagonal)环或任何几何形状的环。

公开(公告)号：CN108281410A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201711462241.8

申请日：2013-06-05

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林育蔚 ,  吴胜郁 ,  曾裕仁 ,  郭庭豪 ,  陈承先

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/02141 ,  H01L2224/02145 ,  H01L2224/0215 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05114 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13551 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/301 ,  H01L2924/35 ,  Y10T29/49144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了凸块导线直连(BOT)结构的一个实施例，包括：由集成电路支撑的接触元件、与接触元件电连接的凸块下金属(UBM)部件、设置在凸块下金属部件和集成电路之间的绝缘层和钝化层；安装在凸块下金属部件上的金属梯状凸块和安装在衬底上的衬底导线，其中，金属梯状凸块具有第一楔形轮廓，并具有最接近集成电路的安装端和离集成电路最远的末端，末端的宽度介于10μm至80μm之间，安装端的宽度介于20μm至90μm之间，该衬底导线具有第二楔形轮廓并且通过直接金属与金属接合连接至金属梯状凸块。可以以类似的方式制造芯片与芯片结构的实施例。本发明还提供了互连结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN105609430B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201510802368.4

申请日：2015-11-19

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 张根豪 ,  姜芸炳 ,  赵泰济

IPC分类号： H01L21/58

CPC分类号： H01L21/6836 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/36 ,  H01L23/544 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11614 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13613 ,  H01L2224/1362 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/14519 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/18161

摘要： 本发明提供了制造半导体封装件的方法。所述方法包括步骤：在衬底的第一表面上形成包括金属的保护层，以覆盖设置在衬底的第一表面上的半导体器件；利用粘合构件将支承衬底附着至保护层；处理与保护层相对的衬底的第二表面，以去除衬底的一部分；以及将支承衬底从衬底拆卸。

公开(公告)号：CN105762131B

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201410791267.7

申请日：2014-12-19

申请人： 碁鼎科技秦皇岛有限公司 ,  臻鼎科技股份有限公司

发明人： 苏威硕

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/4985 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L41/0475 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及一种封装结构的制作方法，包括步骤：提供软板包括挠折区与叠合区，软板厚度方向依次包括第一导电线路层、第一介电层及与承载结构层，第一导电线路层具有位于挠折区远离叠合区一端的连接端子，承载结构层对应叠合区；在第一导电线路层上形成第二介电层及第二导电线路层及在承载结构层上形成第三介电层及第三导电线路层，第二导电线路层由第一导电孔与第一导电线路层电连接，第三导电线路层由第二导电孔与第一导电线路层电连接，第二介电层、第二导电线路层、第三介电层及第三导电线路层对应叠合区；在第二导电线路层上形成具开口的第一防焊层，部分第二导电线路层从第一防焊层露出形成第一电性接触垫。本发明还涉及一种封装结构。