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公开(公告)号：CN103973131B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201410014159.9
申请日：2014-01-13
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H02M7/00 , H02M7/48 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/367
CPC classification number: H02M7/537 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L25/072 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/19107 , H02M7/003 , H02M7/487 , H01L2924/00
Abstract: 提供了多个绝缘衬底SB11到SB23和基板，在多个绝缘衬底SB11到SB23中的每一个上安装了形成至少一个三级电力逆变器电路的至少四个半导体器件中的至少一个，在基板的一个表面上设置了多个绝缘板。在基板的该一个表面上，建立了至少四个区域DA1到DA4，并且多个绝缘衬底被设置以分布成使得至少四个半导体器件中的至少一个设置在建立在该基板上的四个区域中的每一个中。这使得所设置的半导体器件被分布成使得根据半导体系统的操作模式确定的发热部分变得局部以散发所产生的热量，由此提供可增强散热效率的半导体系统。
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公开(公告)号：CN103973131A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410014159.9
申请日：2014-01-13
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H02M7/00 , H02M7/48 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/367
CPC classification number: H02M7/537 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L25/072 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/19107 , H02M7/003 , H02M7/487 , H01L2924/00
Abstract: 提供了多个绝缘衬底SB11到SB23和基板，在多个绝缘衬底SB11到SB23中的每一个上安装了形成至少一个三级电力逆变器电路的至少四个半导体器件中的至少一个，在基板的一个表面上设置了多个绝缘板。在基板的该一个表面上，建立了至少四个区域DA1到DA4，并且多个绝缘衬底被设置以分布成使得至少四个半导体器件中的至少一个设置在建立在该基板上的四个区域中的每一个中。这使得所设置的半导体器件被分布成使得根据半导体系统的操作模式确定的发热部分变得局部以散发所产生的热量，由此提供可增强散热效率的半导体系统。
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公开(公告)号：CN111164875A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201980004824.7
申请日：2019-03-07
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 提供一种半导体装置，具备：半导体芯片；第1电流输入输出部，其与半导体芯片电连接；第2电流输入输出部，其与半导体芯片电连接；3个以上的导通部，其在第1电流输入输出部与第2电流输入输出部之间设置有半导体芯片；以及电流路径部，其具有与3个以上的导通部分别导通的电流路径，电流路径部包含多个狭缝。
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公开(公告)号：CN118355493A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202380014899.X
申请日：2023-05-09
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 陈塽清
Abstract: 半导体模块具备绝缘基板、导电图案、晶体管、位于比晶体管靠第1方向的位置的负侧电源端子、以及与导电图案接合的辅助布线，晶体管包括发射极和位于比发射极靠第1方向的位置的栅电极，电流在导电图案中自指定地点经由晶体管向负侧电源端子流动，发射极包括第1部分和第2部分，该第2部分位于比第1部分靠与第1方向相反的第2方向的位置，辅助布线包括靠近指定地点的第1端和靠近晶体管的第2端，第2端距第1部分的距离大于第2端距第2部分的距离。
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公开(公告)号：CN109417354A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780040045.3
申请日：2017-12-04
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 陈塽清
IPC: H02M7/487
Abstract: 实现使用单极型二极管作为续流二极管的三电平逆变器的更低损耗化。具备：设置在直流高电位端子与交流输出端子之间的第一半导体开关元件；设置在与直流高电位端子成对的直流低电位端子与所述交流输出端子之间的第二半导体开关元件；分别与所述第一半导体开关元件和第二半导体开关元件反向并联地设置的第一续流二极管和第二续流二极管；将被施加到直流中间电位端子的直流中间电压选择性地施加于所述第一半导体开关元件和第二半导体开关元件而控制所述第一半导体开关元件的栅电压和第二半导体开关元件的栅电压的半导体电路。特别地，在所述第一续流二极管和第二续流二极管分别串联地连接电感元件，使经由所述第一续流二极管和第二续流二极管的电路电感提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111164875B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201980004824.7
申请日：2019-03-07
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 提供一种半导体装置，具备：半导体芯片；第1电流输入输出部，其与半导体芯片电连接；第2电流输入输出部，其与半导体芯片电连接；3个以上的导通部，其在第1电流输入输出部与第2电流输入输出部之间设置有半导体芯片；以及电流路径部，其具有与3个以上的导通部分别导通的电流路径，电流路径部包含多个狭缝。
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公开(公告)号：CN109417354B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201780040045.3
申请日：2017-12-04
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 陈塽清
IPC: H02M7/487
Abstract: 实现使用单极型二极管作为续流二极管的三电平逆变器的更低损耗化。具备：设置在直流高电位端子与交流输出端子之间的第一半导体开关元件；设置在与直流高电位端子成对的直流低电位端子与所述交流输出端子之间的第二半导体开关元件；分别与所述第一半导体开关元件和第二半导体开关元件反向并联地设置的第一续流二极管和第二续流二极管；将被施加到直流中间电位端子的直流中间电压选择性地施加于所述第一半导体开关元件和第二半导体开关元件而控制所述第一半导体开关元件的栅电压和第二半导体开关元件的栅电压的半导体电路。特别地，在所述第一续流二极管和第二续流二极管分别串联地连接电感元件，使经由所述第一续流二极管和第二续流二极管的电路电感提高。
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