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公开(公告)号：CN108695073A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810269346.X
申请日：2018-03-29
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01G4/1281 , C01G33/006 , C01P2002/08 , C01P2002/34 , C01P2002/50 , C01P2002/72 , C01P2002/78 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B35/472 , C04B35/491 , C04B35/495 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3227 , C04B2235/3255 , C04B2235/5292 , C04B2235/768 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C07C211/01 , C07C211/63 , H01G4/1218 , H01G4/1227 , H01G4/1236 , H01G4/14 , H01G4/232 , H01G4/242 , H01G4/30 , H01G4/33 , H01G4/06
摘要： 二维钙钛矿材料、包括其的介电材料和多层电容器。所述二维钙钛矿材料包括：包括层叠的具有正电荷的第一层和具有负电荷的第二层的层状金属氧化物、从所述层状金属氧化物剥落的单层纳米片、多个所述单层纳米片的纳米片层叠体、或其组合，其中所述二维钙钛矿材料以大于或等于约80体积％的量包括具有二维晶体结构的第一相，基于100体积％的所述二维钙钛矿材料，和所述二维钙钛矿材料由化学式1表示。
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公开(公告)号：CN108461291A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201711097896.X
申请日：2017-11-09
申请人： 三星电机株式会社
发明人： 孙受焕
CPC分类号： H01G4/30 , H01G2/06 , H01G4/06 , H01G4/12 , H01G4/224 , H01G4/232 , H01G4/248 , H05K1/181 , H05K2201/10015
摘要： 本发明提供一种多层陶瓷电子组件和其上安装有该多层陶瓷电子组件的板。所述多层陶瓷电子组件包括多层陶瓷电容器，多层多层陶瓷电容器包括陶瓷主体和以及设置在陶瓷主体的第一端表面和第二端表面上的外电极。第一金属框架和第二金属框架分别沿着多层陶瓷电容器的两个端表面中的相应的端表面设置，并且第一金属框架和第二金属框架均沿着多层陶瓷电容器的上表面和下表面设置。绝缘覆盖件包围多层陶瓷电容器以及第一金属框架的上部和第二金属框架的上部。第一金属框架和第二金属框架的沿着多层陶瓷电容器的端表面设置的侧部与绝缘覆盖件接触，并且第一金属框架和第二金属框架的沿着多层陶瓷电容器的下表面设置的下部与绝缘覆盖件分开预定的间隔。
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公开(公告)号：CN108137415A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680055565.7
申请日：2016-09-09
申请人： 纳米技术仪器公司
IPC分类号： C04B35/52 , C01B32/182 , H01G11/36
CPC分类号： C04B35/522 , C01B32/192 , C01B32/194 , C01B32/23 , C01B2204/04 , C01B2204/22 , C04B2235/723 , C04B2235/724 , H01G4/06
摘要： 提供了具有式C6ZxOy的高度取向的卤化石墨烯的一体化层(10nm至500μm)，其中Z是选自F、Cl、Br、I或其组合的卤素元素，x＝0.01至6.0，y＝0至5.0，并且x+y≤6.0。该一体化层具有卤化石墨烯晶体，这些晶体具有如通过X射线衍射确定的0.35nm至1.2nm(更典型地0.4-1.0nm)的平面间间距d002。该一体化层具有多个构成石墨烯卤化物平面，这些平面沿着一个方向基本上相互平行，该方向具有小于10度的这些石墨烯卤化物平面的平均偏差角度。
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公开(公告)号：CN107946074A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711426144.3
申请日：2017-12-26
申请人： 广州天极电子科技有限公司
CPC分类号： H01G4/06 , H01G4/306 , H01G13/003
摘要： 本发明公开一种单层电容器及制备方法。所述单层电容器包括：上电极、第一介质层、内电极、第二介质层和下电极；所述上电极与所述内电极通过所述第一介质层连接，所述内电极与所述下电极通过所述第二介质层连接；所述第一介质层的厚度小于所述第二介质层的厚度；其中，所述第二介质层设有通孔，所述通孔中填充有电极材料，所述电极材料连接所述内电极和所述下电极。本发明提供的单层电容器在增加电容器容量的同时保持电容器良好的机械强度。
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公开(公告)号：CN105321712A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510315638.9
申请日：2015-06-10
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 高桥优
CPC分类号： H01G4/06 , H01G2/065 , H01G4/12 , H01G4/232 , H01G4/2325 , H01G4/30 , H05K1/181 , H05K3/3442 , H05K2201/10015 , Y02P70/613
摘要： 本发明提供一种能够抑制噪声的偏差的层叠电容器的安装构造体。安装构造体(1A)具备：层叠电容器(10A)、布线基板(20)、和接合材料(31)。层叠电容器(1A)包含：电介质层(12)以及内部电极层(13)交替层叠的坯体(11)、和与内部电极层连接的外部电极(14)。坯体具有被外部电极的侧面覆盖部(14a)覆盖的侧面(11c)。接合材料(31)与侧面覆盖部(14a)的外表面和焊盘(22)的外表面接合，以使得覆盖侧面覆盖部(14a)的外表面以及设置于布线基板(20)的焊盘(22)的外表面。接合材料(31)的覆盖侧面覆盖部(14a)的部分中最厚的部分的外侧端部(S)在与坯体(11)的侧面(11c)正交的方向上，比焊盘(22)的外端(Q)更位于外侧。
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公开(公告)号：CN102683020A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210059257.5
申请日：2012-03-08
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： H01G4/30
CPC分类号： H01L21/64 , B26D1/04 , B32B37/00 , B32B37/02 , B32B37/10 , B32B37/12 , B32B37/16 , B32B38/0004 , B32B38/04 , B32B2038/042 , C04B35/00 , C04B35/468 , C04B37/00 , C04B37/006 , C04B2237/12 , C04B2237/32 , H01G4/06 , H01G4/12 , H01G4/30 , H01G4/308 , H01G13/00 , H05K3/0058 , Y10T156/1052 , Y10T156/1348
摘要： 本发明提供一种层叠陶瓷电子部件的制造方法。该方法在得到使内部电极在侧面露出的状态的未加工芯片中，由于在内部电极的侧部形成保护区域，因此在进行在未加工芯片的侧面粘贴陶瓷生片的工序时，能够以不使未加工芯片产生所不希望的变形的方式处理未加工芯片。作为扩宽了相互之间的间隔的状态而使截断母板后的呈按行及列方向排列的状态的多个未加工芯片(19)转动，由此，将多个未加工芯片(19)各自的侧面(20)一齐作为开放面，而后对侧面(20)赋予粘接剂，接着，在粘贴用弹性体(48)上放置侧面用陶瓷生片(47)，通过将未加工芯片(19)的侧面(20)按压于侧面用陶瓷生片(47)，从而打穿侧面用陶瓷生片(47)，且处于附着于侧面(20)的状态。
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公开(公告)号：CN100474464C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200510093553.7
申请日：2005-08-26
申请人： TDK株式会社
摘要： 本发明提供一种积层陶瓷电容器，其具备：层叠有多层电介质层的积层体，分别位于积层体的相对的侧面的第1以及第2端电极，在积层体内沿该积层体的积层方向同时设置的多个内部电极群。各内部电极群具有：与第1端电极连接的第1内部电极，与第2端电极连接的第2内部电极，与第1以及第2端电极都不连接的第3内部电极。第1内部电极、第2内部电极和第3内部电极被配置为使电介质层夹在其之间，从而在所述第1内部电极和所述第2内部电极之间形成多个串联连接的电容分量。在位于积层体的积层方向上最外侧的内部电极群上形成的电容分量的数量，比在与位于最外侧的所述内部电极群相比位于内侧位置的内部电极群上形成的电容分量的数量多。
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公开(公告)号：CN101308728A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810128835.X
申请日：2003-04-15
申请人： 阿维科斯公司
发明人： 约翰·L·高尔瓦格尼 , 罗伯特·海斯坦第二 , 安德鲁·里特 , 斯里拉姆·达他古鲁
CPC分类号： H01G4/30 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/32 , C23C18/38 , C23C18/48 , C23C28/021 , C23C28/023 , C25D3/56 , C25D5/02 , C25D5/34 , C25D7/00 , H01C1/14 , H01C7/008 , H01C7/10 , H01C17/28 , H01F41/04 , H01G4/005 , H01G4/008 , H01G4/012 , H01G4/06 , H01G4/12 , H01G4/228 , H01G4/232 , H05K3/02 , H05K3/403 , H05K2201/09709 , Y10T29/417 , Y10T29/42 , Y10T29/43 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49099 , Y10T29/49101
摘要： 本发明公开了一种用于多层电子元件的改进接线端部件。为单片元件设置镀覆接线端，从而消除或明显简化了对于典型的厚膜接线端带的需要。这种接线端技术消除了许多典型接线端的问题并且能够以更细的间距形成更多的接线端，这尤其有益于更小的电子元件。利用露出的内电极接头和附加的锚定接头部分引导并锚定本发明的镀覆接线端，上述接头部分可以选择性地延伸到多层元件的覆盖层。这种锚定接头可以相对于芯片结构内或外定位，以成为附加金属镀覆材料的成核。位于单片结构的顶和底侧上的外部锚定接头可以便于卷绕镀覆接线端的形成。本技术可以采用多个单片多层元件，在形成镀覆接线端中可以采用各种镀覆技术和接线端材料。
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公开(公告)号：CN1465077A
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN02802195.9
申请日：2002-04-18
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01G4/33
摘要： 在采用柔性基板2的电容器1中，为了将上部电极7与外部引出电极4连接，在电介质6设置连接孔，使该孔相对于外部引出的电极4的上表面形成的倾斜角度以0.1度至20度从下端部至上端部至少一部分连续，通过这样，上部电极7沿电介质6的孔6a倾斜的倾斜壁面上端拐角向下方的倾斜角度及上部电极7沿电介质6的孔倾斜的倾斜壁面下端拐角向上方的倾斜角度分别成为0.1度至20度，结果大幅度减轻对上部电极7的前述拐角的应力集中，在上部电极不产生裂纹。
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