公开(公告)号：CN106716632A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201580052153.3

申请日：2015-09-17

Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司

Inventor： 安德烈亚斯·普洛斯尔

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/15 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L33/40 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05673 ,  H01L2224/05678 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1141 ,  H01L2224/11436 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29173 ,  H01L2224/29178 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81207 ,  H01L2224/81208 ,  H01L2224/81469 ,  H01L2224/81473 ,  H01L2224/81478 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/83208 ,  H01L2224/83359 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83469 ,  H01L2224/83473 ,  H01L2224/83478 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10349 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13014 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提出一种电子设备，所述电子设备具有第一器件(1)和第二器件(2)，所述第一器件和所述第二器件借助具有第一金属的烧结层(3)彼此连接，其中所述器件(1，2)中的至少一个器件具有至少一个接触层(4，4’)，所述接触层以与所述烧结层(3)直接接触的方式设置，所述烧结层具有与第一金属不同的第二金属并且所述烧结层不含金。此外，提出一种用于制造电子设备的方法。

公开(公告)号：CN103515314A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210377778.5

申请日：2012-10-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杜家玮 ,  郭彦良 ,  吕文雄 ,  陈宪伟 ,  蔡宗甫

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/3135 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/15 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0502 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/05 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2224/05552 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1405

Abstract: 本发明涉及集成电路封装及其形成方法，该方法包括：在晶片的衬底上方形成电连接件；然后形成聚合物层，其中，至少部分电连接件形成在该聚合物层中。执行第一锯切步骤从而在该聚合物层中形成沟槽。第一锯切步骤完成后，执行第二锯切步骤从而将晶片锯切成多个管芯。

公开(公告)号：CN100440501C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200510002650.0

申请日：2005-01-12

Applicant: 马维尔国际贸易有限公司

Inventor： S·苏塔迪亚

IPC: H01L23/52 ,  H01L27/092 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/4824 ,  H01L23/367 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/02 ,  H01L24/15 ,  H01L24/16 ,  H01L24/40 ,  H01L27/092 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099

Abstract: 一种用于将第一集成电路连接到第二集成电路的互连结构，该互连结构包括：第一介电层；第一金属装配层，其被布置在所述第一介电层的一侧；第二金属层，其被布置在所述第一介电层的相反侧；通路孔，所述通路孔将所述第一金属装配层连接到所述第二金属层。所述第一金属装配层定义了彼此间电气绝缘的第一、第二和第三接触部分，所述第一和第三接触部分具有一个基座部分以及从所述基座部分中伸出的翼状物，所述第二接触部分为大致矩形，并被容纳在所述第一和第三接触部分的所述翼状物之间。

公开(公告)号：CN107818959A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201711180440.X

申请日：2013-12-04

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 黄仕铭 ,  林俊宏 ,  陈奕廷 ,  詹士伟 ,  张永兴 ,  李天伦

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L23/3128 ,  H01L21/56 ,  H01L24/15 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/1705 ,  H01L2224/171

Abstract: 本发明是关于一种半导体封装结构。该半导体封装结构包括第一基板、第二基板、晶粒、数个内连接元件及包覆材料。第一基板具有上表面。第二基板具有下表面，其中第一基板的上表面是面对第二基板的下表面。晶粒电性连接至第一基板的上表面。数个内连接元件电性连接第一基板及第二基板，内连接元件包括上部及下部，其中上部接合下部以形成接合部，下部具有肩部，肩部围绕接合部，下部更具有顶面及外围表面，顶面为平面，肩部是位于顶面及外围表面的交接处。包覆材料位于第一基板的上表面及第二基板的下表面之间，且包覆晶粒及内连接元件。藉此，在回焊时，第二基板不会发生翘曲，及解决第一与第二基板剥离的问题。

公开(公告)号：CN105990326A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610140408.8

申请日：2016-03-11

Applicant: 联发科技股份有限公司

Inventor： 林子闳 ,  彭逸轩 ,  萧景文

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/488 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L25/0657 ,  H01L21/50 ,  H01L24/15 ,  H01L2224/15 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2924/146

Abstract: 本发明公开了一种半导体封装、半导体封装结构及制造半导体封装的方法，以改善半导体封装的稳定性。其中该半导体封装结构包括：半导体封装。该半导体封装包括：半导体祼芯片、重分布层结构和导电柱结构。其中，该重分布层结构耦接至该半导体祼芯片，该导电柱结构设置在该重分布层结构中远离该祼芯片的表面上，并耦接至该重分布层结构。

公开(公告)号：CN105633047A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201610136084.0

申请日：2016-03-10

Applicant: 三星半导体(中国)研究开发有限公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 杜茂华

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L24/15 ,  H01L21/50 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3107 ,  H01L2224/1012 ,  H01L2224/15

Abstract: 本发明提供了一种半导体封装件以及一种制造所述半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括：基板，具有背对的第一表面和第二表面；多个连接构件，设置在基板的第一表面上，每个连接构件包括直接设置在基板的第一表面上的第一连接构件和直接设置在第一连接构件上的第二连接构件；芯片，设置在所述多个连接构件上以通过所述多个连接构件与基板电连接；以及包封构件，设置在基板的第一表面上并包封芯片和所述多个连接构件，其中，在包封构件与第一连接构件之间设置有有机膜，有机膜包裹第一连接构件。该半导体封装件能够防止第一连接构件中的锡在二次回流时的再流动，从而防止由于包封构件中的空洞而导致的短路发生。

公开(公告)号：CN103515314B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201210377778.5

申请日：2012-10-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杜家玮 ,  郭彦良 ,  吕文雄 ,  陈宪伟 ,  蔡宗甫

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/3135 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/15 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0502 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/05 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明涉及集成电路封装及其形成方法，该方法包括：在晶片的衬底上方形成电连接件；然后形成聚合物层，其中，至少部分电连接件形成在该聚合物层中。执行第一锯切步骤从而在该聚合物层中形成沟槽。第一锯切步骤完成后，执行第二锯切步骤从而将晶片锯切成多个管芯。

公开(公告)号：CN106469659A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610676908.3

申请日：2016-08-16

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 桑沢和伸 ,  新田博明 ,  远藤刚廣 ,  関泽充生

IPC: H01L21/52 ,  H01L23/13

CPC classification number: H01L24/04 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/07 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/15 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/43 ,  H01L24/47 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明提供一种即使在元件上形成衬垫也能够防止元件的破坏的半导体装置。半导体装置包括：元件，其被配置于基板上；第一绝缘层；第一衬垫(a)以及第二衬垫(b)，其被配置于第一绝缘层上，且位于元件的上方；第二绝缘层，其被配置于第一绝缘层上、所述第一以及第二衬垫的各自的侧面上及上表面上，第二绝缘层具有位于所述第一以及第二衬垫的各自的上表面上的开口部。所述第一以及第二衬垫的各自的厚度为2μm以上，所述第二绝缘层的厚度为所述第一以及第二衬垫的各自的厚度的2/5倍以下，所述第一衬垫与所述第二衬垫之间的距离为所述第一以及第二衬垫的各自的厚度的4倍以上。

公开(公告)号：CN101740382B

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN200910212368.3

申请日：2005-10-21

Applicant: 硅尼克斯科技公司

Inventor： R·卡尔塔 ,  L·贝莱莫 ,  L·梅林

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L24/12 ,  H01L24/15 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/402 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13032 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了一种形成半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上形成电极；在所述衬底上形成钝化层，该钝化层与所述电极的侧面和边缘隔开以在所述钝化层与所述电极之间形成间隙；以及在所述电极上形成可焊接触点。提供了一种碳化硅器件，该器件包括在其表面上的至少一个电源电极、形成在电源电极上的可焊接触点、以及至少一个钝化层，所述钝化层包围可焊接触点但与可焊接触点隔开，从而形成间隙。

公开(公告)号：CN101740382A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910212368.3

申请日：2005-10-21

Applicant: 硅尼克斯科技公司

Inventor： R·卡尔塔 ,  L·贝莱莫 ,  L·梅林

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L24/12 ,  H01L24/15 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/402 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13032 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了一种形成半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上形成电极；在所述衬底上形成钝化层，该钝化层与所述电极的侧面和边缘隔开以在所述钝化层与所述电极之间形成间隙；以及在所述电极上形成可焊接触点。提供了一种碳化硅器件，该器件包括在其表面上的至少一个电源电极、形成在电源电极上的可焊接触点、以及至少一个钝化层，所述钝化层包围可焊接触点但与可焊接触点隔开，从而形成间隙。