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公开(公告)号：CN106548990B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201610579768.8
申请日：2016-07-21
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/31
Abstract: 本发明防止来自半导体装置的油泄漏。本发明提供一种半导体装置，具备：半导体元件、容纳半导体元件并在壁部的至少一部分具有开放端的壳体部、覆盖壳体部的所述开放端的盖部、在所述壳体部的内部密封半导体元件的密封材料，其中，在开放端与所述密封材料之间的壁部的所述密封材料侧的面设置有突起部或凹陷部。此外，本发明提供替代突起部或凹陷部而在与密封材料相反的一侧的面设置有接收从开放端滴落的液体的集液部的半导体装置。
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公开(公告)号：CN104253055B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201410260650.X
申请日：2014-06-12
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 矶亚纪良
CPC classification number: B23K35/383 , C04B37/006 , C04B37/026 , C04B2235/652 , C04B2237/12 , C04B2237/121 , C04B2237/123 , C04B2237/124 , C04B2237/36 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/55 , C04B2237/72 , H01L21/4882 , H01L23/057 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及焊接方法及半导体装置的制造方法。提供能降低空隙产生率的经由镍镀层的焊接方法及利用该焊接方法的半导体装置的制造方法。在惰性气体气氛中、在300℃～400℃的温度范围内预先对具有镍镀层(2)的铜底板(1)进行加热，从而能在将铜底板和绝缘电路基板(8)进行焊接时降低空隙产生率。
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公开(公告)号：CN115810584A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202210870684.5
申请日：2022-07-22
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 矶亚纪良
Abstract: 本发明提供防止密封部件的渗出的半导体装置。引导突起部(43)的突出端部与密封部件(36)相接。通过使密封部件(36)从引导突起部(43)蔓延，从而抑制了密封部件(36)在侧壁部(41a、41c)蔓延的量。通过抑制密封部件(36)的蔓延的量，从而使密封部件(36)在侧壁部(41a、41c)蔓延的时间变长。因此，密封部件(36)到达端子孔(42a)为止的时间也变长。另外，通过抑制密封部件(36)的蔓延量，从而即使密封部件(36)到达端子孔(42a)，从端子孔(42a)渗出的量也被抑制。
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公开(公告)号：CN108695276A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810153635.3
申请日：2018-02-22
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 矶亚纪良
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/42 , H01L21/52
Abstract: 本发明提供能够抑制导热膏因泵出而枯竭，并抑制功率半导体芯片因热而产生故障的半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置具备接合有搭载了半导体芯片(1)的层叠基板(2)的底板(3)以及隔着导热膏(16)和金属环(12)安装于底板(3)的散热器(11)。此外，金属环(12)的中间孔设置于与半导体芯片(1)相对的部分，并在所述中间孔的部分(13)填充有导热膏(16)。此外，金属环(12)由硬度与散热器(11)为相同程度的材料或硬度比散热器(11)低的材料形成。
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公开(公告)号：CN106548990A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610579768.8
申请日：2016-07-21
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/31
CPC classification number: H01L23/04 , H01L23/24 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/00014 , H01L23/3157
Abstract: 本发明防止来自半导体装置的油泄漏。本发明提供一种半导体装置，具备：半导体元件、容纳半导体元件并在壁部的至少一部分具有开放端的壳体部、覆盖壳体部的所述开放端的盖部、在所述壳体部的内部密封半导体元件的密封材料，其中，在开放端与所述密封材料之间的壁部的所述密封材料侧的面设置有突起部或凹陷部。此外，本发明提供替代突起部或凹陷部而在与密封材料相反的一侧的面设置有接收从开放端滴落的液体的集液部的半导体装置。
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公开(公告)号：CN116259581A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211303220.2
申请日：2022-10-24
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/055 , H01L23/492 , H01L23/495 , H01L25/07
Abstract: 本发明提供一种半导体模块。半导体模块具备半导体元件、收纳半导体元件的壳体和多个控制端子单元。控制端子单元具有：至少一个控制端子，其与半导体元件电连接；以及导向块，其由与壳体不同的部件构成，一体地固定于至少一个控制端子。至少一个控制端子具有自壳体的外壁面突出的端子销部。导向块具有自壳体的外壁面向与端子销部相同的方向突出的引导销部。多个控制端子单元的导向块由彼此独立的部件构成。
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公开(公告)号：CN104253055A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410260650.X
申请日：2014-06-12
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 矶亚纪良
CPC classification number: B23K35/383 , C04B37/006 , C04B37/026 , C04B2235/652 , C04B2237/12 , C04B2237/121 , C04B2237/123 , C04B2237/124 , C04B2237/36 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/55 , C04B2237/72 , H01L21/4882 , H01L23/057 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及焊接方法及半导体装置的制造方法。提供能降低空隙产生率的经由镍镀层的焊接方法及利用该焊接方法的半导体装置的制造方法。在惰性气体气氛中、在300℃～400℃的温度范围内预先对具有镍镀层(2)的铜底板(1)进行加热，从而能在将铜底板和绝缘电路基板(8)进行焊接时降低空隙产生率。
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