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公开(公告)号：CN107634640B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201710370298.9
申请日：2017-05-23
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 提供一种无需在半导体芯片上设置温度检测元件且不增加封装的控制端子数而能够通过简单的结构来精度良好地测定芯片温度的半导体装置。半导体装置具备：开关元件(11)，其具有控制电极、第一主电极以及第二主电极；栅极驱动电路(2)，其连接在控制电极与第一主电极之间，输出用于对控制电极进行驱动的栅极驱动信号；密勒电压检测器(10)，其检测开关元件(11)的控制电极与第一主电极间的关断时的密勒电压；电流值检测电路(6)，其检测流过开关元件(11)的主电流；以及温度计算电路(7)，其根据所检测出的密勒电压和主电流来计算开关元件(11)的温度。
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公开(公告)号：CN110022078B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201910191161.6
申请日：2013-02-01
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 陈爽清
Abstract: 本发明提供一种电力变换装置，其抑制逆阻型绝缘栅双极晶体管在施加反向电压时的漏电流的增加，实现由该漏电流引起的损失的降低。本发明的电力变换装置是具备将两个具有反向耐压性的逆阻型绝缘栅双极晶体管(T3、T4)反向并联连接而成的双向开关(SW)的电力变换器。控制电路(CC)构成为输出用于使施加有反向电压的逆阻型绝缘栅双极晶体管(T3、T4)的栅极成为导通状态的指令信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104838576A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201480003356.9
申请日：2014-01-10
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H02M7/537 , H01L2224/0603 , H01L2924/19107 , H02M7/003 , H02M7/487
Abstract: 本发明提供一种使中间电位导体板与正侧导体板相对，且使中间电位导体板与负侧导体板相对，从而可靠地降低电感的半导体装置。该半导体装置包括：绝缘基板(11)，该绝缘基板(11)搭载有构成三电平功率转换电路的至少4个半导体元件；配置有该绝缘基板的底板(3)；所述底板上的与所述半导体元件内的一个半导体元件相连的直流正侧电位的正侧导体板(21)；所述底板上的与所述半导体元件内的另一个半导体元件相连的直流负侧电位的负侧导体板(22)；以及所述底板上的与所述半导体元件内的剩余两个半导体元件相连的中间电位的中间电位导体板(23)，所述正侧导体板及所述负侧导体板配置在所述中间电位导体板的附近并与其相对。
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公开(公告)号：CN107634640A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710370298.9
申请日：2017-05-23
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H03K17/145 , G01K7/00 , G01K7/01 , H03K17/567 , H03K17/687 , H03K2017/0806
Abstract: 提供一种无需在半导体芯片上设置温度检测元件且不增加封装的控制端子数而能够通过简单的结构来精度良好地测定芯片温度的半导体装置。半导体装置具备：开关元件(11)，其具有控制电极、第一主电极以及第二主电极；栅极驱动电路(2)，其连接在控制电极与第一主电极之间，输出用于对控制电极进行驱动的栅极驱动信号；密勒电压检测器(10)，其检测开关元件(11)的控制电极与第一主电极间的关断时的密勒电压；电流值检测电路(6)，其检测流过开关元件(11)的主电流；以及温度计算电路(7)，其根据所检测出的密勒电压和主电流来计算开关元件(11)的温度。
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公开(公告)号：CN110022078A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910191161.6
申请日：2013-02-01
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 陈爽清
Abstract: 本发明提供一种电力变换装置，其抑制逆阻型绝缘栅双极晶体管在施加反向电压时的漏电流的增加，实现由该漏电流引起的损失的降低。本发明的电力变换装置是具备将两个具有反向耐压性的逆阻型绝缘栅双极晶体管(T3、T4)反向并联连接而成的双向开关(SW)的电力变换器。控制电路(CC)构成为输出用于使施加有反向电压的逆阻型绝缘栅双极晶体管(T3、T4)的栅极成为导通状态的指令信号。
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公开(公告)号：CN104838576B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201480003356.9
申请日：2014-01-10
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H02M7/537 , H01L2224/0603 , H01L2924/19107 , H02M7/003 , H02M7/487
Abstract: 本发明提供一种使中间电位导体板与正侧导体板相对，且使中间电位导体板与负侧导体板相对，从而可靠地降低电感的半导体装置。该半导体装置包括：绝缘基板(11)，该绝缘基板(11)搭载有构成三电平功率转换电路的至少4个半导体元件；配置有该绝缘基板的底板(3)；所述底板上的与所述半导体元件内的一个半导体元件相连的直流正侧电位的正侧导体板(21)；所述底板上的与所述半导体元件内的另一个半导体元件相连的直流负侧电位的负侧导体板(22)；以及所述底板上的与所述半导体元件内的剩余两个半导体元件相连的中间电位的中间电位导体板(23)，所述正侧导体板及所述负侧导体板配置在所述中间电位导体板的附近并与其相对。
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公开(公告)号：CN104054253A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201380005485.7
申请日：2013-02-01
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 陈爽清
CPC classification number: H02M7/483 , H02M7/487 , H02M7/5387 , H02M2003/1555
Abstract: 本发明提供一种电力变换装置，其抑制逆阻型绝缘栅双极晶体管在施加反向电压时的漏电流的增加，实现由该漏电流引起的损失的降低。本发明的电力变换装置是具备将两个具有反向耐压性的逆阻型绝缘栅双极晶体管(T3、T4)反向并联连接而成的双向开关(SW)的电力变换器。控制电路(CC)构成为输出用于使施加有反向电压的逆阻型绝缘栅双极晶体管(T3、T4)的栅极成为导通状态的指令信号。
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