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公开(公告)号：CN108231416A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711372332.2
申请日：2017-12-19
申请人： 太阳诱电株式会社
CPC分类号： H01G4/224 , H01G4/008 , H01G4/012 , H01G4/12 , H01G4/1227 , H01G4/1236 , H01G4/1245 , H01G4/232 , H01G4/242 , H01G4/30 , H01G4/33
摘要： 本发明提供即使在将层叠陶瓷电子部件薄型化的情况下也能够尽可能防止湿气侵入到部件主体内的层叠陶瓷电子部件。层叠陶瓷电容器(10)的电容器主体(11)的第三方向的一个面设置有具有被各外部电极(12)的第一部分(12b)覆盖的部分(A1)和(A2)的第一绝缘体层(13‑1)，电容器主体(11)的第三方向的另一个面设置有具有被各外部电极(12)的第二部分(12c)覆盖的部分(A3)和(A4)的第二绝缘体层(13‑2)。
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公开(公告)号：CN104205265A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380015159.4
申请日：2013-03-14
申请人： 加州理工学院
发明人： 哈里什·马诺哈拉 , 琳达·Y·德尔卡斯蒂罗 , 默罕默德·莫扎拉蒂
IPC分类号： H01G4/005
CPC分类号： H01G4/30 , B82Y10/00 , H01G4/01 , H01G4/1209 , H01G4/14 , H01G4/232 , H01G4/242 , H01G4/33 , H01G4/38 , H01L28/60 , H01L28/86 , H01L28/90
摘要： 根据本发明的实施方案的系统和方法实现了微米级电容器和纳米级电容器，其包括符合细长体阵列形状的导电元件。在一个实施方案中，包括符合细长体阵列形状的导电元件的电容器，其包括：符合细长体阵列形状的第一导电元件；符合细长体阵列形状的第二导电元件；以及布置在第一导电元件和第二导电元件之间且由此物理地分隔它们的电介质材料。
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公开(公告)号：CN105359236B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201480037368.3
申请日：2014-06-04
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 冈本贵史
IPC分类号： H01G4/12 , C04B35/468 , H01B3/12 , H01G4/30
CPC分类号： H01G4/1227 , B32B18/00 , C04B35/468 , C04B35/4682 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B35/634 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/6025 , C04B2235/6582 , C04B2235/6588 , C04B2237/346 , C04B2237/68 , C04B2237/704 , H01B3/12 , H01G4/012 , H01G4/242 , H01G4/30
摘要： 本发明提供一种高温负荷时的绝缘劣化耐性高的层叠陶瓷电容器。内层用陶瓷层(11)的组成是以含有Ba及Ti的钙钛矿型化合物作为主成分，含有Nb及Ta的至少一种，并且含有Mn及Al，并且任选地含有Mg及稀土类元素(Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er中的至少一种)，在将Ti的含量设为100摩尔份时，含有：(a)Nb及Ta的合计为0.2～1.5摩尔份、(b)Mg为0.2摩尔份以下(包括0摩尔份)、(c)Mn为1.0～3.5摩尔份、(d)Al为1.0～4.0摩尔份、(e)稀土类元素为0.05摩尔份以下(包括0摩尔份)。此外，每1层的内层用陶瓷层(11)的平均粒子数为3个以下。
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公开(公告)号：CN107068404A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610867393.5
申请日：2016-09-29
申请人： TDK株式会社
CPC分类号： H01G4/002 , H01C7/02 , H01C7/13 , H01G2/06 , H01G2/14 , H01G4/1227 , H01G4/1236 , H01G4/232 , H01G4/242 , H01G4/30 , H01G4/40 , H05K3/3426 , H05K2201/10015 , H05K2201/10181 , H05K2201/10378 , H05K2201/10515 , H05K2201/1053 , H05K2201/10537 , H05K2201/10757 , H05K2201/10946 , H05K2201/10962 , H05K2201/2045 , H01G4/12 , H01G4/228 , H01H85/0241
摘要： 本发明提供一种电子部件。层叠电容器具备第一素体、第一、第二外部电极。过电流保护元件具备第二素体、第三、第四外部电极。第一基板具备具有在第一方向上互相相对的第一及第二主面的基板主体、第一连接电极、第二连接电极、第三连接电极、及第四连接电极。第一金属端子具备与第一连接电极电连接的第一连接部、从第一连接部起延伸的第一脚部。第二金属端子具备与第四连接电极电连接的第二连接部、从第二连接部起延伸的第二脚部。层叠电容器位于第一基板的第一主面侧，过电流保护元件位于第一基板的第二主面侧。第二连接电极和第三连接电极被电连接。
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公开(公告)号：CN108695073A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810269346.X
申请日：2018-03-29
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01G4/1281 , C01G33/006 , C01P2002/08 , C01P2002/34 , C01P2002/50 , C01P2002/72 , C01P2002/78 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B35/472 , C04B35/491 , C04B35/495 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3227 , C04B2235/3255 , C04B2235/5292 , C04B2235/768 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C07C211/01 , C07C211/63 , H01G4/1218 , H01G4/1227 , H01G4/1236 , H01G4/14 , H01G4/232 , H01G4/242 , H01G4/30 , H01G4/33 , H01G4/06
摘要： 二维钙钛矿材料、包括其的介电材料和多层电容器。所述二维钙钛矿材料包括：包括层叠的具有正电荷的第一层和具有负电荷的第二层的层状金属氧化物、从所述层状金属氧化物剥落的单层纳米片、多个所述单层纳米片的纳米片层叠体、或其组合，其中所述二维钙钛矿材料以大于或等于约80体积％的量包括具有二维晶体结构的第一相，基于100体积％的所述二维钙钛矿材料，和所述二维钙钛矿材料由化学式1表示。
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公开(公告)号：CN1902756A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200480039382.3
申请日：2004-12-23
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L23/64
CPC分类号： H01G4/242 , H01G2/06 , H01L23/50 , H01L23/66 , H01L24/10 , H01L2224/16225 , H01L2924/14
摘要： 描述了一种用于与安装在IC封装上的集成电路(IC)一起使用的阵列电容器。该阵列电容器包括与多个第二导电层(202、204…)交错的多个第一导电层(201、203…)和使相邻导电层分开的多个介电层(211－220)。该阵列电容器进一步包括用于电连接第一导电层的多个第一导电通孔(331、333…)和用于电连接第二导电层的多个第二导电通孔(334、336...)。该阵列电容器设有被配置用于使IC封装(120)的管脚(135)能够穿过的开口(155、371、372、373)。
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公开(公告)号：CN106237517A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610620542.8
申请日：2016-06-01
申请人： 阿维科斯公司
发明人： A·P·里特
CPC分类号： A61N1/3754 , H01F27/33 , H01F27/40 , H01G2/04 , H01G4/228 , H01G4/242 , H01G4/35 , H01G4/38 , H03H1/0007 , H03H7/0115 , H03H2001/0042 , A61N1/362 , A61N1/3718 , A61N1/37211 , H01P1/20
摘要： 本发明提供了一种用于医疗植入设备的离散共烧馈通滤波器。多个离散垂直馈通滤波器元件分别与多个信号线或引脚相关联，并由绝缘馈通部和套圈支撑。所得到的离散设备包括能更便宜制造的单一元件设备，该单一元件设备能够降低相邻的信号线/引脚之间的串扰，同时能够适应馈通部间距的变化而无需重新设计滤波器。
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公开(公告)号：CN106098367A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610593387.5
申请日：2016-07-26
申请人： 长兴立峰电子有限公司
发明人： 徐建
摘要： 本发明提供复合直流电容器，它包括有由陶瓷材料制成的圆柱形电极座，电极座外周面上设有内凹的弧形绕线环，电极座底部嵌装有密封垫，电极座内设有圆柱形的金属极脚，金属极脚底部穿过电极座和密封垫后与电容器内的电容芯体连接，金属极脚顶部伸出电极座形成连接端，连接端上设有外锁螺纹，外锁螺母啮合在外锁螺纹上，连接端底部设有n形的线槽，线槽贯穿于连接端的金属极脚上。本方案采用啮合式的金属极脚更换，维护方便，且可循环利用。
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公开(公告)号：CN105359236A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201480037368.3
申请日：2014-06-04
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 冈本贵史
IPC分类号： H01G4/12 , C04B35/468 , H01B3/12 , H01G4/30
CPC分类号： H01G4/1227 , B32B18/00 , C04B35/468 , C04B35/4682 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B35/634 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/6025 , C04B2235/6582 , C04B2235/6588 , C04B2237/346 , C04B2237/68 , C04B2237/704 , H01B3/12 , H01G4/012 , H01G4/242 , H01G4/30
摘要： 本发明提供一种高温负荷时的绝缘劣化耐性高的层叠陶瓷电容器。内层用陶瓷层(11)的组成是以含有Ba及Ti的钙钛矿型化合物作为主成分，含有Nb及Ta的至少一种，并且含有Mn及Al，并且任选地含有Mg及稀土类元素(Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er中的至少一种)，在将Ti的含量设为100摩尔份时，含有：(a)Nb及Ta的合计为0.2～1.5摩尔份、(b)Mg为0.2摩尔份以下(包括0摩尔份)、(c)Mn为1.0～3.5摩尔份、(d)Al为1.0～4.0摩尔份、(e)稀土类元素为0.05摩尔份以下(包括0摩尔份)。此外，每1层的内层用陶瓷层(11)的平均粒子数为3个以下。
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公开(公告)号：CN100550369C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200480039382.3
申请日：2004-12-23
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L23/64
CPC分类号： H01G4/242 , H01G2/06 , H01L23/50 , H01L23/66 , H01L24/10 , H01L2224/16225 , H01L2924/14
摘要： 描述了一种用于与安装在IC封装上的集成电路(IC)一起使用的阵列电容器。该阵列电容器包括与多个第二导电层(202、204...)交错的多个第一导电层(201、203...)和把相邻导电层分开的多个介电层(211-220)。该阵列电容器进一步包括用于电连接第一导电层的多个第一导电通路(331、333...)和用于电连接第二导电层的多个第二导电通路(334、336...)。该阵列电容器设有被配置用于使IC封装(120)的管脚(135)能够穿过的开口(155、371、372、373)。
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