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公开(公告)号：CN104838576B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201480003356.9
申请日：2014-01-10
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H02M7/537 , H01L2224/0603 , H01L2924/19107 , H02M7/003 , H02M7/487
Abstract: 本发明提供一种使中间电位导体板与正侧导体板相对，且使中间电位导体板与负侧导体板相对，从而可靠地降低电感的半导体装置。该半导体装置包括：绝缘基板(11)，该绝缘基板(11)搭载有构成三电平功率转换电路的至少4个半导体元件；配置有该绝缘基板的底板(3)；所述底板上的与所述半导体元件内的一个半导体元件相连的直流正侧电位的正侧导体板(21)；所述底板上的与所述半导体元件内的另一个半导体元件相连的直流负侧电位的负侧导体板(22)；以及所述底板上的与所述半导体元件内的剩余两个半导体元件相连的中间电位的中间电位导体板(23)，所述正侧导体板及所述负侧导体板配置在所述中间电位导体板的附近并与其相对。
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公开(公告)号：CN119948629A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202480004153.5
申请日：2024-03-04
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种降低开关元件的导通损耗的半导体模块。半导体模块（10）具有：端子壳体（11），其在第一短边部（11a）配置有第一输入端子和第二输入端子（11a1、11a2），在第二长边部（11d）配置有第二控制端子（11d1）、第二辅助端子（11d2）；第一绝缘电路基板（13a），其配置在端子壳体（11）的第二短边部（11b）侧；以及第二绝缘电路基板（13b），其配置在第一短边部（11a）侧。在第二绝缘电路基板（13b）的正面设置有在端子壳体（11）的长度方向上延伸的第五金属图案（15b2）。半导体模块（10）还具有第一布线部件（16a），其一端与第五金属图案（15b）上的在上述长度方向上比第二绝缘电路基板（13b）的长度的一半的位置更远离第一短边部（11a）的位置连接，另一端与第二辅助端子（11d2）连接。
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公开(公告)号：CN112514066B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN201980049816.4
申请日：2019-12-06
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 市川裕章
Abstract: 本发明防止热集中。臂部(2)具备：第一电路图案(5a)，其在俯视时呈凹形并配置有第一半导体芯片(6,7)的背面；以及第二电路图案(5b)，其在俯视时至少一部分配置在由第一电路图案(5a)的凹陷形成的第一配置区域(5a1)，并在第一配置区域(5a1)中通过所连接的第一布线部件(8b,8c)电连接于第一负极电极(6b,7b)。由此，配置于第一电路图案(5a)的第一半导体芯片(6,7)不集中在层叠基板(3)的中央部，而是位于层叠基板(3)的外周部。因此，能够分散层叠基板(3)中的发热，并提高散热性。
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公开(公告)号：CN111788682B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN201980016244.X
申请日：2019-07-23
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L25/18 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 能够抑制栅极响应速度的降低并且最大化利用陶瓷电路基板上的半导体芯片的载置面积。臂部(1、1a)具有半导体芯片(2、3)、电路图案(4、5)和控制布线(6a)。半导体芯片(2、3)在正面的任意的侧部具备控制电极(2a、3a)。电路图案(4)在俯视时呈矩形，以使半导体芯片(2、3)的侧部排列成一列并使控制电极(2a、3a)排列成一列的方式配置有半导体芯片(2、3)。电路图案(5)与控制电极(2a、3a)排列成一列。另外，控制布线(6a)将控制电极(2a、3a)与电路图案(5)电连接。
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公开(公告)号：CN115698732A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180038235.8
申请日：2021-11-08
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 市川裕章
IPC: G01R31/26 , H03K17/567 , H03K17/14
Abstract: 本发明以高精度进行电压控制型半导体元件的半导体芯片的温度监视。利用延迟电路(28)将驱动电路(24)所输出的驱动信号SDRV延迟，并使得被延迟电路(28)延迟而得的延迟信号的上升前沿到达IGBT(10)的导通时的米勒效应期间，单触发电路(30)接收延迟信号而输出脉冲宽度比米勒效应期间短的脉冲信号。比较器(36)将栅极电压VGE与相当于过热检测阈值电压的基准电压Vref进行比较，如果栅极电压VGE成为过热检测阈值电压以上，则输出过热检测信号。通过监视与IGBT(10)的芯片温度具有温度依赖性的栅极电压VGE，从而直接监视IGBT(10)的芯片温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110100314B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201880004745.1
申请日：2018-05-28
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/3205 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L23/522 , H01L27/06 , H01L29/417 , H01L29/739
Abstract: 提供一种半导体装置，减少外部布线的接合部处的热疲劳而提高长期的可靠性。具备：半导体基板；晶体管部和二极管部，其沿着与上述半导体基板的正面平行的第一方向交替地配置在上述半导体基板的内部；表面电极，其设置于上述晶体管部和上述二极管部的上方，且与上述晶体管部和上述二极管部电连接；以及外部布线，其接合到上述表面电极，并且在上述第一方向上的与上述表面电极的接触宽度比上述晶体管部的上述第一方向上的宽度和上述二极管部的上述第一方向上的宽度中的至少一方大。
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公开(公告)号：CN106133908B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201580016403.8
申请日：2015-08-28
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 市川裕章
IPC: H01L25/07 , H01L23/50 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L25/11 , H01L25/18 , H02M7/00 , H05K7/02 , H02B1/20 , H05K7/06
Abstract: 本发明提供一种可靠性高的半导体装置。半导体装置(10)具有：半导体模块(1、2)，该半导体模块(1、2)包括向外部导出的主端子(1b、1d、2b、2d)，连接半导体元件(1a、2a)和主端子(1b、1d、2b、2d)的布线部(1c、1e、2c、2e)；以及汇流条(3a、4a)，该汇流条(3、4)包括端子部(3a、4a)和与主端子(1b、1d、2b、2d)连接的安装部(3b1、3b2、4b1、4b2)，该汇流条(3、4)将半导体模块(1、2)并联连接，端子部(3a、4a)与各个安装部(3b1、4b1)之间的电阻中，最大的电阻(Rm1、Rm2)在布线部(1c、1e)的电阻(Ri)的10％以下，端子部(3a、4a)与各个安装部(3b1、4b1)之间的电感中，最大的电感(Lm1、Lm2)在布线部(1c、1e)的电感(Li)的10％以下。
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公开(公告)号：CN103973131B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201410014159.9
申请日：2014-01-13
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H02M7/00 , H02M7/48 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/367
CPC classification number: H02M7/537 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L25/072 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/19107 , H02M7/003 , H02M7/487 , H01L2924/00
Abstract: 提供了多个绝缘衬底SB11到SB23和基板，在多个绝缘衬底SB11到SB23中的每一个上安装了形成至少一个三级电力逆变器电路的至少四个半导体器件中的至少一个，在基板的一个表面上设置了多个绝缘板。在基板的该一个表面上，建立了至少四个区域DA1到DA4，并且多个绝缘衬底被设置以分布成使得至少四个半导体器件中的至少一个设置在建立在该基板上的四个区域中的每一个中。这使得所设置的半导体器件被分布成使得根据半导体系统的操作模式确定的发热部分变得局部以散发所产生的热量，由此提供可增强散热效率的半导体系统。
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公开(公告)号：CN103973131A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410014159.9
申请日：2014-01-13
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H02M7/00 , H02M7/48 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/367
CPC classification number: H02M7/537 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L25/072 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/19107 , H02M7/003 , H02M7/487 , H01L2924/00
Abstract: 提供了多个绝缘衬底SB11到SB23和基板，在多个绝缘衬底SB11到SB23中的每一个上安装了形成至少一个三级电力逆变器电路的至少四个半导体器件中的至少一个，在基板的一个表面上设置了多个绝缘板。在基板的该一个表面上，建立了至少四个区域DA1到DA4，并且多个绝缘衬底被设置以分布成使得至少四个半导体器件中的至少一个设置在建立在该基板上的四个区域中的每一个中。这使得所设置的半导体器件被分布成使得根据半导体系统的操作模式确定的发热部分变得局部以散发所产生的热量，由此提供可增强散热效率的半导体系统。
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公开(公告)号：CN112514066A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980049816.4
申请日：2019-12-06
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 市川裕章
Abstract: 本发明防止热集中。臂部(2)具备：第一电路图案(5a)，其在俯视时呈凹形并配置有第一半导体芯片(6,7)的背面；以及第二电路图案(5b)，其配置于第一配置区域(5a1)，在俯视时至少一部分配置在由第一电路图案(5a)的凹陷形成的第一配置区域(5a1)，并在第一配置区域(5a1)中通过所连接的第一布线部件(8b,8c)电连接于第一负极电极(6b,7b)。由此，配置于第一电路图案(5a)的第一半导体芯片(6,7)不集中在层叠基板(3)的中央部，而是位于层叠基板(3)的外周部。因此，能够分散层叠基板(3)中的发热，并提高散热性。
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