公开(公告)号：CN109627037A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201910061825.7

申请日：2019-01-23

申请人： 北京小罐茶业有限公司

发明人： 周永琢 ,  邵鹏 ,  石冠峰 ,  耿蓓蓓 ,  邸伟 ,  张晶晶

IPC分类号： C04B37/02

CPC分类号： C04B37/023 ,  C04B2237/12

摘要： 本发明提供了一种连接有金属件的日用陶瓷及其制作方法，所述连接有金属件的日用陶瓷包括：日用陶瓷本体及金属件；所述金属件为表面包覆镀镍层的金属件；所述日用陶瓷本体的待焊接部位设置有背银层，所述背银层的表面印刷有焊料层；所述表面包覆镀镍层的金属件通过该焊料层与所述日用陶瓷本体相连接；其中，所述待焊接部位为素坯，无釉料部位。本发明还提供了该连接有金属件的日用陶瓷的制作方法。本发明实现了低温下于空气气氛中日用陶瓷与金属件的牢固连接，降低了焊接难度及成本。

公开(公告)号：CN108299006A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201810069215.7

申请日：2018-01-24

申请人： 北京工业大学

发明人： 李红 ,  黄海新 ,  胡安明 ,  刘旭升

IPC分类号： C04B37/02 ,  C04B35/64

CPC分类号： C04B37/023 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/665 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/555

摘要： 本发明涉及一种复合高熵钎料涂层激光钎焊陶瓷和金属的方法，解决使用传统钎料真空钎焊陶瓷-金属过程中接头中产生大量的脆性金属间化合物，造成接头性能差的难题。其中复合高熵合金钎料涂层通过激光熔覆或者超音速喷涂工艺在陶瓷基体上制备，下层为金属Ni涂层，上层为高熵合金涂层。制备好涂层后，将待焊陶瓷基体和金属采用超声波清洗后，装配成搭接接头结构，在氩气保护下利用光纤激光器作为热源来钎焊陶瓷与金属。该发明操作简单，使用激光作为热源，缩短了焊接时间，提高了焊接效率。同时利用高熵合金的高熵效应使得钎缝中不会脆性金属间化合物，有效提高了接头的强度和韧性。

公开(公告)号：CN107923226A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680048844.0

申请日：2016-07-20

申请人： 史密斯国际有限公司

发明人： J.D.贝尔纳普 ,  方毅 ,  M.D.弗朗斯 ,  D.P.登博尔 ,  H.张

IPC分类号： E21B10/46 ,  E21B10/50 ,  E21B10/54

CPC分类号： E21B10/5735 ,  B22F7/062 ,  B22F7/08 ,  B22F2005/001 ,  B22F2302/10 ,  B22F2302/406 ,  C04B35/528 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/645 ,  C04B37/023 ,  C04B37/025 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/086 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/363 ,  C04B2237/401 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/72 ,  C22C26/00 ,  C22C29/08 ,  E21B10/50 ,  E21B10/55 ,  E21B10/5673 ,  E21B10/573

摘要： 切割元件包括与基底附连的金刚石结合体。基底具有大于约200Oe的矫顽力，并具有约73至90的磁饱和度。金刚石结合体在热处理后在表面处的压缩应力大于约0.9GPa，并且热处理前大于约1.2GPa。

公开(公告)号：CN107787259A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201680032040.1

申请日：2016-05-13

申请人： 罗杰斯德国有限公司

发明人： 安德烈亚斯·迈尔 ,  斯特凡·布里廷 ,  迪特尔·克内歇尔 ,  大卫·比尔瓦根

IPC分类号： B23K1/008 ,  B23K1/20 ,  B23K35/24 ,  C04B37/02 ,  H05K3/00 ,  B23K101/42

CPC分类号： H05K1/0306 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/403 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/406 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/86 ,  B23K1/008 ,  B23K1/20 ,  B23K35/24 ,  B23K2101/42 ,  C04B37/02 ,  C04B2237/40 ,  H05K3/00

摘要： 一种用于制造复合材料(5)，尤其电路板的方法，其中所述复合材料(5)具有面状的基础材料(1)，尤其陶瓷，在所述基础材料上单侧地或者双侧地借助于焊剂层(3)安置有附加层(2)、尤其金属化部，其特征在于，-提供基础材料(1)，其中基础材料(1)在至少一侧上具有第一表面(A1)；-提供附加层(2)并且将焊剂层(3)设置在附加层(2)的第二表面(A2)和第一表面(A1)之间，使得在将附加层(3)铺设到第一表面(A1)上时，基础材料(1)的第一表面(A1)面状地借助焊剂层(3)覆盖，其中焊剂层(3)在基础材料(1)和附加层(2)之间的厚度小于12μm，尤其小于7μm；-加热基础材料(1)和设置在第一表面(A1)上的附加层(2)以至少部分地熔化焊剂层(3)并且将基础材料(1)与至少一个附加层(2)连接。

公开(公告)号：CN104253055B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201410260650.X

申请日：2014-06-12

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 矶亚纪良

IPC分类号： H01L21/60 ,  B23K1/20

CPC分类号： B23K35/383 ,  C04B37/006 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/652 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/123 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/55 ,  C04B2237/72 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/057 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3736 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明涉及焊接方法及半导体装置的制造方法。提供能降低空隙产生率的经由镍镀层的焊接方法及利用该焊接方法的半导体装置的制造方法。在惰性气体气氛中、在300℃～400℃的温度范围内预先对具有镍镀层(2)的铜底板(1)进行加热，从而能在将铜底板和绝缘电路基板(8)进行焊接时降低空隙产生率。

公开(公告)号：CN102683020B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201210059257.5

申请日：2012-03-08

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 松井透悟 ,  堂冈稔 ,  高岛浩嘉 ,  冈岛健一

IPC分类号： H01G4/30

CPC分类号： H01L21/64 ,  B26D1/04 ,  B32B37/00 ,  B32B37/02 ,  B32B37/10 ,  B32B37/12 ,  B32B37/16 ,  B32B38/0004 ,  B32B38/04 ,  B32B2038/042 ,  C04B35/00 ,  C04B35/468 ,  C04B37/00 ,  C04B37/006 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/32 ,  H01G4/06 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/308 ,  H01G13/00 ,  H05K3/0058 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T156/1348

摘要： 本发明提供一种层叠陶瓷电子部件的制造方法。该方法在得到使内部电极在侧面露出的状态的未加工芯片中，由于在内部电极的侧部形成保护区域，因此在进行在未加工芯片的侧面粘贴陶瓷生片的工序时，能够以不使未加工芯片产生所不希望的变形的方式处理未加工芯片。作为扩宽了相互之间的间隔的状态而使截断母板后的呈按行及列方向排列的状态的多个未加工芯片(19)转动，由此，将多个未加工芯片(19)各自的侧面(20)一齐作为开放面，而后对侧面(20)赋予粘接剂，接着，在粘贴用弹性体(48)上放置侧面用陶瓷生片(47)，通过将未加工芯片(19)的侧面(20)按压于侧面用陶瓷生片(47)，从而打穿侧面用陶瓷生片(47)，且处于附着于侧面(20)的状态。

公开(公告)号：CN104690385A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201510054564.8

申请日：2015-02-02

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 张丽霞 ,  孟德强 ,  张若蘅 ,  亓钧雷 ,  冯吉才

IPC分类号： B23K1/008 ,  B23K1/20 ,  B23K1/19 ,  B23K35/30 ,  B23K103/18

CPC分类号： B23K35/001 ,  B23K1/008 ,  B23K1/19 ,  B23K1/206 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/304 ,  B23K35/40 ,  B23K2103/16 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/12

摘要： 一种复合中间层及其钎焊金属与陶瓷及陶瓷基复合材料的方法，它涉及一种复合中间层及利用其钎焊金属与陶瓷及陶瓷基复合材料的方法。本发明要解决采用活性钎料直接钎焊金属与陶瓷及陶瓷基复合材料时，接头界面反应剧烈生成大量脆性相及焊后接头残余应力大，造成接头性能差的难题。复合中间层由上层钎料、软性中间层和下层钎料组成。方法：一、配制钎料：按照一定比例配制钎料；二、清洗：用丙酮进行清洗；三、装配：将待焊母材和复合中间层按一定顺序装配；四、焊接：置于真空钎焊炉中进行焊接。本发明操作简单，中间层的加入抑制了钎料与母材的过度反应，缓解了接头的残余应力，大大提高了接头性能。本发明用于钎焊金属与陶瓷及陶瓷基复合材料。

公开(公告)号：CN104470666A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201380036655.8

申请日：2013-06-07

申请人： 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司

发明人： 尼尔斯·波纳特 ,  安德烈亚斯·罗斯贝格 ,  埃尔克·施密特

IPC分类号： B23K1/00 ,  B23K1/19 ,  C04B37/00 ,  G01L9/00

CPC分类号： G01L9/0072 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/19 ,  C04B37/006 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/55 ,  C04B2237/597 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  G01L9/0044 ,  G01L9/0075 ,  Y10T403/479

摘要： 本发明涉及一种组件，其包括：利用活性硬焊料或钎焊料(5)的接缝连接的第一陶瓷体和第二陶瓷体(1，2)，其中所述活性硬焊料或钎焊料(5)在连续主体积上均分，所述主体积包括至少50％的所述接缝体积，具有有液相线温度Tl(CH)的平均组成CH。其中，根据本发明，所述接缝的边缘区域具有有液相线温度Tl(CR)的平均组成CR，所述接缝的边缘区域接触所述陶瓷体(1，2)中的至少一个，所述液相线温度Tl(CR)比所述主体积的平均组成CH的液相线温度Tl(CH)高至少20K、优选地至少50K且特别优选地至少100K。

公开(公告)号：CN102792387B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201180013835.5

申请日：2011-03-16

申请人： 住友金属矿山株式会社

发明人： 中山德行

IPC分类号： H01B5/14 ,  C01G15/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/32

CPC分类号： C23C14/08 ,  C01G15/00 ,  C01G15/006 ,  C01P2002/50 ,  C04B35/01 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/783 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/407 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  Y10T428/24355

摘要： 本发明提供一种透明导电膜，其特征在于，是以氧化铟为主成分且含有铈的结晶透明导电膜，铈的含量以Ce/(In＋Ce）原子数比计为0.3～9原子%，用离子镀敷法成膜且算术平均高度（Ra）为1.0nm以下；还提供一种透明导电膜，其特征在于，是以氧化铟为主成分、含有铈、进一步含有选自由钛、锆、铪、钼以及钨组成的金属元素组中的一种以上金属元素作为金属元素（M元素）的结晶透明导电膜，铈的含量以Ce/（In＋Ce＋M）原子数比计为0.3～9原子%、且M元素的含量以M/（In＋Ce＋M）原子数比计为1原子%以下，用离子镀敷法成膜且算术平均高度（Ra）为1.0nm以下。

公开(公告)号：CN103958729A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201380003991.2

申请日：2013-03-01

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 张守斌 ,  近藤佑一 ,  森理惠 ,  山口刚

IPC分类号： C23C14/34 ,  C04B35/453

CPC分类号： C04B35/453 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/784 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/85 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/704 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414

摘要： 本发明提供一种即使DC溅射也能够制作高电阻的透明膜的溅射靶以及高电阻透明膜及其制造方法。本发明的溅射靶以氧化锌为主要成分，由具有相对于总金属成分含量含有0.005～0.1原子％的选自In、Ga、Al、B的元素群中的一种或两种以上的元素的成分组成的氧化物烧结体构成，所述氧化物烧结体的密度为5.3g/cm3以上。高电阻透明膜使用上述溅射靶通过DC溅射成膜，体积电阻率为1×104Ω·cm以上。