多层陶瓷电子组件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107331509B

    公开(公告)日:2019-06-28

    申请号:CN201710671841.9

    申请日:2012-05-28

    IPC分类号: H01G4/30 H01G4/12

    CPC分类号: H01G4/30 H01G4/012 H01G4/1209

    摘要: 提供了一种多层陶瓷电子组件,所述多层陶瓷电子组件包括:陶瓷主体,包括平均厚度为0.6μm或更小的介电层;以及第一内电极层和第二内电极层,位于陶瓷主体内并设置为彼此面对,介电层设置在第一内电极层和第二内电极层之间,其中,介电层包括与第一内电极层或第二内电极层接触的接触介电颗粒以及不与第一内电极层或第二内电极层接触的非接触介电颗粒,并且当介电层的平均厚度被定义为td,并且非接触介电颗粒的平均直径被定义为Dc时,满足Dc/td≤0.25。所述多层陶瓷电子组件具有改进的内电极层的连续性、大的电容、延长的加速寿命以及优良的可靠性。

    一种三维结构陶瓷电容器及其制备方法

    公开(公告)号:CN107516599A

    公开(公告)日:2017-12-26

    申请号:CN201710707116.2

    申请日:2017-08-17

    IPC分类号: H01G4/12 H01G13/00

    摘要: 本发明公开一种三维结构陶瓷电容器的制备方法及电容器。所述方法包括以下步骤:将半导体陶瓷粉末流延膜通过热压成型为生坯片;在所述生坯片上冲出通孔;把未冲孔的所述生坯片和冲孔后的所述生坯片叠放在一起,分别通过热压和静水压形成成型坯片;将所述成型坯片放入还原气氛中烧结,得到半导化陶瓷片;对所述半导化陶瓷片进行表面氧化;将表面氧化后所述半导化陶瓷片未冲孔的一面研磨,去除表面氧化绝缘层;对研磨后的所述半导化陶瓷片两面进行金属化,得到三维结构表面层型半导体陶瓷电容器。采用本发明的方法或电容器,可以极大地增大电容器容量。

    多层陶瓷电子组件
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107331509A

    公开(公告)日:2017-11-07

    申请号:CN201710671841.9

    申请日:2012-05-28

    IPC分类号: H01G4/30 H01G4/12

    CPC分类号: H01G4/30 H01G4/012 H01G4/1209

    摘要: 提供了一种多层陶瓷电子组件,所述多层陶瓷电子组件包括:陶瓷主体,包括平均厚度为0.6μm或更小的介电层;以及第一内电极层和第二内电极层,位于陶瓷主体内并设置为彼此面对,介电层设置在第一内电极层和第二内电极层之间,其中,介电层包括与第一内电极层或第二内电极层接触的接触介电颗粒以及不与第一内电极层或第二内电极层接触的非接触介电颗粒,并且当介电层的平均厚度被定义为td,并且非接触介电颗粒的平均直径被定义为Dc时,满足Dc/td≤0.25。所述多层陶瓷电子组件具有改进的内电极层的连续性、大的电容、延长的加速寿命以及优良的可靠性。

    多层陶瓷电子组件
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102903520B

    公开(公告)日:2017-09-01

    申请号:CN201210169446.8

    申请日:2012-05-28

    IPC分类号: H01G4/30 H01G4/005 H01G4/12

    CPC分类号: H01G4/30 H01G4/012 H01G4/1209

    摘要: 提供了一种多层陶瓷电子组件,所述多层陶瓷电子组件包括:陶瓷主体,包括平均厚度为0.6μm或更小的介电层;以及第一内电极层和第二内电极层,位于陶瓷主体内并设置为彼此面对,介电层设置在第一内电极层和第二内电极层之间,其中,介电层包括与第一内电极层或第二内电极层接触的接触介电颗粒以及不与第一内电极层或第二内电极层接触的非接触介电颗粒,并且当介电层的平均厚度被定义为td,并且接触介电颗粒的平均直径被定义为De时,满足De/td≤0.35。所述多层陶瓷电子组件具有改进的内电极层的连续性、大的电容、延长的加速寿命以及优良的可靠性。