公开(公告)号：CN104916641B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201410236347.6

申请日：2014-05-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑有宏 ,  吴政达 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄 ,  李汝谅 ,  李一庭 ,  高铭祥

IPC: H01L27/11524

CPC classification number: H01L29/42328 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明涉及具有设置在共源极区域和共擦除区域之间的、带有基本平坦的顶面的共源极氧化物层的嵌入式闪存单元及其形成方法。在一些实施例中，该嵌入式闪存单元具有半导体衬底，该半导体衬底带有通过第一沟道区域与第一漏极区域间隔开且通过第二沟道区域与第二漏极区域间隔开的共源极区域。通过原位蒸汽生成(ISSG)工艺在共源极区域上面的位置处形成高质量共源极氧化物层。第一和第二浮置栅极在第一和第二沟道区域上方设置在共擦除栅极的相对侧上，其中，该共擦除栅极具有的基本平坦的底面与共源极氧化物层的基本平坦的顶面邻接。

公开(公告)号：CN107230682A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710165170.9

申请日：2017-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐鸿文 ,  卢玠甫 ,  杜友伦 ,  陈愉婷 ,  蔡纾婷 ,  郑秀渝

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14683

Abstract: 本发明的实施例提供了背照式(BSI)图像传感器及其形成方法。该方法包括在衬底中形成多个感光像素，该衬底具有第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对，该衬底具有位于第一表面上的一个或多个有源器件。保护第二表面的第一部分。图案化第二表面的第二部分以在衬底中形成凹槽。在凹槽的侧壁上形成抗反射层。在第二表面的第二部分上方形成金属栅格，抗反射层介于衬底和金属栅格之间。

公开(公告)号：CN107039394A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611189878.X

申请日：2016-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈升照 ,  周世培 ,  李名哲 ,  吴国铭 ,  周正贤 ,  蔡正原 ,  杜友伦

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/52 ,  H01L23/528

Abstract: 本揭露实施例提供一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括半导体衬底；以及互连件结构，其在所述半导体衬底上方。所述半导体结构也包括接垫，所述接垫在所述半导体衬底中且耦合到所述互连件结构。所述接垫包括两个导电层。

公开(公告)号：CN107026183A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201611222593.1

申请日：2016-12-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李昇展 ,  黄志辉 ,  蔡正原 ,  杜友伦

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76898 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14683

Abstract: 本发明的一些实施例提供一种半导体结构，包括：衬底、在衬底中的辐射感测区域以及衬底中的沟槽，其包括在沟槽的内壁上方的衬垫、在衬垫上方的FSG层、在FSG层上方的氧化物层以及在氧化物层上方的反射材料。半导体结构的辐射感测区域包括多个辐射感测单元。半导体结构的沟槽分隔至少两个辐射感测单元。半导体结构的FSG层包括至少2原子百分比的游离氟和约500埃至约1300埃的厚度。

公开(公告)号：CN103378116B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201310119820.8

申请日：2013-04-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林杏莲 ,  杜友伦 ,  蔡正原 ,  吴政达 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14625 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/02168

Abstract: 一种形成图像传感器件的方法包括在硅衬底的前面处形成光感测区和在光感测区上方形成图案化的金属层。此后，该方法包括在衬底的第一表面上沉积金属氧化物抗反射叠层。该金属氧化物抗反射叠层包括在光电二极管上方堆叠的一个或多个薄金属氧化物的复合层。每个复合层都包括两个或更多个的金属氧化层：一个金属氧化物是高能带隙金属氧化物而另一个金属氧化物是高折射率金属氧化物。本发明还提供了用于背照式图像传感器的抗反射层。

公开(公告)号：CN102683339B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201110288597.0

申请日：2011-09-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄为栋 ,  郭俊聪 ,  刘世昌 ,  杜友伦

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/165 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7378

Abstract: 一种集成电路包括布置在衬底上的双极型晶体管。该双极型晶体管包括布置在至少一个含锗层周围的基极电极。发射极电极布置在至少一个含锗层上。至少一个隔离结构布置在发射极电极和至少一个含锗层之间。至少一个隔离结构的顶面布置在发射极电极的顶面和至少一个含锗层的顶面之间并且使二者电隔离。本发明还提供了包括双极型晶体管的集成电路及其制造方法。

公开(公告)号：CN104916641A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410236347.6

申请日：2014-05-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑有宏 ,  吴政达 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄 ,  李汝谅 ,  李一庭 ,  高铭祥

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/42328 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明涉及具有设置在共源极区域和共擦除区域之间的、带有基本平坦的顶面的共源极氧化物层的嵌入式闪存单元及其形成方法。在一些实施例中，该嵌入式闪存单元具有半导体衬底，该半导体衬底带有通过第一沟道区域与第一漏极区域间隔开且通过第二沟道区域与第二漏极区域间隔开的共源极区域。通过原位蒸汽生成(ISSG)工艺在共源极区域上面的位置处形成高质量共源极氧化物层。第一和第二浮置栅极在第一和第二沟道区域上方设置在共擦除栅极的相对侧上，其中，该共擦除栅极具有的基本平坦的底面与共源极氧化物层的基本平坦的顶面邻接。

公开(公告)号：CN104517951A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410385345.3

申请日：2014-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄 ,  陈晓萌 ,  曾炳南

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种器件包括两个BSI图像传感器元件和第三元件。第三元件使用元件级堆叠方法接合在两个BSI图像传感器元件之间。每个BSI图像传感器元件都包括衬底和设置在衬底的第一侧面上方的金属叠层。BSI图像传感器元件的衬底包括光电二极管区，光电二极管区用于响应于入射到衬底的第二侧面上的辐射累积图像电荷。第三元件也包括衬底和设置在衬底的第一侧面上方的金属叠层。两个BSI图像传感器元件和第三元件的金属叠层电耦合。本发明还提供了具有晶圆级堆叠的双面BSI图像传感器。

公开(公告)号：CN104465680A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410426056.3

申请日：2014-08-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐鸿文 ,  林荣义 ,  苏庆忠 ,  卢玠甫 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供了一种背照式半导体图像感测器件，该背照式半导体图像感测器件包括半导体衬底。该半导体衬底包括辐射敏感二极管和外围区。外围区接近背照式半导体图像感测器件的侧壁。该背照式半导体图像感测器件还包括位于半导体衬底的背侧上的第一抗反射涂层(ARC)和位于第一抗反射涂层上的介电层。此外，辐射屏蔽层设置在介电层上。而且，该背照式半导体图像感测器件具有位于背照式半导体图像感测器件的侧壁上的光子阻挡层。辐射屏蔽层的侧壁的至少一部分没有被光子阻挡层覆盖，并且光子阻挡层配置为阻挡光子穿入至半导体衬底内。本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN104347349A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310471415.2

申请日：2013-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈升照 ,  黄志辉 ,  杜友伦 ,  吴政达 ,  蔡嘉雄 ,  陈晓萌

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/60 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/187 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/68707 ,  H01L33/0079 ,  Y10S438/906

Abstract: 本发明提供了用于清洗用来混合接合的半导体晶圆表面的机制的实施例。一种用于清洗用来混合接合的半导体晶圆的表面方法包括：提供半导体晶圆，并且半导体晶圆具有嵌入在绝缘层中的导电焊盘。该方法还包括：对半导体晶圆的表面实施等离子体工艺，并且在导电结构的表面上形成金属氧化物。该方法还包括：使用清洗液实施清洗工艺，以与金属氧化物进行还原反应，使得在导电结构的表面上形成金属-氢键。该方法还包括：在真空下将半导体晶圆传送至接合室，以用于混合接合。本发明还提供了用于混合接合的机制和集成系统的实施例。