公开(公告)号：CN105206536A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510504497.5

申请日：2015-08-17

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 孙鹏 ,  胡胜 ,  王前文

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/08

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L23/08 ,  H01L2224/83359

摘要： 本发明涉及一种增强键合强度的晶圆键合方法,包括，提供两片待键合的晶圆,分别为晶圆一和晶圆二；在晶圆一的表面上淀积形成第一层二氧化硅薄膜,在晶圆二的表面上进行热氧化处理形成热氧化层；在经过平坦化处理的第一层二氧化硅薄膜上淀积形成富硅的第二层二氧化硅薄膜,所述第一层二氧化硅薄膜上和所述第二层二氧化硅薄膜上均分布有未饱和成键的硅原子，且所述第二层二氧化硅薄膜上的未饱和成键的硅原子浓度高于第一层二氧化硅薄膜上的未饱和成键的硅原子浓度；将晶圆一的第二层二氧化硅薄膜与晶圆二的热氧化层相接触进行键合。本发明可以提高晶圆键合强度，可以消除封装过程中晶圆键合界面有裂缝的现象。

公开(公告)号：CN108382020A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810007302.X

申请日：2018-01-04

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 陈继宏 ,  约瑟夫·P·多恩池 ,  罗伯特·J·珀特尔

IPC分类号： B32B15/04 ,  B32B15/01

CPC分类号： H01L21/185 ,  H01L21/324 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83359 ,  H01L2224/83379 ,  B32B15/04 ,  B32B15/01 ,  B32B15/017 ,  B32B15/043

摘要： 本发明涉及硅或锗部件的低应力结合。一种方法包括提供第一部件、第二部件和在第一部件和第二部件之间的结合材料。所述第一部件和所述第二部件由从硅和锗组成的组中选择的第一材料制成。所述结合材料包括与所述第一材料不同的第二材料。该方法包括将所述第一部件、所述结合材料和所述第二部件布置在炉中；以及通过将所述第一部件、所述第二部件和所述结合材料加热到预定温度持续预定时间段来形成结合部件，所述预定时间段之后是预定凝固时间段。所述预定温度大于包括所述第一材料和所述第二材料的合金的共晶温度的1.5倍并且小于所述第一材料的熔化温度。

公开(公告)号：CN102915991A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201110353065.0

申请日：2011-11-09

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  王文德 ,  蔡双吉 ,  林月秋

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11916 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/83359 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

摘要： 一种集成电路结构包括：半导体衬底；以及介电焊盘，该介电焊盘从半导体衬底的底面向上延伸到半导体衬底中。低k介电层被设置在半导体衬底下方。第一非低k介电层位于低k介电层下方。金属焊盘位于第一非低k介电层下方。第二非低k介电层位于金属焊盘下方。开口从半导体衬底的顶面向下延伸，从而穿透半导体衬底、介电焊盘、以及低k介电层，其中，开口位于金属焊盘的顶面上方。钝化层的一部分位于开口的侧壁上，其中，位于开口的底部的钝化层的一部分被去除。本发明还提供了一种BSI图像传感器芯片中的焊盘结构。

公开(公告)号：CN107109139A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201680003482.3

申请日：2016-01-20

申请人： 积水化学工业株式会社

发明人： 谷川满 ,  渡边贵志 ,  藤田悠介 ,  藤田义人 ,  山田佑

IPC分类号： C09J4/02 ,  C09J5/06 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  H01L21/52

CPC分类号： C09D133/14 ,  C08G59/4215 ,  C08G59/5033 ,  C08G59/686 ,  C08L33/08 ,  C09D11/101 ,  C09D11/107 ,  C09D11/30 ,  C09D11/52 ,  C09D133/10 ,  C09J5/04 ,  C09J5/06 ,  C09J9/02 ,  C09J133/10 ,  C09J133/14 ,  C09J163/00 ,  C09J171/12 ,  C09J201/02 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/114 ,  C09J2205/31 ,  C09J2433/00 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/52 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/2783 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83026 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/83359 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83947 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/85399 ,  C08L33/04

摘要： 提供一种喷墨用粘接剂，其在使用喷墨装置进行涂布而被使用的粘接剂中，可以在粘接剂层中不易产生孔，另外在贴合后，可以减少暴露于高温时的脱气并提高耐湿可靠性。本发明的喷墨用粘接剂含有：其含有：具有1个(甲基)丙烯酰基的第一光固化性化合物、具有2个以上(甲基)丙烯酰基的第二光固化性化合物、光自由基引发剂、具有1个以上的环状醚基或环状硫醚基的热固化性化合物、能够与所述热固化性化合物发生反应的化合物，所述第一光固化性化合物含有(甲基)丙烯酸碳原子数8～21的烷基酯。

公开(公告)号：CN106716632A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201580052153.3

申请日：2015-09-17

申请人： 欧司朗光电半导体有限公司

发明人： 安德烈亚斯·普洛斯尔

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/15 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L33/40 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05673 ,  H01L2224/05678 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1141 ,  H01L2224/11436 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29173 ,  H01L2224/29178 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81207 ,  H01L2224/81208 ,  H01L2224/81469 ,  H01L2224/81473 ,  H01L2224/81478 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/83208 ,  H01L2224/83359 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83469 ,  H01L2224/83473 ,  H01L2224/83478 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10349 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13014 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2924/00012

摘要： 提出一种电子设备，所述电子设备具有第一器件(1)和第二器件(2)，所述第一器件和所述第二器件借助具有第一金属的烧结层(3)彼此连接，其中所述器件(1，2)中的至少一个器件具有至少一个接触层(4，4’)，所述接触层以与所述烧结层(3)直接接触的方式设置，所述烧结层具有与第一金属不同的第二金属并且所述烧结层不含金。此外，提出一种用于制造电子设备的方法。

公开(公告)号：CN104064483A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310376382.3

申请日：2013-08-26

申请人： 株式会社东芝

发明人： 芳村淳 ,  松岛良二

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L24/73 ,  H01L2224/27009 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L25/0657 ,  H01L21/56 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/83359 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00

摘要： 提供半导体元件和基础材料或者半导体装置间的连接时、不会使粘着性恶化、薄型且可靠性高的半导体装置。其特征在于，包括以下步骤：在被加热的台上的基础材料或者下层的半导体元件（10）的预定位置依次粘着半导体元件（1SA）的小片接合步骤；通过接合线连接在上述半导体元件（10）的开口部形成的端子和在上述基础材料上形成的端子（13）的步骤；和，密封上述半导体元件（10）和接合线的步骤；其中，上述小片接合步骤是在上述基础材料或者下层的半导体元件（10）的预定位置使用半硬化粘着剂、半硬化膜或具有B阶段的液状粘着剂（12）粘着的步骤。

公开(公告)号：CN108882514A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201811040188.7

申请日：2014-02-07

申请人： AB微电子有限公司

发明人： A·卡希

IPC分类号： H05K1/02 ,  H05K3/30 ,  H05K3/32 ,  H05K13/04 ,  H05K13/08

CPC分类号： H01L22/12 ,  H01L22/22 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/8313 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83359 ,  H05K1/0269 ,  H05K3/303 ,  H05K3/321 ,  H05K3/341 ,  H05K13/046 ,  H05K13/0812 ,  H05K13/0815 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2203/166 ,  Y02P70/613

摘要： 本发明涉及用于电路载体的装备方法和电路载体。特别是提出一种用于制造装备有至少一个表面贴装LED(SMD‑LED)的电路载体(1)的方法，其中，所述至少一个SMD‑LED(2)根据电路载体(1)的一个或多个参考点(3)定向地定位于电路载体(1)上，其中，光学探测所述至少一个SMD‑LED(2)的发光区域(4)在该SMD‑LED(2)中的位置并且根据所述至少一个SMD‑LED(2)的发光区域(4)的探测到的位置将所述至少一个SMD‑LED(2)装配在电路载体(1)上。本发明还涉及一种这样的电路载体(1)。

公开(公告)号：CN106024642A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610009614.5

申请日：2016-01-06

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： O·霍尔菲尔德

IPC分类号： H01L21/48

CPC分类号： H01L24/83 ,  C04B37/00 ,  C04B37/021 ,  C04B37/025 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/10 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/401 ,  C04B2237/58 ,  C04B2237/59 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3733 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3736 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/83359 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/0781 ,  H01L21/4857

摘要： 本发明涉及一种用于制造电路载体装置的方法。在此提供载体(1)，其具有通过铝碳化硅金属基复合材料形成的表面部段(1t)。同样地提供电路载体(2)，其具有带有下侧(20b)的绝缘载体(20)，将下金属化层(22)涂覆到该下侧上。在表面部段(1t)上生成包含玻璃的附着层(3)，在附着层(3)和电路载体(2)之间借助于连接层(4)制造材料配合的连接。

公开(公告)号：CN105103287A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201480018514.8

申请日：2014-03-24

申请人： 欧司朗光电半导体有限公司

发明人： 安德烈亚斯·普洛斯尔

IPC分类号： H01L23/62 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76874 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/27444 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/83054 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83359 ,  H01L2224/83539 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/83902 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 提出一种用于连接接合配对件(1，2)、例如光电子半导体芯片(例如发光二极管芯片)和电路板或金属导体框的方法，所述方法具有下述步骤：提供第一接合配对件(1)和第二接合配对件(2)；将第一层序列(10)施加到第一接合配对件(1)上，所述第一层序列包括至少一个包含银或由银构成的层(11，15)；将第二层序列(20)施加到第二接合配对件(2)上，所述第二层序列包括至少一个包含铟和铋的层(29)或者包含铟的层(23)和包含铋的层(22，24)；在最高120℃的接合温度下，在预设的接合时间中，利用接合压强(p)将第一层序列(10)和第二层序列(20)在其分别背离第一接合配对件(1)和第二接合配对件(2)的端面上加压到一起，其中第一层序列(10)和第二层序列(20)熔化成连接层(30)，所述连接层直接邻接于第一接合配对件和第二接合配对件并且其熔化温度至少为260℃。

公开(公告)号：CN104488366A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201480001918.6

申请日：2014-02-07

申请人： AB微电子有限公司

发明人： A·卡希

IPC分类号： H05K1/02 ,  H05K3/30 ,  H05K13/04 ,  H05K3/32 ,  H05K3/34

CPC分类号： H01L22/12 ,  H01L22/22 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/8313 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83359 ,  H05K1/0269 ,  H05K3/303 ,  H05K3/321 ,  H05K3/341 ,  H05K13/046 ,  H05K13/0812 ,  H05K13/0815 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2203/166 ,  Y02P70/613 ,  H05K1/181 ,  H05K3/325 ,  H05K13/0465 ,  H05K13/0469 ,  H05K2203/0278 ,  H05K2203/043

摘要： 本发明涉及一种用于制造装备有至少一个表面贴装LED(SMD-LED)的电路载体(1)的方法，其中，所述至少一个SMD-LED(2)根据电路载体(1)的一个或多个参考点(3)定向地定位于电路载体(1)上，其中，光学探测所述至少一个SMD-LED(2)的发光区域(4)在该SMD-LED(2)中的位置并且根据所述至少一个SMD-LED(2)的发光区域(4)的探测到的位置将所述至少一个SMD-LED(2)装配在电路载体(1)上，以及一种这样的电路载体(1)。